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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>存儲(chǔ)容量需求大增,推動(dòng)了3D NAND儲(chǔ)存的發(fā)展

存儲(chǔ)容量需求大增,推動(dòng)了3D NAND儲(chǔ)存的發(fā)展

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一文讀懂3D NAND存儲(chǔ)器進(jìn)化史

通過(guò)3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來(lái),促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
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3D 旗幟動(dòng)畫(huà)制作小軟件

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NAND FLASH的現(xiàn)狀與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

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存儲(chǔ)器和儲(chǔ)存有什么不同?

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存儲(chǔ)容量疑問(wèn)

`***的存儲(chǔ)矩陣,怎么存儲(chǔ)容量是16K*32的?一個(gè)字不是應(yīng)該等于兩個(gè)字節(jié)的嗎?為什么這里是四個(gè)字節(jié)?`
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Altium designer summer 09 怎么建立3D庫(kù),及PCB怎么導(dǎo)出3D圖,請(qǐng)教各位前輩們
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DSP--如何計(jì)算DDR存儲(chǔ)容量

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S29GL512S11DHIV10閃存芯片S29GL512S10GHI010

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2010-01-09 09:35:281840

NAS網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的最大存儲(chǔ)容量

NAS網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的最大存儲(chǔ)容量             最存儲(chǔ)存儲(chǔ)容量是指NAS存儲(chǔ)設(shè)備所能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)容量的極限,通俗的講,就是NA
2010-01-09 10:27:542196

外置及共享硬盤(pán)的存儲(chǔ)容量

外置及共享硬盤(pán)的存儲(chǔ)容量              硬盤(pán)的容量是以MB(兆)和GB(千兆)為單位的,早期的硬盤(pán)容量低下,大
2010-01-09 14:11:31586

IP網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)存儲(chǔ)容量

IP網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)存儲(chǔ)容量              設(shè)備可以安裝的硬盤(pán)設(shè)備的總容量值,目前一般為單塊400G的硬盤(pán),根據(jù)設(shè)備上的
2010-01-09 14:28:581063

移動(dòng)硬盤(pán)的存儲(chǔ)容量

移動(dòng)硬盤(pán)的存儲(chǔ)容量             移動(dòng)硬盤(pán)以硬盤(pán)為存儲(chǔ)介制,因此其存儲(chǔ)容量就是其內(nèi)部硬盤(pán)的存儲(chǔ)容量。移動(dòng)硬盤(pán)存
2010-01-09 14:38:561506

什么是U盤(pán)的存儲(chǔ)容量

什么是U盤(pán)的存儲(chǔ)容量     存儲(chǔ)容量是指該便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最大所能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量,是便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最為關(guān)鍵的參數(shù)。一般
2010-01-30 10:25:101177

什么是MP3存儲(chǔ)容量

什么是MP3存儲(chǔ)容量     容量是MP3播放器的關(guān)鍵指標(biāo)之一,本機(jī)容量即為MP3播放器的內(nèi)置內(nèi)存(Flash Memory)的容量大小,存
2010-01-30 10:39:00993

便攜存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量

便攜存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量            存儲(chǔ)容量是指該便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最大所能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量,是便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最為關(guān)鍵的參數(shù)。一
2010-01-09 14:51:31709

3D NAND路線(xiàn)圖#硬聲創(chuàng)作季

3D
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-11-20 21:02:09

3D NAND的微觀(guān)構(gòu)造#硬聲創(chuàng)作季

3D
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-11-20 21:23:10

4K攝影、3D游戲、高清視頻應(yīng)用促移動(dòng)設(shè)備高存儲(chǔ)容量需求

隨著手機(jī)等移動(dòng)終端設(shè)備集成4K攝影、4K高清顯示、3D投影/游戲等高端功能,個(gè)人終端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)資料的信息量正以爆發(fā)式的速度在增長(zhǎng),這對(duì)存儲(chǔ)容量需求提出了挑戰(zhàn)。
2014-09-24 14:02:48647

512GB存儲(chǔ)容量的蘋(píng)果iPhone 8來(lái)了?

11月21日消息,目前蘋(píng)果iPhone手機(jī)最高存儲(chǔ)容量為256GB?,F(xiàn)在有微博網(wǎng)友爆料,蘋(píng)果將在明年將iPhone8高配版存儲(chǔ)容量升級(jí)為512GB。
2016-11-21 17:54:062531

微云容量驟減!騰訊宣布普通用戶(hù)存儲(chǔ)容量縮減為10G

騰訊微云昨日夜間發(fā)布公告,宣布普通用戶(hù)的免費(fèi)存儲(chǔ)容量縮小為10G,原存儲(chǔ)文件已超過(guò)10G的普通用戶(hù),仍然可以下載和訪(fǎng)問(wèn)文件,但上傳新文件將受到限制。會(huì)員存儲(chǔ)容量不變,微云會(huì)員需要單獨(dú)購(gòu)買(mǎi),目前售價(jià)10元每月,擁有4T的存儲(chǔ)空間。
2016-12-16 10:02:471579

視頻監(jiān)控錄像存儲(chǔ)容量計(jì)算器V1.0

視頻監(jiān)控錄像存儲(chǔ)容量計(jì)算器V1.0
2016-12-23 02:42:460

有哪些應(yīng)用領(lǐng)域推動(dòng)了3D NAND/SSD的需求增長(zhǎng)?

物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展導(dǎo)致無(wú)論消費(fèi)性電子、企業(yè)、工業(yè)、汽車(chē)市場(chǎng)對(duì)SSD的需求都急速攀升,為NAND Flash內(nèi)存、控制芯片、SSD模塊等供應(yīng)鏈業(yè)者帶來(lái)絕佳的成長(zhǎng)機(jī)會(huì),本活動(dòng)邀集SSD領(lǐng)域重要廠(chǎng)商, 前瞻未來(lái)技術(shù)規(guī)格的演進(jìn)與市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)。
2018-07-06 12:09:001472

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專(zhuān)利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線(xiàn)建置

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專(zhuān)利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線(xiàn)建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185

鋰氧電池技術(shù)獲重大突破 電子存儲(chǔ)容量將翻番

據(jù)外媒報(bào)道,加拿大滑鐵盧大學(xué)Linda Nazar教授宣布,其研究團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)四電子轉(zhuǎn)換,該技術(shù)將實(shí)現(xiàn)鋰-氧電池的電子存儲(chǔ)容量翻番。
2018-09-18 15:19:00583

華為Mate20系列產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量規(guī)格參數(shù)披露

華為Mate20系列產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量是什么樣的,從工信部官網(wǎng)披露的消息看,該系列最高提供8+512GB的存儲(chǔ)
2018-09-30 11:21:5619785

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

3D NAND Flash 作為新一代的存儲(chǔ)產(chǎn)品,受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注!但目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron
2018-10-08 15:52:39395

隨著需求的上升,提高3D NAND的性能、可靠性和良率勢(shì)在必行

演進(jìn)已滿(mǎn)足對(duì)存儲(chǔ)容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求,而且此技術(shù)已經(jīng)驗(yàn)證,可提供高性能,低功耗,并和以前的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)相比,每存儲(chǔ)單位比特成本更低,其價(jià)值不言而喻。
2018-10-21 10:09:06955

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專(zhuān)有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661

嵌入式系統(tǒng)的復(fù)雜性推動(dòng)了什么的發(fā)展

隨著時(shí)間的推移,對(duì)可移植性的需求推動(dòng)了新開(kāi)放標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展。
2019-09-12 16:46:52460

美光發(fā)布新款存儲(chǔ)卡,最大存儲(chǔ)容量可達(dá)1TB

美光宣布推出一系列全新micro SD存儲(chǔ)卡,稱(chēng)為i300系列,其容量從32GB到1TB不等,以滿(mǎn)足視頻監(jiān)控市場(chǎng)和其他工業(yè)應(yīng)用的邊緣存儲(chǔ)需求,其中具有最大存儲(chǔ)容量的型號(hào)是美光i3001TB3microSDXC UHS-I,可容納1TB數(shù)據(jù),是所有micro SD卡的最高容量。
2019-11-19 10:40:191045

群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠(chǎng)商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展

NAND 應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:132330

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:443030

以SRAM芯片為例系統(tǒng)介紹常用的擴(kuò)充存儲(chǔ)容量的方法

且速度更快,但是更加的昂貴,集成度不如DRAM高。 在實(shí)際應(yīng)用中的存儲(chǔ)器所需要的容量通常比所生產(chǎn)的芯片容量大得多,所以需要對(duì)多芯片進(jìn)行組合以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)充。本文以SRAM芯片為例系統(tǒng)介紹常用的擴(kuò)充存儲(chǔ)容量的方法。 通常微處理器的
2020-12-06 09:48:005684

不要過(guò)于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

NAND應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND,氧化層越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率? 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:492766

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲(chǔ)廠(chǎng)商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀(guān)景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659

磁盤(pán)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量怎么算

磁盤(pán)存儲(chǔ)器是以磁盤(pán)為存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)器,它具備數(shù)據(jù)傳輸率高、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可以長(zhǎng)期保存以及存儲(chǔ)容量大的優(yōu)點(diǎn),那么一個(gè)磁盤(pán)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量應(yīng)該怎么去計(jì)算它的大小呢?
2022-01-29 16:37:0011406

制造商推動(dòng)3D NAND閃存的進(jìn)一步發(fā)展

  全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)通過(guò)許多發(fā)展得到滿(mǎn)足,不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上,尤其是通過(guò) 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT)、智能工廠(chǎng)、自動(dòng)駕駛汽車(chē)和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展,這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:25703

利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問(wèn)題

  隨著對(duì)新特性和功能需求的增加,大容量存儲(chǔ)在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長(zhǎng)。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過(guò)增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠
2022-10-14 11:08:38523

利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問(wèn)題

隨著對(duì)新特性和功能需求的增加,大容量存儲(chǔ)在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長(zhǎng)。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過(guò)增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應(yīng)對(duì)
2022-10-24 15:24:53338

三星第8代V-NAND已開(kāi)始量產(chǎn)

市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)需求,推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術(shù),減少表面積并降低高度,同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿(mǎn)足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案,有望成為未來(lái)存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:55448

詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)

在20nm 工藝節(jié)點(diǎn)之后,傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲(chǔ)器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量,NAND集成工藝開(kāi)始向三維堆疊方向發(fā)展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:578266

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲(chǔ)容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729

東京電子3D NAND蝕刻新技術(shù)或挑戰(zhàn)泛林市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

據(jù)悉,東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開(kāi)發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法,該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand存儲(chǔ)容量可以通過(guò)將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來(lái)增加,如果層數(shù)增加,就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368

關(guān)于SRAM存儲(chǔ)容量及基本特點(diǎn)

通常我們將存儲(chǔ)容量表示為:字?jǐn)?shù)X位數(shù),比如64KX8位,其含義為,以8位構(gòu)成一個(gè)字,一共有64個(gè)字。這個(gè)概念要相當(dāng)熟悉,后面理解題目很有用。
2024-01-09 14:54:25225

索尼半導(dǎo)體激光器技術(shù)實(shí)現(xiàn)大容量機(jī)械硬盤(pán)存儲(chǔ)容量翻番

近期,據(jù)外媒報(bào)道,索尼已順利推出適用于大容量機(jī)械硬盤(pán)的半導(dǎo)體激光器技術(shù),該技術(shù)促使硬盤(pán)存儲(chǔ)容量翻番,將3.5英寸硬盤(pán)的儲(chǔ)存空間提升至30TB,相較現(xiàn)有的同類(lèi)產(chǎn)品容量提升近乎兩倍。
2024-02-19 16:38:55483

有了2D NAND,為什么要升級(jí)到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲(chǔ)器)的一種。
2024-03-17 15:31:39279

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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