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標簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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西部數(shù)據(jù)推出X4 3D NAND技術(shù)、進一步強化其在X4 2D NAND技術(shù)多級單元存儲領(lǐng)域業(yè)界領(lǐng)導地位
2017年7月27日,北京—西部數(shù)據(jù)公司(NASDAQ: WDC)今天宣布,該公司已成功開發(fā)用于64層3D NAND (BiCS3)的X4閃存。在西部數(shù)...
2017-07-26 標簽:nand西部數(shù)據(jù) 1.2k 0
盧志遠分析,NOR型快閃存儲器市場有同業(yè)退出,整體供給保守,需求又明顯成長下,明年供需吃緊狀況還可能加劇。至于大陸擴產(chǎn)主要是供應低端市場,對旺宏不會有所影響。
2015年底,紫光國芯推出800億元定增計劃,宣布將募集資金投入存儲芯片工廠、收購力成/南茂各25%股權(quán)以及對芯片產(chǎn)業(yè)鏈上下游公司的收購。這已經(jīng)是紫光國...
電子發(fā)燒友早八點訊:7月6日,蘋果當前的芯片供應商在供應2017年新版iPhone系列手機所需的NAND芯片方面面臨供貨不足的問題,為此,蘋果不得不將三...
成本上漲 內(nèi)存、閃存過去半年漲價有多狠?沒法直視 看完徹底不想買了
上半年即將過完,而在今年這波漲價大潮中,內(nèi)存、閃存到底漲價有多狠呢?讓人簡直沒法直視,前者價價狂漲39%,而后者也漲了21%。
據(jù)報道,備受關(guān)注的iPhone8將在今年后半年發(fā)布,這款十年紀念版手機帶給我們多大的驚喜我們還不知道,但是人們對它充滿了期待!同時,iPhone8的發(fā)布...
電子發(fā)燒友早八點訊:據(jù)路透社報道, 美國蘋果公司將在今年晚些時候推出新款iPhone,這或?qū)⒘钊蛴洃浶酒M一步趨緊?;谶@種情況,全球電子產(chǎn)品制造...
三星量產(chǎn)全球最快3D NAND閃存 64層速率高達1Gbps
電子發(fā)燒友早八點訊:三星今天在韓國宣布,開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND閃存芯片,是為第四代3D閃存。
目前閃存市場老大依然是三星,市場份額35.4%,今年Q1營收42.156億美元,西數(shù)、東芝、美光、SK Hynix、Intel緊隨其后,市場份額分別是1...
根據(jù)外資的報告指出,NAND Flash 的產(chǎn)能問題,2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會在下半年量產(chǎn) 64 層,以及 72 層堆...
2017-05-24 標簽:NAND存儲器NAND_Flash 1.5k 0
iPhone8將入門版本內(nèi)存提高至128G?蘋果狂買NAND閃存
已經(jīng)有不少消息顯示,蘋果要在今年推出三款iPhone,分別是iPhone 7S、7S Plus和iPhone 8,如何讓三款新機區(qū)分的更徹底呢,外形恐怕...
紫光遭難,各方人馬搶翻天!為何日本拒絕給武漢新芯供貨硅晶圓?
全球硅晶圓缺貨嚴重,已成為半導體廠營運成長瓶頸,后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火,半導體業(yè)者透露,日本硅晶圓大廠Sumco決定砍掉大陸NORFlash廠武漢新...
存儲芯片被少數(shù)國際大廠壟斷 中國廠商如何破除困局?
而存儲芯片價格之所以持續(xù)攀升,除了國外大廠因為技術(shù)升級出現(xiàn)意外導致產(chǎn)能吃緊之外,中國存儲芯片基本依賴進口也是存儲芯片大幅漲價的原因。存儲芯片市場被少數(shù)國...
三星韓國NAND存儲器新廠進度順利 2017上半年投產(chǎn)
三星電子周二宣布,位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利,將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。
傳東芝半導體設(shè)投資條款 高達10家以上企業(yè)有意愿
鴻海董事長郭臺銘日前表示,非常有誠意、也非常有信心入股東芝(Toshiba)計劃分拆出去的半導體事業(yè)新公司。不過郭董恐要面對非常多的對手,據(jù)悉有高達 1...
DRAM、NAND、AMOLED面板三大零組件影響手機廠獲利能力
智能手機關(guān)鍵零組件于 2016 下半年開始供應吃緊導致漲價,至 2017 年第一季傳統(tǒng)淡季的行情也逆勢上揚。全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢(TrendFor...
內(nèi)存市場日益擴大,研調(diào)機構(gòu) IC Insights 最新報告預測,DRAM 與 NAND 閃存等,未來 5 年年均復合增長率(CAGR)可達 7.3%,...
IC Insights最新報告預測,DRAM與NAND快閃存儲器等,未來五年年均復合增長率(CAGR)可達7.3%,產(chǎn)值將從去年的773億美元擴增至1,...
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