9月2日，長江存儲(chǔ)正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 據(jù)悉，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)投資建設(shè)，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲(chǔ)芯片等，占地面積約1500畝。項(xiàng)目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬片。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將有力地支撐我國在主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域的跨越式發(fā)展。
2017-02-13 09:20:161332 國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 2025年將增至 175 ZB。半導(dǎo)體存儲(chǔ)具有存取速度快、功耗低、體積小、可靠性高等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用在電子設(shè)備中，并且正逐步取代機(jī)械硬盤成為主流存儲(chǔ)器。其中閃存不同于 DRAM，因其具有斷電數(shù)據(jù)不丟失
2023-12-08 10:19:491497 
歡迎了解 邵滋人，李太龍，湯茂友 宏茂微電子（上海）有限公司 摘要： 在存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展過程中，三維閃存存儲(chǔ)器以其單位面積內(nèi)存儲(chǔ)容量大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，正逐步取代機(jī)械硬盤成為大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域中的主角
2023-12-14 16:55:561878 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
***中添加三維模型時(shí)如何設(shè)置對層，下面是我看一個(gè)教程的步驟：但為什么那個(gè)左下角的Layer Pairs…按鈕是灰色呢？請大神幫忙
2012-09-25 14:51:45
智能芯片之三維內(nèi)存介紹
2021-01-29 07:39:22
。三維CAD的使用，不僅能提高設(shè)計(jì)質(zhì)量，還能縮短設(shè)計(jì)周期，創(chuàng)作良好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。所以，越來越多的企業(yè)將三維CAD作為企業(yè)進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)和創(chuàng)新最通用的手段和工具。而隨著我國計(jì)算機(jī)技術(shù)的迅速發(fā)展
2019-07-03 07:06:31
專門為制造業(yè)提供了一個(gè)全新、高效的重構(gòu)手段，實(shí)現(xiàn)從實(shí)際物體到幾何建模的直接轉(zhuǎn)換。逆向工程技術(shù)涉及計(jì)算機(jī)圖形學(xué)、計(jì)算機(jī)圖像處理、微分幾何、概率統(tǒng)計(jì)等學(xué)科，是CAD領(lǐng)域最活躍的分支之一。我公司通過外業(yè)的三維
2016-03-02 15:12:00
讀寫次數(shù)和效能上遠(yuǎn)不如SLC芯片，但隨著效能大幅改善后，MLC芯片也逐漸成為NAND Flash產(chǎn)業(yè)主流，并在價(jià)格下滑后，導(dǎo)入多領(lǐng)域應(yīng)用范圍?，F(xiàn)在MLC芯片性價(jià)比提升，也逐漸導(dǎo)入許多應(yīng)用領(lǐng)域包括軍規(guī)
2018-06-14 14:26:38
保存代碼及數(shù)據(jù)，分為閃型存儲(chǔ)器 （Flash Memory）與只讀存儲(chǔ)器（Read-OnlyMemory），其中閃型存儲(chǔ)器是主流，而閃型存儲(chǔ)器又主要是NAND Flash 和NOR Flash
2024-12-17 17:34:06
控制器層和存儲(chǔ)器層等）會(huì)使生產(chǎn)成本顯著降低。此外，采用該技術(shù)還有望實(shí)現(xiàn)新型多功能微電子系統(tǒng)，如分布式無線傳感器網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的超小型傳感器節(jié)點(diǎn)等（圖1）。目前采用三維集成技術(shù)已顯得十分必要，其原因是三維集成
2011-12-02 11:55:33
卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
SD NAND 與 TF卡的區(qū)別：（看圖表）
SD和TF區(qū)別
LGA-8封裝
什么是LGA-8封裝？
LGA-8封裝是一種將芯片引腳通過電路板的層間連接
2024-01-05 17:54:39
芯片自主發(fā)展成為當(dāng)務(wù)之急。2019年NAND市場上還有一個(gè)變數(shù)，雖然它還是初生牛犢，但它是最有可能重塑存儲(chǔ)芯片市場格局的，那就是中國的長江存儲(chǔ)公司2019年會(huì)大規(guī)模量產(chǎn)3DNAND閃存，跟三星、東芝
2021-07-13 06:38:27
三維內(nèi)存對人們生產(chǎn)生活方面的貢獻(xiàn)智能芯片的三維內(nèi)存
2020-12-24 06:54:39
未來DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
系統(tǒng)設(shè)計(jì)存在設(shè)計(jì)基于閃存的可靠的嵌入式和存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)仍然面對重大挑戰(zhàn)。隨著每代新產(chǎn)品的出現(xiàn)，目前存儲(chǔ)器技術(shù)要求尺寸越來越小，但耑要較大系統(tǒng)級(jí)變化來維持系統(tǒng)級(jí)討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲(chǔ)器架構(gòu)
2018-05-17 09:45:35
MTFC32GAKAEEF-AIT 產(chǎn)品概述 MTFC32GAKAEEF-AIT是Micron推出的一款高性能NAND閃存存儲(chǔ)器，具有32GB的存儲(chǔ)容量。該器件設(shè)計(jì)用于滿足各種嵌入式
2024-10-15 23:15:35
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021410 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
提出一種適用于未來高密度應(yīng)用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲(chǔ)器概念。在0.13 m工藝下, 以一個(gè)使用8 層金屬堆疊的1T64R 結(jié)構(gòu)為例, 其存儲(chǔ)密度比傳統(tǒng)的單層1T1R 結(jié)構(gòu)高
2011-12-07 11:02:41
16 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 故障芯片重利用的三維存儲(chǔ)器成品率提高方法_劉軍
2017-01-07 21:28:580 紫光集團(tuán)董事長趙偉國近日在第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)表示，近年來，紫光集團(tuán)把企業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)聚焦在了集成電路上。在移動(dòng)領(lǐng)域，紫光現(xiàn)在每年向全球提供的手機(jī)芯片超過7億部套片;在存儲(chǔ)領(lǐng)域，紫光已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的三維閃存芯片，明年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2017-12-07 11:31:102144 武漢建設(shè)NAND工廠，預(yù)計(jì)今年內(nèi)量產(chǎn)，據(jù)悉國產(chǎn)NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時(shí)2年、耗資10億美元研發(fā)的。
2018-05-16 10:06:004167 在SK Hynix的72層（72L） TLC NAND快閃存儲(chǔ)器中，所謂的P-BiCS （Pipe-shaped Bit Cost Scalable）單元，是利用管線式（pipe）閘極連結(jié)每一個(gè)
2018-06-21 12:23:002783 
三維閃存作為主流存儲(chǔ)介質(zhì)，廣泛運(yùn)用于企業(yè)級(jí)高性能計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)。但是由于訪問輔助存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)原語沒有發(fā)生改變，存儲(chǔ)原語強(qiáng)迫三維閃存這類存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)方式必須和磁盤這一類的塊設(shè)備保持相同的存儲(chǔ)
2018-01-31 15:04:010 根據(jù)韓國媒體的報(bào)導(dǎo)，韓國存儲(chǔ)器大廠三星已經(jīng)確認(rèn)，將會(huì)在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能。 之前，韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 當(dāng)然中國的存儲(chǔ)芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲(chǔ)芯片企業(yè)，長江存儲(chǔ)當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國三星去年就開始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash，長江存儲(chǔ)希望在未來兩三年實(shí)現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破，將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:1944620 按照計(jì)劃，今年四季度，設(shè)備有望點(diǎn)亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長高啟全透露，今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品，是去年成功研發(fā)的中國首顆32層三維NAND閃存芯片，就在4月9日，這顆耗資10億美元
2018-04-23 11:20:003770 
位于湖北武漢“中國光谷”的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)4月11日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-04-27 11:52:005224 日前，長江存儲(chǔ)以“芯存長江，智儲(chǔ)未來”為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前，長江存儲(chǔ)新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后，就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片，打響中國在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:008746 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲(chǔ)器
2018-07-26 18:01:002759 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá) 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲(chǔ)器快了 50%，同時(shí)功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒，速率可達(dá)6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲(chǔ)器快了50%，同時(shí)功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲(chǔ)器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 長江存儲(chǔ)隸屬于中國半導(dǎo)體巨頭紫光集團(tuán)。此前，該公司對外披露已經(jīng)獲得了第一個(gè)閃存芯片訂單，用于生產(chǎn)8GB容量的SD存儲(chǔ)卡，訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片。
2018-07-26 16:28:0115523 在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（國家存儲(chǔ)器基地），紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:146351 昨日長江存儲(chǔ)正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 在被視為半導(dǎo)體起源地的美國硅谷舉行的半導(dǎo)體大會(huì)上，中國長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(YMTC)宣布，將從明年開始向市場供應(yīng)32層三維NAND閃存(以下簡稱NAND)，并公開了自主三維NAND量產(chǎn)技術(shù)。
2018-08-12 10:11:183584 趙偉國認(rèn)為，中國的集成電路已經(jīng)初步擺脫了抄人家、學(xué)人家的狀態(tài)。他透露，紫光會(huì)在今年底量產(chǎn)32層64G的存儲(chǔ)器，在明年會(huì)量產(chǎn)64層128G的存儲(chǔ)器，并同步研發(fā)128層256G的存儲(chǔ)器。
2018-08-26 10:38:153176 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:242506 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:346335 
國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 紫光集團(tuán)旗下的長江存儲(chǔ)YMTC是國內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營中主修NAND閃存的公司，也是目前進(jìn)度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522545 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966 現(xiàn)在，長江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 根據(jù)官網(wǎng)資料，長江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 睿創(chuàng)微納填補(bǔ)了中國在非制冷紅外熱成像領(lǐng)域高精度芯片研發(fā)、生產(chǎn)、封裝、應(yīng)用等方面的一系列空白，具備探測器自主研發(fā)能力并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-08-01 17:20:185038 NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。作為中國首款64層3DNAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺(tái)。
2019-09-02 16:27:504051 長江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374 據(jù)悉，長江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147 近日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用。這是中國首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:194095 紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)近日宣布，已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存（3DNAND），容量為256Gb，以滿足固態(tài)硬盤（SSD）嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用的需求，這也是中國首款64
2019-10-08 09:19:531383 紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)正式宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181727 人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:453512 會(huì)上，湖北亮出了 2019 年發(fā)展的成績單。例如，我國首款 64 層三維閃存芯片在武漢量產(chǎn)；華星光電 T4、京東方10.5 代線、小米武漢總部等重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目建成運(yùn)營，重大項(xiàng)目落地見成效。
2020-01-14 14:44:453599 楊道虹表示，目前及今后的一段時(shí)間內(nèi)，長江存儲(chǔ)核心任務(wù)是推動(dòng)產(chǎn)能爬坡提升，將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬片并按期建成30萬片/月產(chǎn)能，提升國家存儲(chǔ)器基地的規(guī)模效應(yīng)，帶動(dòng)全省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2020-01-15 09:31:293090 根據(jù)消息報(bào)道，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-15 14:11:143818 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 10:27:211908 1 月 16 日訊，據(jù)悉，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 副董事長楊道虹表示，2019 年，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:021539 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 今年初，長江存儲(chǔ)市場與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示，長江存儲(chǔ)將跳過如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術(shù)，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:211265 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標(biāo)志著國產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:225527 近日，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期在武漢東湖高新區(qū)開工，據(jù)悉，國家存儲(chǔ)器基地的項(xiàng)目是由紫光集團(tuán)、國家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，這項(xiàng)目計(jì)劃分兩期建設(shè)3D?NAND閃存芯片工廠。
2020-09-18 14:54:183051 據(jù)國外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:343836 。 據(jù)了解，在新型存儲(chǔ)器中，相變存儲(chǔ)器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術(shù)最成熟的存儲(chǔ)技術(shù)。 2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲(chǔ)芯片，速度和壽命比固態(tài)閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術(shù)也使容量高出了十倍。 然而，由于在相變過程中需
2022-01-21 13:15:001047 長江存儲(chǔ)一直是我國優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 資料顯示，暖芯迦對生物小信號(hào)以及神經(jīng)信號(hào)的采集、編解碼、分析算法、大數(shù)據(jù)模型、高精度控制等領(lǐng)域有深刻的研究，產(chǎn)品研發(fā)主要集中在神經(jīng)接口和生物傳感兩個(gè)領(lǐng)域，填補(bǔ)我國相關(guān)生物芯片領(lǐng)域的空白。
2022-11-08 14:56:101788 在20nm 工藝節(jié)點(diǎn)之后，傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲(chǔ)器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量，NAND集成工藝開始向三維堆疊方向發(fā)展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:5717470 閃存存儲(chǔ)設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:4912803 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563 根據(jù)專利摘要，該申請涉及提高三維存儲(chǔ)器存儲(chǔ)密度的半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。這個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外部層沉積層、電容器、第一次接觸柱子及首家信號(hào)線組成，外圍堆疊層包括層疊設(shè)置的多個(gè)膜層對，膜層對第一個(gè)防止介質(zhì)層和柵極層，包括各雙膜形成多個(gè)臺(tái)階。
2023-10-30 11:32:241656 
非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:152049 
據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報(bào)道，該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并預(yù)計(jì)于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅(jiān)實(shí)步伐，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:111743 NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展等幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913061 NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器，具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)點(diǎn)的詳細(xì)闡述，并簡要探討與其他類型存儲(chǔ)器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441952 近日，武漢光谷企業(yè)新存科技（武漢）有限責(zé)任公司（簡稱“新存科技”）宣布，其自主研發(fā)的國產(chǎn)最大容量新型三維存儲(chǔ)器芯片“NM101”已成功面世。這一創(chuàng)新成果有望打破國際巨頭在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域的長期壟斷，為國產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的發(fā)展注入新的活力。
2024-10-09 16:53:552590 競爭對手，并且兩款產(chǎn)品均已獲得主流控制器廠商驗(yàn)證。 長江存儲(chǔ)X2-6070 128L QLC 1.33Tb NAND Flash，來源：長江存儲(chǔ) 據(jù)報(bào)道，長江存儲(chǔ)128層NAND閃存將于最晚明年上半年
2020-04-14 09:17:336072 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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