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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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根據(jù)外資的報(bào)告指出,NAND Flash 的產(chǎn)能問題,2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會在下半年量產(chǎn) 64 層,以及 72 層堆...
2017-05-24 標(biāo)簽:NAND存儲器NAND_Flash 1.5k 0
iPhone8將入門版本內(nèi)存提高至128G?蘋果狂買NAND閃存
已經(jīng)有不少消息顯示,蘋果要在今年推出三款iPhone,分別是iPhone 7S、7S Plus和iPhone 8,如何讓三款新機(jī)區(qū)分的更徹底呢,外形恐怕...
紫光遭難,各方人馬搶翻天!為何日本拒絕給武漢新芯供貨硅晶圓?
全球硅晶圓缺貨嚴(yán)重,已成為半導(dǎo)體廠營運(yùn)成長瓶頸,后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火,半導(dǎo)體業(yè)者透露,日本硅晶圓大廠Sumco決定砍掉大陸NORFlash廠武漢新...
存儲芯片被少數(shù)國際大廠壟斷 中國廠商如何破除困局?
而存儲芯片價(jià)格之所以持續(xù)攀升,除了國外大廠因?yàn)榧夹g(shù)升級出現(xiàn)意外導(dǎo)致產(chǎn)能吃緊之外,中國存儲芯片基本依賴進(jìn)口也是存儲芯片大幅漲價(jià)的原因。存儲芯片市場被少數(shù)國...
三星韓國NAND存儲器新廠進(jìn)度順利 2017上半年投產(chǎn)
三星電子周二宣布,位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利,將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。
傳東芝半導(dǎo)體設(shè)投資條款 高達(dá)10家以上企業(yè)有意愿
鴻海董事長郭臺銘日前表示,非常有誠意、也非常有信心入股東芝(Toshiba)計(jì)劃分拆出去的半導(dǎo)體事業(yè)新公司。不過郭董恐要面對非常多的對手,據(jù)悉有高達(dá) 1...
2017-03-09 標(biāo)簽:NAND快閃存儲器東芝半導(dǎo)體 1.2k 0
DRAM、NAND、AMOLED面板三大零組件影響手機(jī)廠獲利能力
智能手機(jī)關(guān)鍵零組件于 2016 下半年開始供應(yīng)吃緊導(dǎo)致漲價(jià),至 2017 年第一季傳統(tǒng)淡季的行情也逆勢上揚(yáng)。全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(TrendFor...
SSD漲價(jià)步伐不停 漲幅超50% 還將繼續(xù)
自2016年5月SSD開始漲價(jià)以來,120GB的TLC SSD已經(jīng)從25美元上漲到37.5美元,漲幅50%;而240GB的TLC SSD已經(jīng)從44美元上...
Gartner高級研究分析師David Christensen表示,2016年,NAND資本支出增加了31億美元,多個(gè)與晶圓廠設(shè)備相關(guān)的細(xì)分市場展現(xiàn)出高...
內(nèi)存市場日益擴(kuò)大,研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測,DRAM 與 NAND 閃存等,未來 5 年年均復(fù)合增長率(CAGR)可達(dá) 7.3%,...
IC Insights:智能機(jī)帶動(dòng)存儲器未來五年最看俏
IC Insights最新報(bào)告預(yù)測,DRAM與NAND快閃存儲器等,未來五年年均復(fù)合增長率(CAGR)可達(dá)7.3%,產(chǎn)值將從去年的773億美元擴(kuò)增至1,...
2017年存儲器市場規(guī)模將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元
IC Insights預(yù)計(jì)2017年存儲器價(jià)格還將上漲,從而推動(dòng)全球存儲器市場規(guī)模達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元,同比增長10%。該機(jī)構(gòu)同時(shí)認(rèn)為,今后幾年存儲...
2017年NAND產(chǎn)能成長有限、價(jià)格走揚(yáng)
017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。
2016-12-23 標(biāo)簽:NANDNAND Flash3D-NAND 846 0
福建晉華集成則與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定,由聯(lián)電協(xié)助其生產(chǎn)利基型DRAM。目前新建的12英寸廠房已經(jīng)動(dòng)工,初步產(chǎn)能規(guī)劃每月6萬片,估計(jì)2017年年底完成技術(shù)...
2016-12-06 標(biāo)簽:NAND存儲器紫光集團(tuán) 727 0
存儲器芯片價(jià)格上揚(yáng) 中國強(qiáng)“芯”補(bǔ)短板芯片
存儲器芯片是智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品所不可或缺的關(guān)鍵器件,主要功能是存儲程序和各種數(shù)據(jù),并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過程中高速、自動(dòng)地完成程...
IBS塬本預(yù)測今年芯片產(chǎn)業(yè)將衰煺1.5%,現(xiàn)在認(rèn)為2016年芯片產(chǎn)業(yè)成長率為0.2%。又有一家市場研究機(jī)構(gòu)調(diào)升了對2016與2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長率的...
在IC設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試多個(gè)領(lǐng)域齊頭并進(jìn)的時(shí)候,中國半導(dǎo)體將觸角伸向了存儲領(lǐng)域,相信這是引致這次韓國成立半導(dǎo)體基金的主要誘因。
手機(jī)熱銷帶旺NAND價(jià)格走高 三星東芝擴(kuò)產(chǎn)能應(yīng)對
日經(jīng)新聞2016年10月29日報(bào)導(dǎo),使用于智能手機(jī)、存儲卡的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)批發(fā)價(jià)格進(jìn)一步走升,10月份指標(biāo)性產(chǎn)品MLC...
NAND價(jià)格兩年來首次突破3美元 三星產(chǎn)能全開追不上需求
報(bào)導(dǎo)指出,三星電子停產(chǎn)停售 Note 7,讓借此加強(qiáng)攻勢、擴(kuò)大市占率的中國智能手機(jī)廠需求急增,而各家內(nèi)存廠商雖已增產(chǎn)順應(yīng)、但仍追不上需求增加速度。日本三...
DRAM表現(xiàn)強(qiáng)勁 2016年IC市場營收將增長1%
市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告將對2016年全球半導(dǎo)體市場營收的成長率預(yù)測,由原先的-2%提升為1%;此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測,2016年全球IC出...
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