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nand

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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

關(guān)于美光與英特爾NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析?5張圖給你解釋

關(guān)于美光與英特爾NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析?5張圖給你解釋

筆者認(rèn)為如果這些發(fā)生了的話(huà),將會(huì)改變整個(gè)NAND 市場(chǎng)的格局,對(duì)美光將是巨大的威脅。英特爾和美光都認(rèn)為3D XPoint最終將替代目前PC市場(chǎng)和服務(wù)器...

2018-06-29 標(biāo)簽:英特爾NAND美光 3.3k 0

全球DRAM平均售價(jià)將降低 5大跡象十分清晰

全球DRAM平均售價(jià)將降低 5大跡象十分清晰

內(nèi)存芯片在2017年掀起一陣狂熱,價(jià)格只增不減??v觀2018年甚至2019年局勢(shì),5大跡象顯示內(nèi)存芯片「超級(jí)循環(huán)」將結(jié)束,全球 DRAM 的平均售價(jià)將降低。

2018-02-23 標(biāo)簽:dramnand三星電子 1.6k 0

首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn),填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白

位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝,這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)...

2018-06-20 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器閃存芯片 2.3k 0

美光新加坡興建第3工廠,欲搶占NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)

在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)...

2018-06-11 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器美光 1.3k 0

探析NAND閃存中控制器到底有多重要

探析NAND閃存中控制器到底有多重要

基于NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)正在取代許多應(yīng)用中的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD),尤其是便攜式和消費(fèi)類(lèi)設(shè)備。由于閃存固有的高性能,這種技術(shù)也正在進(jìn)軍企業(yè)存...

2018-06-09 標(biāo)簽:閃存控制器NAND 3.4k 0

傳蘋(píng)果有意采購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND Flash

據(jù)日經(jīng)新聞(Nikkei)報(bào)道,蘋(píng)果正與中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(Yangtze Memory Technologies)進(jìn)行磋商,有意向其購(gòu)買(mǎi)存儲(chǔ)芯片,若敲定...

2018-02-16 標(biāo)簽:nand蘋(píng)果 5.9k 0

美光:看好存儲(chǔ)器市場(chǎng),至少可望一路好到2021年

存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)22日在美國(guó)召開(kāi)分析師大會(huì),美光執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra表示,存儲(chǔ)器市場(chǎng)已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型,以智能型手機(jī)為中心的...

2018-06-28 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器美光 1k 0

西數(shù)與三星的競(jìng)爭(zhēng)面臨生死關(guān)頭,為不讓三星存儲(chǔ)一家獨(dú)大尋求日本政府支持

西部數(shù)據(jù)再次呼吁日本政府對(duì)它與東芝的存儲(chǔ)芯片合資企業(yè)提供支持,因?yàn)樗谂c韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的競(jìng)爭(zhēng)中面臨生死關(guān)頭。

2018-06-28 標(biāo)簽:NAND三星電子存儲(chǔ) 2.5k 0

SSD與HDD價(jià)差進(jìn)一步收斂,推動(dòng)SSD取代效益顯現(xiàn)

隨著NAND Flash產(chǎn)能開(kāi)出,市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)松動(dòng),刺激市場(chǎng)搭載SSD的需求大增,業(yè)者認(rèn)為,2018年下半NAND Flash價(jià)格將一路走跌,將促使S...

2018-06-28 標(biāo)簽:NANDSSD 875 0

三星計(jì)劃推出QLC NAND芯片,已經(jīng)開(kāi)始著手進(jìn)行量產(chǎn)準(zhǔn)備工作

最近在搞PM2.5檢測(cè)。用的是PMS7003傳感器。BUT,之前沒(méi)有接觸過(guò)。需要一步一步的來(lái)。先測(cè)試其串口是否通信。 一、首先看一下PMS7003的接口...

2018-07-03 標(biāo)簽:閃存NAND三星電子 1.3k 0

2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)的大事件回顧

2017年中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)總的一句話(huà)概括就是 創(chuàng)新、合作、競(jìng)爭(zhēng)、智能。我們一起來(lái)回顧下2017年存儲(chǔ)器領(lǐng)域都發(fā)生過(guò)哪些大事件。

2018-02-12 標(biāo)簽:nand三星電子存儲(chǔ)器 3.2k 0

存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格居高不下,三星中國(guó)西安NAND Flash工廠擴(kuò)建計(jì)劃持續(xù)進(jìn)行

在當(dāng)前NandFlash存儲(chǔ)器仍舊供不應(yīng)求,市場(chǎng)價(jià)格依舊居高不下的情況下,日前全球NandFlash存儲(chǔ)器龍頭企業(yè)的韓國(guó)三星,日前宣布將在本月底正式動(dòng)...

2018-07-03 標(biāo)簽:NAND三星電子存儲(chǔ)器 1.2k 0

三星豪賭260億美元計(jì)劃壟斷DRAM和NAND市場(chǎng),5G實(shí)現(xiàn)里程碑式的突破

1引言 目前,國(guó)產(chǎn)的勵(lì)磁功率柜普遍存在檢測(cè)功能不全、信息傳送技術(shù)、控制和檢測(cè)技術(shù)落后等問(wèn)題。為了解決這一問(wèn)題,本文給出了通過(guò)采用高集成度單片機(jī)C8051...

2018-07-03 標(biāo)簽:DRAMNAND三星電子 1.1k 0

數(shù)據(jù)顯示2018年內(nèi)存降價(jià)無(wú)望

經(jīng)過(guò)2017年一年的內(nèi)存亂戰(zhàn),SSD已經(jīng)進(jìn)行了幾輪的洗牌。但是今年據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示,今年內(nèi)存降價(jià)沒(méi)戲了,內(nèi)存價(jià)格上漲導(dǎo)致DDR3內(nèi)存卷土重來(lái)。

2018-02-11 標(biāo)簽:nandddr3內(nèi)存 2.0萬(wàn) 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)喜迎第一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī):國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤(pán)將迎來(lái)重大突破

? 前些天,新聞曝光的中芯國(guó)際花了1.2億美元從荷蘭ASML買(mǎi)來(lái)一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī),未來(lái)可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片,而根據(jù)最新消息稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)也迎來(lái)了...

2018-06-29 標(biāo)簽:NANDSSD長(zhǎng)江存儲(chǔ) 9.9k 0

群聯(lián)欲大幅征才200名工程師,進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)3D NAND

NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善,量產(chǎn)能力大為提升,盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng),但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛...

2018-07-09 標(biāo)簽:NAND3D 763 0

NAND Flash報(bào)價(jià)暫時(shí)回跌,SSD控制器將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)整合期

連續(xù)多季走強(qiáng)的NAND Flash報(bào)價(jià),在2018年第一季可望暫時(shí)回跌,然由于3D NAND Flash制程工序繁復(fù),會(huì)使晶圓廠的實(shí)際產(chǎn)能下滑,故NA...

2018-07-09 標(biāo)簽:NAND內(nèi)存SSD 731 0

第一季NAND Flash品牌商營(yíng)收季減3%,需求進(jìn)入淡季

第一季NAND Flash品牌商營(yíng)收季減3%,需求進(jìn)入淡季

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,2018年第一季隨著需求進(jìn)入淡季循環(huán),促使價(jià)格向下修正,第一季NAND Fla...

2018-06-22 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)技術(shù) 817 0

存儲(chǔ)器市況目前呈現(xiàn)兩類(lèi),DRAM歡喜NAND憂(yōu)

目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價(jià)格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過(guò)于求,價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季,而...

2018-06-22 標(biāo)簽:DRAMNAND 1.1k 0

DRAM和NAND Flash市場(chǎng)需求量不斷增加,南亞科和旺宏業(yè)績(jī)往高處走

隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨,數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視,研調(diào)單位指出,協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲(chǔ)存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫,南亞科(240...

2018-06-22 標(biāo)簽:DRAMNAND 1.5k 0

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  • 云儲(chǔ)存
    云儲(chǔ)存
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    云存儲(chǔ)是在云計(jì)算(cloud computing)概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念,是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù),本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存,云數(shù)據(jù)存儲(chǔ),免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好,云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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    富士通
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    富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力,致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)(東京證券交易所上市代碼:6702)截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元(400億美元)。
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    2016年5月,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商,公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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    NVM Express(NVMe),或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范(英語(yǔ):Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification,縮寫(xiě):NVMHCIS),是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范(相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層)
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    福建晉華
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  • 存儲(chǔ)行業(yè)
    存儲(chǔ)行業(yè)
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    快閃存儲(chǔ)器
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      NoSQL僅僅是一個(gè)概念,泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù),區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù),它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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    V-NAND
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    FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司(longsys)的存儲(chǔ)品牌。
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    長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
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    2016年5月,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商,公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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