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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣
位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項(xiàng)目之一,也是中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAN...
DRAM和NAND Flash優(yōu)缺勢對比,到底誰的市場應(yīng)用量會更大?
隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起,對于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流,但DRAM的讀寫速度快無法長...
美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨
美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師...
三星電子速轉(zhuǎn)向3D NAND 正在向半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司靠攏
三星電子內(nèi)存解決方案的需求,隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND,尤其是TLC 3D NAND,于三星半導(dǎo)體是拉動(dòng)三星營收和利潤的關(guān)鍵...
“從芯到云”,紫光集團(tuán)正意圖在存儲產(chǎn)業(yè)構(gòu)建一個(gè)千億美元帝國
半導(dǎo)體行業(yè)觀察:“從芯到云”,趙偉國治下的紫光集團(tuán)正意圖在存儲產(chǎn)業(yè)構(gòu)建一個(gè)千億美元帝國。
NAND Flash雖然價(jià)格一直下跌,但未來市場前景良好
據(jù)報(bào)道,經(jīng)過長達(dá)一年半時(shí)間的猛漲后,部分內(nèi)存芯片的價(jià)格突然下跌,之后韓國三星電子發(fā)布令人失望的2017年盈利預(yù)估,讓那些押注芯片繁榮還會至少持續(xù)一年的...
存儲器廠積極擴(kuò)增產(chǎn)能,NAND Flash或?qū)⒊蔀榘雽?dǎo)體行業(yè)2018年的主戰(zhàn)場
國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)3日提出,繼移動(dòng)裝置后,物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動(dòng)通訊(5G )擴(kuò)增實(shí)境(AR)/虛擬實(shí)境(VR)及人工智慧(AI)將為半...
紫光與光寶聯(lián)手,計(jì)劃2018實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)3D閃存SSD量產(chǎn)
據(jù)報(bào)道,本月12日,光寶科技與中國紫光集團(tuán)共同宣布成立存儲合資公司,項(xiàng)目在蘇州簽約,總資本額1億美元,其中紫光占比55%,光寶45%。
NAND閃存將達(dá)到穩(wěn)態(tài)局面,供給產(chǎn)能將提升42.9%
今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài),主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,低于預(yù)期。
2018年三星將其生產(chǎn)比重提升至90%以上,三星全面進(jìn)入3D NAND時(shí)代
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重,傳已在2017年第4季突破80%,三星計(jì)劃除了部分車用產(chǎn)品外,2018年將進(jìn)...
NAND閃存和DRAM市況不同調(diào),內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強(qiáng)勢表現(xiàn)
內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析,儲存型閃存(NAND Flash)和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探,但DRA...
關(guān)于ClearNAND閃存的系統(tǒng)詳解
過去,ECC一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體數(shù)據(jù)可靠性。但是,隨著NAND單元不斷縮小,每個(gè)浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來越少。因此,為彌補(bǔ)更小的存儲...
存儲容量需求大增,推動(dòng)了3D NAND儲存的發(fā)展
以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機(jī)已無法滿足當(dāng)前由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的新興移動(dòng)應(yīng)用需求,從而為3D NAND快閃存儲器的進(jìn)展鋪路… 智能手機(jī)使用者不斷...
SK Hynix的72L NAND快閃存儲器與各家64L的對比分析詳解
在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND快閃存儲器中,所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)兩極分化 DRAM無新增產(chǎn)能 NAND需求極增
2017年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一場大動(dòng)亂,2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)向也會有所變化,據(jù)悉,DRAM熱度可望延續(xù)依然存在,但是2018年DRAM并無新增產(chǎn)能,同時(shí)服務(wù)...
當(dāng)你與一位半導(dǎo)體存儲器行業(yè)的老投資者交談時(shí),你會看到,他面對這個(gè)模棱兩可行業(yè)所表現(xiàn)出的冷靜態(tài)度。因?yàn)槠茐睦麧櫟囊蛩乜偸谴嬖?,而一些因素可能會壓倒你在?..
2018-06-06 標(biāo)簽:NAND 724 0
長江存儲32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)
NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片,國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國產(chǎn)NAND閃存目...
以全球存儲芯片市場前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示,三星的全球內(nèi)存市場占有率為46%,閃存市場占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場占有率為29...
東芝內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)或走單獨(dú)IPO渠道
1月22日消息,據(jù)英國《金融時(shí)報(bào)》周一報(bào)道,如果東芝向貝恩資本出售價(jià)值180億美元的芯片業(yè)務(wù)不能在3月底前獲得反壟斷批準(zhǔn),那么東芝就考慮將其存儲芯片業(yè)務(wù)...
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