3D NAND閃存高密度技術(shù)正變得越來越激進(jìn)。3D NAND閃存密度和容量的提高主要通過增加垂直方向上堆疊的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量來實(shí)現(xiàn)。通過這種三維堆疊技術(shù)和多值存儲(chǔ)技術(shù)（用于在一個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)多個(gè)
2019-08-10 00:01:00
8135 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 平面技術(shù)，自19世紀(jì)以來一直在使用。 旺宏并未透露其3D NAND的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，但由于該公司通常為除顫器，無人機(jī)，
2019-12-14 09:51:295966 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢(shì)，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個(gè)領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào)，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
通過3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
盡管2018年下半閃存企業(yè)過得并不經(jīng)如意。但我們有理由相信，不止三星、東芝/西部數(shù)據(jù)（WD），美光、SK海力士等閃存企業(yè)在技術(shù)上的競(jìng)爭(zhēng)將越向趨于激烈。通過上述對(duì)三星和東芝/西部數(shù)據(jù)(WD）3D
2019-03-21 01:55:008407 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 BiCS5采用了廣泛的新技術(shù)和創(chuàng)新的制造工藝，是西部數(shù)據(jù)迄今為止最高密度、最先進(jìn)的3D NAND。
2020-02-10 19:46:291244 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上，除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:002956 
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
、再制造及延壽的增材制造技術(shù)等6大領(lǐng)域的31個(gè)正在實(shí)施的重點(diǎn)項(xiàng)目進(jìn)行了分析。??3D打印應(yīng)用范圍進(jìn)一步擴(kuò)展，由零部件擴(kuò)大到整機(jī)??3D打印技術(shù)已成為提高航天器設(shè)計(jì)和制造能力的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，其在航空航天
2019-07-18 04:10:28
的傳輸速率，更因簡(jiǎn)化了糾錯(cuò)算法，進(jìn)而降低了功耗，一舉數(shù)得。進(jìn)一步凸顯了成本效益。3D NAND FLASH是現(xiàn)在和未來，19nm 的2D NAND FLASH是過去和現(xiàn)在。目前，在車規(guī)的應(yīng)用中，旺宏有
2020-11-19 09:09:58
X4代V850 MCU D70f3506的部份數(shù)據(jù)讀取，有人有這個(gè)的手冊(cè)或資料。有償提供。
2017-11-20 15:30:17
:16264558TEL:*** 該工程包含了電機(jī)的幾何模型、運(yùn)動(dòng)和機(jī)械參數(shù)設(shè)置、材料屬性、鐵心損耗、以及電源與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置。在Maxwell中，通過電磁分析可以對(duì)RMxprt計(jì)算得到的參數(shù)進(jìn)一步細(xì)化，并提高其精度。
2014-06-13 17:09:22
CW32F003x3/x4 是基于 eFlash 的單芯片微控制器，集成了主頻高達(dá) 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲(chǔ)器（多至 20K 字節(jié) FLASH 和多至
2023-09-14 08:05:00
CW32F003x3/x4是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核
具有高達(dá)48 MHz的主頻率、高速嵌入式存儲(chǔ)器（高達(dá)20 KB的FLASH和
至3K字節(jié)
2023-09-14 08:16:19
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors），近日推出業(yè)界領(lǐng)先的QUBIC4 BiCMOS硅技術(shù)，鞏固了其在射頻領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，實(shí)現(xiàn)在高頻率上提供更優(yōu)的性能和更高集成度的同時(shí)，為客戶帶來成本
2019-07-12 08:03:23
，西部數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器類型還沒完全從2D NAND轉(zhuǎn)換成3D NAND，現(xiàn)在3D NAND只占總產(chǎn)量的65%，換言之西部數(shù)據(jù)生產(chǎn)的所有存儲(chǔ)器還有三分之一是2D NAND。?另外，在本月12號(hào)，西部數(shù)據(jù)宣布
2022-02-03 11:41:35
SSD產(chǎn)品。西部數(shù)據(jù)表示，成功研發(fā)出X4架構(gòu)的BiCS3代表著西部數(shù)據(jù)的一個(gè)重大進(jìn)展，也顯示我們在NAND Flash技術(shù)的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位，同時(shí)也使我們能夠?yàn)榭蛻籼峁└噙x擇的存儲(chǔ)解決方案。由于NAND
2022-02-04 10:27:01
的3D身體運(yùn)動(dòng)跟蹤技術(shù)有助于客戶為體育健身器材和醫(yī)療保健儀器以及游戲企業(yè)提供創(chuàng)新的解決方案。MEMS運(yùn)動(dòng)傳感時(shí)代即將來臨，我們將進(jìn)一步強(qiáng)化我們在市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。”可穿戴式無線3D運(yùn)動(dòng)跟蹤技術(shù)將會(huì)在采用云
2012-12-13 10:38:42
密度，制造商開發(fā)了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術(shù)，該技術(shù)將Z平面中的存儲(chǔ)單元堆疊在同一晶圓上。
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3D NAND, 即立體堆疊技術(shù)，如果把2D NAND看成平房，那么3D
2024-12-17 17:34:06
2.5V NAND，有效降低功耗，未來EDSFF將在散熱方面會(huì)有更杰出的表現(xiàn)，同時(shí)也希望對(duì)NAND進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化。長(zhǎng)江存儲(chǔ)：2019年量產(chǎn)64層3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05
半導(dǎo)體模型并將其投入生產(chǎn)實(shí)踐，尤其是3D器件結(jié)構(gòu)，使摩爾定律又持續(xù)了數(shù)十年。”2015年曾有報(bào)道稱，F(xiàn)inFET未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9nm。發(fā)展至今，我們也看到，F(xiàn)inFET技術(shù)仍然還被用于7nm中
2020-03-19 14:04:57
1024 X4位RAM（2114）的結(jié)構(gòu)框圖
2009-12-04 15:29:047166 
卓然為全球2D和3D電視市場(chǎng)進(jìn)一步提升突破性幀速率轉(zhuǎn)換器技術(shù)
第二代SupraFRC® 301處理器顯著提升視頻顯示質(zhì)量美國(guó)卓然公司（納
2010-11-17 15:04:04765 美國(guó)A4Vision（簡(jiǎn)稱A4）全球第一個(gè)推出了突破性的3D（三維）人臉生物識(shí)別技術(shù)和產(chǎn)品,在業(yè)界創(chuàng)造了領(lǐng)導(dǎo)地位。人的臉部并不是平坦的，因此3D人臉識(shí)別技術(shù)的算法比2D(二維)的算法有更高
2011-03-24 15:04:36
201 在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation， 納斯達(dá)克交易代碼： SIMO）今日宣布推出全球首款支持多家供應(yīng)商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。
2016-01-07 15:31:361712 據(jù)報(bào)道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個(gè)
2017-04-12 01:07:111359 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個(gè)新的研究報(bào)告中指出，這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 Motorola即將推出新款智能手機(jī)，根據(jù)報(bào)導(dǎo)最新消息指出Moto將在6月底發(fā)布共三款新手機(jī)，分別為Moto Z2 Force、Moto G5S以及Moto X4，其中Moto X4被認(rèn)為是一款中階智能手機(jī)，可為瞄準(zhǔn)中階手機(jī)的消費(fèi)者提供一個(gè)新選擇。
2017-06-12 15:53:061255 總的來說，速龍X4 950對(duì)比上一代的速龍的“升級(jí)”主要體現(xiàn)在：架構(gòu)上的微調(diào)，換了新AM4接口兼容新X370/B350主板，支持DDR4內(nèi)存和NVMe協(xié)議 SSD（M.2）。但CPU頻率下降，支持
2017-06-30 08:51:372988 的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 近日傳聞美光科技和英特爾的合作關(guān)系即將終止，主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">3D NAND技術(shù)還不適合目前的市場(chǎng)，后續(xù)有傳說英特爾要和紫光一起開發(fā)3D NAND芯片，具體情況如何還需要進(jìn)一步的考證。
2018-01-16 14:30:431661 關(guān)于四級(jí)單元閃存糾錯(cuò)問題的潛在解決方法。 與此前的平面NAND相比， 3D NAND 技術(shù)的運(yùn)用將使得錯(cuò)誤檢查代碼更易于實(shí)現(xiàn)，這也進(jìn)一步確定了容量提升的四級(jí)單元技術(shù)的可行性。 錯(cuò)誤檢查代碼（ECC
2018-01-25 22:30:39596 
； （2）成本只有DRAM的一半； （3）使用壽命是NAND的1000倍； （4）密度是傳統(tǒng)存儲(chǔ)的10倍； 而得益于這些優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint能被廣泛應(yīng)用在游戲、媒體制作、基因組測(cè)序、金融服務(wù)交易和個(gè)體化治療等領(lǐng)域。以上只是3D Xpoint的一些應(yīng)用示例。
2018-04-19 14:09:0052236 
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計(jì)劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進(jìn)一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進(jìn)入3D NAND時(shí)代。
2018-07-06 07:02:001447 NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng)，但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00800 3D NVM主要廠商產(chǎn)品路線圖近階段，3D非易失性存儲(chǔ)（NVM）領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，例如Western Digital（西部數(shù)據(jù)）收購了SanDisk，中國(guó)政府在存儲(chǔ)領(lǐng)域的大舉投資，以及Intel宣布Micron/Intel的合作將分道揚(yáng)鑣，以進(jìn)一步發(fā)展3D NAND。
2018-04-27 14:45:165236 
2018年5月22日—西部數(shù)據(jù)推出新款高性能NVMe SSD，Western Digital Black 3D NVMe SSD。這款固態(tài)硬盤采用西部數(shù)據(jù)自己研發(fā)的SSD控制器和NAND顆粒，可大大提升電腦應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)讀取速度，提升用戶的視頻、音頻及游戲體驗(yàn)。
2018-05-24 18:12:002104 無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，?guó)際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來說，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087 在寶馬X6上市后，便不難猜測(cè)到寶馬會(huì)推出X4了，比X6更年輕的定位更易于吸引主流消費(fèi)人群。借著國(guó)內(nèi)SUV市場(chǎng)的雄起，X4以跨界+Coupe的造型，在相比X3沒有損失太多通過性和空間的情況下，在同級(jí)車中占據(jù)著很大的優(yōu)勢(shì)。賣相之外，更好的操控性絕不會(huì)讓你認(rèn)為，這只是X3的換殼車。
2018-07-07 09:51:003600 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱，東芝存儲(chǔ)器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 在價(jià)格和競(jìng)爭(zhēng)壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競(jìng)爭(zhēng)下一代技術(shù)。
2018-08-27 16:27:189528 被三星超越，不過東芝在NAND及技術(shù)領(lǐng)域依然非常強(qiáng)大，很早就投入3D NAND研發(fā)了，2007年他們獨(dú)辟蹊徑推出了BiCS技術(shù)的3D NAND——之前我們也提到了，2D NAND閃存簡(jiǎn)單堆棧是可以
2018-10-08 15:52:39780 西部數(shù)據(jù)公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤（EFD），豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲(chǔ)存解決方案，
2018-10-18 16:52:411730 美國(guó)愛達(dá)荷州博伊西，2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司（納斯達(dá)克代碼：MU）今天宣布旗下 QLC（四級(jí)單元）NAND 技術(shù)提升市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位的進(jìn)一步舉措——其廣受歡迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301626 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 昨日，紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示，這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無到有的重大突破，也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697 一說到2D或者3D，總是讓人想到視覺領(lǐng)域中的效果，然而在半導(dǎo)體領(lǐng)域，3D技術(shù)帶來的革命更嘆為觀止，早些年的FinFET和3D NAND只是個(gè)開始。
2019-01-25 14:29:555585 繼2015年Samsung推出32層堆層的3D V-NAND之后，2016年市場(chǎng)便很熱鬧，除了SK Hynix推出了36層的3D NAND V2、Micron/Intel也推出了32層的3D NAND，而Toshiba/ SanDisk甚至進(jìn)一步推出了48層的產(chǎn)品。
2019-01-28 11:21:2712546 外媒報(bào)道稱，存儲(chǔ)大廠西部數(shù)據(jù)（WD）正在開發(fā)自家的低延遲閃存，與傳統(tǒng) 3D NAND 相比，其能夠帶來更高的性能和耐用性，旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競(jìng)爭(zhēng)。在本周的 Storage Field Day
2019-03-14 16:08:573266 （高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）、先進(jìn)信息娛樂系統(tǒng)以及自動(dòng)駕駛的計(jì)算機(jī)。新款256GB西部數(shù)據(jù)TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)，產(chǎn)品生命周期超越了2D NAND，以滿足不斷變化的應(yīng)用需求和不斷增長(zhǎng)的容量需求。
2019-05-14 13:45:114201 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對(duì)比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281753 Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年FMS（閃存技術(shù)峰會(huì)）首次公開的3D NAND架構(gòu)，榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601 根據(jù)消息報(bào)道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會(huì)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CorelDRAW X4的基本操作教程詳細(xì)說明包括了：， CorelDRAW X4的工作界面，文件的基本操作， 導(dǎo)入和導(dǎo)出文件， 頁面的基本設(shè)置， 調(diào)整CorelDRAW的顯示， 使用輔助設(shè)置
2020-03-13 08:00:000 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:523480 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 西部數(shù)據(jù)公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有
2020-07-24 15:09:132151 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 NAND 應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級(jí)技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講，詳細(xì)介紹了 3D NAND 和其他新興存儲(chǔ)器的未來。TechInsights 是一家對(duì)包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 在2020年閃存峰會(huì)上，一家名為Neo Semiconductor的初創(chuàng)公司因其在閃存方面的創(chuàng)新而獲得了 最佳展示獎(jiǎng) 。該公司表示它可以描述被稱為X-NAND的“ 3D NAND的未來架構(gòu)”。Neo Semi聲稱其技術(shù)的應(yīng)用“導(dǎo)致QLC NAND具有與SLC NAND相當(dāng)?shù)淖x/寫性能”。
2020-11-23 10:37:491969 NAND應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 層3D NAND；長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲(chǔ)廠商。不得不說，存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 雙方通過在架構(gòu)擴(kuò)展和CMOS布局方面的創(chuàng)新，聯(lián)合打造出新一代更高密度、更領(lǐng)先的3D閃存技術(shù)。2021年2月22日，北京?–?西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ: WDC）日前宣布，與合作伙伴鎧俠聯(lián)合研發(fā)
2021-02-22 18:28:362974 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，尤其是通過 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IIoT）、智能工廠、自動(dòng)駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:251510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《USB街機(jī)搖桿x4加西蒙游戲開源分享.zip》資料免費(fèi)下載
2022-12-22 16:53:080 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 的3D閃存技術(shù)，展示了雙方持續(xù)攜手創(chuàng)新的成果。該技術(shù)采用先進(jìn)的縮放和晶圓鍵合技術(shù)，能夠以更低的成本提供具備卓越容量、性能和可靠性的解決方案，以滿足各行業(yè)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。 西部數(shù)據(jù)公司技術(shù)與戰(zhàn)略高級(jí)副總裁Alper Ilkbahar表示：“全新的3D閃存
2023-04-03 17:56:411143 ，不僅成本上極具吸引力，同時(shí)還提供卓越的容量、性能和可靠性，因而成為滿足眾多市場(chǎng)中指數(shù)級(jí)數(shù)據(jù)增長(zhǎng)需求的理想選擇。 “新的3D閃存展示了我們與鎧俠強(qiáng)大的合作關(guān)系以及我們在3D NAND領(lǐng)域的聯(lián)合創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位。”西部數(shù)據(jù)技術(shù)與戰(zhàn)略高級(jí)副總裁
2023-04-04 16:39:431318 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Z80Bus X4擴(kuò)展板開源分享.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-07 11:04:050 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 作為一個(gè)多年經(jīng)驗(yàn)的機(jī)器視覺工程師，我將詳細(xì)介紹2D和3D視覺技術(shù)的不同特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及它們能夠解決的問題。在這個(gè)領(lǐng)域內(nèi)，2D和3D視覺技術(shù)是實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化和智能制造的關(guān)鍵技術(shù)，它們在工業(yè)檢測(cè)、機(jī)器人導(dǎo)航、質(zhì)量控制等眾多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。
2023-12-21 09:19:062688 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
應(yīng)用的嚴(yán)格要求。 最新的 FerriSSD ? BGA SSD 支持 PCIe Gen 4 x4,在 16 mm x 20 mm 的精簡(jiǎn) BGA 封裝芯片中采用高容量 3D NAND 技術(shù)。運(yùn)用慧榮科技最新創(chuàng)新技術(shù)的高性能嵌入式 SSD,存儲(chǔ)容量
2024-03-27 14:10:401104 目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù)，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項(xiàng)產(chǎn)品能達(dá)到的傳輸速度高達(dá)3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351 在當(dāng)今這個(gè)數(shù)據(jù)爆炸的時(shí)代，存儲(chǔ)技術(shù)的每一次革新都牽動(dòng)著整個(gè)科技行業(yè)的神經(jīng)。近日，西部數(shù)據(jù)在投資者活動(dòng)上揭開了一項(xiàng)令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片，這款名為BiCS8的芯片不僅代表了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的新高度，更是為未來的數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用描繪了一幅宏偉的藍(lán)圖。
2024-06-15 11:42:462094
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