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nand

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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

對(duì)于2017半導(dǎo)體設(shè)備的總結(jié)以及2018半導(dǎo)體設(shè)備的預(yù)測(cè)

對(duì)于2017半導(dǎo)體設(shè)備的總結(jié)以及2018半導(dǎo)體設(shè)備的預(yù)測(cè)

半導(dǎo)體行業(yè)觀察:得益于儲(chǔ)存芯片和邏輯芯片對(duì)10 / 7nm先進(jìn)工藝的強(qiáng)勁需求,早些的預(yù)測(cè)都看好2018年半導(dǎo)體設(shè)備的穩(wěn)健增長(zhǎng)。

2017-12-29 標(biāo)簽:nand 8548 0

內(nèi)存市場(chǎng)狀況分析:2018年DRAM持續(xù)吃緊 NAND將供過(guò)于求

近一年來(lái)了內(nèi)存價(jià)格的起伏不定,準(zhǔn)確的說(shuō)是水漲船高,明年的市場(chǎng)狀況又將迎來(lái)如何的轉(zhuǎn)變。據(jù)悉明年上半年DRAM將持續(xù)吃緊、NAND恐供大于求。

2017-12-25 標(biāo)簽:dramnand 1342 0

美光財(cái)報(bào)公布:超出預(yù)期,盤(pán)后大漲5%

美光財(cái)報(bào)公布:超出預(yù)期,盤(pán)后大漲5%

受益于DRAM 與 NAND 快閃存儲(chǔ)器的供求和價(jià)格的上漲,美國(guó)存儲(chǔ)器廠家美光本季度中EPS 財(cái)測(cè)超標(biāo)。據(jù)悉,盤(pán)后大漲超過(guò) 5%。

2017-12-20 標(biāo)簽:dramnand美光 708 0

NAND供貨持續(xù)吃緊 價(jià)格難以回歸平衡

NAND的價(jià)格在近幾年來(lái)都是水漲船高的局勢(shì),隨著三星和SK海力士宣布繼續(xù)投產(chǎn),預(yù)估明年DRAM仍舊是供貨吃緊,因此DRAM價(jià)格下修的可能性也會(huì)很低。

2017-12-18 標(biāo)簽:dramnand三星電子 685 0

京東方或稱(chēng)為中版LG三星,中韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)明年爆發(fā)

中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的很快,韓國(guó)憂心大陸發(fā)展半導(dǎo)體動(dòng)態(tài),他們認(rèn)為京東方就是中國(guó)版LG、三星。中韓半導(dǎo)體將在明年打響全面戰(zhàn)爭(zhēng)。

2017-12-08 標(biāo)簽:nand三星電子京東方 1101 0

DRAM、NAND閃存芯片供不應(yīng)求,三星Q4營(yíng)利980億元

內(nèi)存/SSD齊漲價(jià)模式還沒(méi)有叫停,供求還在不斷地增加,三星計(jì)劃增產(chǎn)內(nèi)存來(lái)解決明年內(nèi)存市場(chǎng)短缺的問(wèn)題。據(jù)報(bào)道,受內(nèi)存/SSD齊漲價(jià)影響,三星Q4利潤(rùn)預(yù)計(jì)暴...

2017-12-08 標(biāo)簽:dramnand三星電子 883 0

三星增產(chǎn)NAND,分析師預(yù)測(cè)明年內(nèi)存將供過(guò)于求

IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879...

2017-12-06 標(biāo)簽:dramnand三星電子 637 0

NAND Flash復(fù)蘇第4季已有放緩,iPhone X下一季度需求也將減少

集微網(wǎng)消息,大摩26日出具一份有關(guān)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的中型報(bào)告指出,NAND及亞洲半導(dǎo)體廠過(guò)去以來(lái),受惠龐大需求揚(yáng)升及強(qiáng)勢(shì)定價(jià)能力的好光景即將觸頂,因此,現(xiàn)階...

2017-11-27 標(biāo)簽:NAND臺(tái)積電 585 0

三星、NAND先后延遲投產(chǎn),對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備市況是個(gè)很大的沖擊

三星電子、NAND型快閃存儲(chǔ)器商今(2018)年紛紛延遲投產(chǎn),分析師擔(dān)憂這恐怕會(huì)沖擊明年的半導(dǎo)體設(shè)備市況。

2018-07-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NAND三星電子 1077 0

三星持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)3D NAND,需求上漲但價(jià)格可能會(huì)繼續(xù)下降

在持續(xù)一年半的漲價(jià)之后,閃存價(jià)格終于止住步伐。在今年年初和Q1季度,其價(jià)格開(kāi)始逐漸松動(dòng)并開(kāi)始下滑,在Q2季度達(dá)到了一段時(shí)間內(nèi)比較理想的價(jià)格,大品牌的固...

2018-07-20 標(biāo)簽:閃存NAND三星電子 407 0

美光工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)卡microSD:采用64層3D TLC NAND技術(shù),專(zhuān)業(yè)視頻監(jiān)控場(chǎng)景設(shè)計(jì)

美光推出128GB和256GB的工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)卡microSD,并與多家視頻監(jiān)控解決方案提供商合作推廣監(jiān)控級(jí)邊緣存儲(chǔ)。

2018-07-20 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)美光 1693 0

隨著智能手機(jī)用戶(hù)基礎(chǔ)持續(xù)擴(kuò)大,3D NAND已經(jīng)解決不了手機(jī)內(nèi)存不足問(wèn)題

隨著智能手機(jī)用戶(hù)基礎(chǔ)持續(xù)擴(kuò)大,3D NAND已經(jīng)解決不了手機(jī)內(nèi)存不足問(wèn)題

3D NAND克服了與2D平面NAND微縮有關(guān)的挑戰(zhàn),在嵌入于智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備時(shí),能夠大幅改善內(nèi)存級(jí)儲(chǔ)存,并因應(yīng)在儲(chǔ)存容量方面的巨大成長(zhǎng)潛力,加速智...

2018-07-14 標(biāo)簽:NAND3D 1669 0

NAND閃存市場(chǎng)回暖,CAPEX比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上

NAND閃存市場(chǎng)回暖,CAPEX比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上

近日,據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè),2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上,從2017年的220億...

2018-07-14 標(biāo)簽:閃存NAND3D 646 0

3D NAND產(chǎn)能增長(zhǎng)迅速,SSD價(jià)格跌至歷史谷底

2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年,主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重,而且相較于2...

2018-07-16 標(biāo)簽:NANDSSD 850 0

Q3季度NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑,2020年NAND市場(chǎng)或?qū)⑦M(jìn)行大洗牌

今年Q1季度到Q2季度以來(lái),NAND閃存價(jià)格一直在下滑,市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了,本來(lái)預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋(píng)果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升,藉此提振下NAND價(jià)格,不...

2018-07-17 標(biāo)簽:閃存NAND 932 0

蘋(píng)果計(jì)劃從長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購(gòu)其N(xiāo)AND芯片,長(zhǎng)江存儲(chǔ)迎來(lái)重大收獲

北京時(shí)間2月14日晚間消息,據(jù)報(bào)道,蘋(píng)果公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“蘋(píng)果”)正與中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司談判,希望采購(gòu)其N(xiāo)AND閃存芯片用于iPhone。

2018-07-19 標(biāo)簽:NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1152 0

NAND閃存市場(chǎng)將繼續(xù)供過(guò)于求,2018年第二季度SSD價(jià)格可能會(huì)下降10%或更多

根據(jù)TrendForce Corp.旗下DRAMeXchange的報(bào)告顯示,近年來(lái),隨著數(shù)據(jù)中心,人工智能,大數(shù)據(jù),5G和邊緣計(jì)算的發(fā)展,企業(yè)SSD市...

2018-07-18 標(biāo)簽:閃存NANDSSD 591 0

內(nèi)存瘋狂漲價(jià)背后的原因,擴(kuò)產(chǎn)后漲勢(shì)繼續(xù)

內(nèi)存瘋狂漲價(jià)背后的原因,擴(kuò)產(chǎn)后漲勢(shì)繼續(xù)

 我們看過(guò)很多關(guān)于存儲(chǔ)器價(jià)格暴漲的新聞,三家DRAM供應(yīng)商也都曾明確表示自己的態(tài)度。三星表示2018年DRAM產(chǎn)能增長(zhǎng)不會(huì)超過(guò)20%,需求量卻要增長(zhǎng)25...

2017-11-20 標(biāo)簽:dramnand三星電子 2042 0

SSD出貨量大幅度下滑,PCI-E SSD卻增長(zhǎng)15.6%

總體而言,企業(yè)級(jí)SSD市場(chǎng)出貨量環(huán)比下跌7%,其中只有PCI-E SSD大幅增長(zhǎng)了15.6%,顯示行業(yè)正在迅速告別SATA時(shí)代,但目前SATA SSD仍...

2017-11-17 標(biāo)簽:東芝nand三星電子 1218 0

基于存儲(chǔ)器映射的有限狀態(tài)機(jī)邏輯實(shí)現(xiàn)方法

基于存儲(chǔ)器映射的有限狀態(tài)機(jī)邏輯實(shí)現(xiàn)方法

在FPGA對(duì)Flash控制操作中,有限狀態(tài)機(jī)(Finite State Machine,F(xiàn)SM)與多進(jìn)程描述方式相比有著層次分明、結(jié)構(gòu)清晰、易于修改和移...

2017-11-17 標(biāo)簽:nandflashfsm 3812 0

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    富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力,致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)(東京證券交易所上市代碼:6702)截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元(400億美元)。
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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