3D NAND閃存高密度技術(shù)正變得越來越激進(jìn)。3D NAND閃存密度和容量的提高主要通過增加垂直方向上堆疊的存儲器單元的數(shù)量來實(shí)現(xiàn)。通過這種三維堆疊技術(shù)和多值存儲技術(shù)（用于在一個存儲單元中存儲多個
2019-08-10 00:01:00
8135 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 平面技術(shù)，自19世紀(jì)以來一直在使用。 旺宏并未透露其3D NAND的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，但由于該公司通常為除顫器，無人機(jī)，
2019-12-14 09:51:295966 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
3D NAND Flash。中國已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
盡管2018年下半閃存企業(yè)過得并不經(jīng)如意。但我們有理由相信，不止三星、東芝/西部數(shù)據(jù)（WD），美光、SK海力士等閃存企業(yè)在技術(shù)上的競爭將越向趨于激烈。通過上述對三星和東芝/西部數(shù)據(jù)(WD）3D
2019-03-21 01:55:008407 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 BiCS5采用了廣泛的新技術(shù)和創(chuàng)新的制造工藝，是西部數(shù)據(jù)迄今為止最高密度、最先進(jìn)的3D NAND。
2020-02-10 19:46:291244 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:002956 
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
、再制造及延壽的增材制造技術(shù)等6大領(lǐng)域的31個正在實(shí)施的重點(diǎn)項目進(jìn)行了分析。??3D打印應(yīng)用范圍進(jìn)一步擴(kuò)展，由零部件擴(kuò)大到整機(jī)??3D打印技術(shù)已成為提高航天器設(shè)計和制造能力的一項關(guān)鍵技術(shù)，其在航空航天
2019-07-18 04:10:28
的傳輸速率，更因簡化了糾錯算法，進(jìn)而降低了功耗，一舉數(shù)得。進(jìn)一步凸顯了成本效益。3D NAND FLASH是現(xiàn)在和未來，19nm 的2D NAND FLASH是過去和現(xiàn)在。目前，在車規(guī)的應(yīng)用中，旺宏有
2020-11-19 09:09:58
X4代V850 MCU D70f3506的部份數(shù)據(jù)讀取，有人有這個的手冊或資料。有償提供。
2017-11-20 15:30:17
:16264558TEL:*** 該工程包含了電機(jī)的幾何模型、運(yùn)動和機(jī)械參數(shù)設(shè)置、材料屬性、鐵心損耗、以及電源與驅(qū)動電路設(shè)置。在Maxwell中，通過電磁分析可以對RMxprt計算得到的參數(shù)進(jìn)一步細(xì)化，并提高其精度。
2014-06-13 17:09:22
CW32F003x3/x4 是基于 eFlash 的單芯片微控制器，集成了主頻高達(dá) 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲器（多至 20K 字節(jié) FLASH 和多至
2023-09-14 08:05:00
CW32F003x3/x4是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核
具有高達(dá)48 MHz的主頻率、高速嵌入式存儲器（高達(dá)20 KB的FLASH和
至3K字節(jié)
2023-09-14 08:16:19
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors），近日推出業(yè)界領(lǐng)先的QUBIC4 BiCMOS硅技術(shù)，鞏固了其在射頻領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，實(shí)現(xiàn)在高頻率上提供更優(yōu)的性能和更高集成度的同時，為客戶帶來成本
2019-07-12 08:03:23
，西部數(shù)據(jù)的存儲器類型還沒完全從2D NAND轉(zhuǎn)換成3D NAND，現(xiàn)在3D NAND只占總產(chǎn)量的65%，換言之西部數(shù)據(jù)生產(chǎn)的所有存儲器還有三分之一是2D NAND。?另外，在本月12號，西部數(shù)據(jù)宣布
2022-02-03 11:41:35
SSD產(chǎn)品。西部數(shù)據(jù)表示，成功研發(fā)出X4架構(gòu)的BiCS3代表著西部數(shù)據(jù)的一個重大進(jìn)展，也顯示我們在NAND Flash技術(shù)的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位，同時也使我們能夠為客戶提供更多選擇的存儲解決方案。由于NAND
2022-02-04 10:27:01
的3D身體運(yùn)動跟蹤技術(shù)有助于客戶為體育健身器材和醫(yī)療保健儀器以及游戲企業(yè)提供創(chuàng)新的解決方案。MEMS運(yùn)動傳感時代即將來臨，我們將進(jìn)一步強(qiáng)化我們在市場的領(lǐng)導(dǎo)地位?！笨纱┐魇綗o線3D運(yùn)動跟蹤技術(shù)將會在采用云
2012-12-13 10:38:42
密度，制造商開發(fā)了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術(shù)，該技術(shù)將Z平面中的存儲單元堆疊在同一晶圓上。
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3D NAND, 即立體堆疊技術(shù)，如果把2D NAND看成平房，那么3D
2024-12-17 17:34:06
2.5V NAND，有效降低功耗，未來EDSFF將在散熱方面會有更杰出的表現(xiàn)，同時也希望對NAND進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化。長江存儲：2019年量產(chǎn)64層3D NAND長江存儲作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05
半導(dǎo)體模型并將其投入生產(chǎn)實(shí)踐，尤其是3D器件結(jié)構(gòu)，使摩爾定律又持續(xù)了數(shù)十年?！?015年曾有報道稱，F(xiàn)inFET未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9nm。發(fā)展至今，我們也看到，F(xiàn)inFET技術(shù)仍然還被用于7nm中
2020-03-19 14:04:57
1024 X4位RAM（2114）的結(jié)構(gòu)框圖
2009-12-04 15:29:047166 
卓然為全球2D和3D電視市場進(jìn)一步提升突破性幀速率轉(zhuǎn)換器技術(shù)
第二代SupraFRC® 301處理器顯著提升視頻顯示質(zhì)量美國卓然公司（納
2010-11-17 15:04:04765 美國A4Vision（簡稱A4）全球第一個推出了突破性的3D（三維）人臉生物識別技術(shù)和產(chǎn)品,在業(yè)界創(chuàng)造了領(lǐng)導(dǎo)地位。人的臉部并不是平坦的，因此3D人臉識別技術(shù)的算法比2D(二維)的算法有更高
2011-03-24 15:04:36
201 在設(shè)計和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation， 納斯達(dá)克交易代碼： SIMO）今日宣布推出全球首款支持多家供應(yīng)商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。
2016-01-07 15:31:361712 據(jù)報道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術(shù)將會在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:501621 Motorola即將推出新款智能手機(jī)，根據(jù)報導(dǎo)最新消息指出Moto將在6月底發(fā)布共三款新手機(jī)，分別為Moto Z2 Force、Moto G5S以及Moto X4，其中Moto X4被認(rèn)為是一款中階智能手機(jī)，可為瞄準(zhǔn)中階手機(jī)的消費(fèi)者提供一個新選擇。
2017-06-12 15:53:061255 總的來說，速龍X4 950對比上一代的速龍的“升級”主要體現(xiàn)在：架構(gòu)上的微調(diào)，換了新AM4接口兼容新X370/B350主板，支持DDR4內(nèi)存和NVMe協(xié)議 SSD（M.2）。但CPU頻率下降，支持
2017-06-30 08:51:372988 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 近日傳聞美光科技和英特爾的合作關(guān)系即將終止，主要是因為3D NAND技術(shù)還不適合目前的市場，后續(xù)有傳說英特爾要和紫光一起開發(fā)3D NAND芯片，具體情況如何還需要進(jìn)一步的考證。
2018-01-16 14:30:431661 關(guān)于四級單元閃存糾錯問題的潛在解決方法。 與此前的平面NAND相比， 3D NAND 技術(shù)的運(yùn)用將使得錯誤檢查代碼更易于實(shí)現(xiàn)，這也進(jìn)一步確定了容量提升的四級單元技術(shù)的可行性。 錯誤檢查代碼（ECC
2018-01-25 22:30:39596 
； （2）成本只有DRAM的一半； （3）使用壽命是NAND的1000倍； （4）密度是傳統(tǒng)存儲的10倍； 而得益于這些優(yōu)勢，3D Xpoint能被廣泛應(yīng)用在游戲、媒體制作、基因組測序、金融服務(wù)交易和個體化治療等領(lǐng)域。以上只是3D Xpoint的一些應(yīng)用示例。
2018-04-19 14:09:0052236 
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進(jìn)一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進(jìn)入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 NAND Flash(儲存型快閃存儲器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價格已經(jīng)松動，但包括存儲器、控制IC、封測等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00800 3D NVM主要廠商產(chǎn)品路線圖近階段，3D非易失性存儲（NVM）領(lǐng)域動作頻頻，例如Western Digital（西部數(shù)據(jù)）收購了SanDisk，中國政府在存儲領(lǐng)域的大舉投資，以及Intel宣布Micron/Intel的合作將分道揚(yáng)鑣，以進(jìn)一步發(fā)展3D NAND。
2018-04-27 14:45:165236 
2018年5月22日—西部數(shù)據(jù)推出新款高性能NVMe SSD，Western Digital Black 3D NVMe SSD。這款固態(tài)硬盤采用西部數(shù)據(jù)自己研發(fā)的SSD控制器和NAND顆粒，可大大提升電腦應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)讀取速度，提升用戶的視頻、音頻及游戲體驗。
2018-05-24 18:12:002104 無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，國際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對2D NAND來說，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087 在寶馬X6上市后，便不難猜測到寶馬會推出X4了，比X6更年輕的定位更易于吸引主流消費(fèi)人群。借著國內(nèi)SUV市場的雄起，X4以跨界+Coupe的造型，在相比X3沒有損失太多通過性和空間的情況下，在同級車中占據(jù)著很大的優(yōu)勢。賣相之外，更好的操控性絕不會讓你認(rèn)為，這只是X3的換殼車。
2018-07-07 09:51:003600 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 在價格和競爭壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競爭下一代技術(shù)。
2018-08-27 16:27:189528 被三星超越，不過東芝在NAND及技術(shù)領(lǐng)域依然非常強(qiáng)大，很早就投入3D NAND研發(fā)了，2007年他們獨(dú)辟蹊徑推出了BiCS技術(shù)的3D NAND——之前我們也提到了，2D NAND閃存簡單堆棧是可以
2018-10-08 15:52:39780 西部數(shù)據(jù)公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤（EFD），豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲存解決方案，
2018-10-18 16:52:411730 美國愛達(dá)荷州博伊西，2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司（納斯達(dá)克代碼：MU）今天宣布旗下 QLC（四級單元）NAND 技術(shù)提升市場領(lǐng)導(dǎo)地位的進(jìn)一步舉措——其廣受歡迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301626 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 昨日，紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示，這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無到有的重大突破，也為紫光集團(tuán)完整存儲器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697 一說到2D或者3D，總是讓人想到視覺領(lǐng)域中的效果，然而在半導(dǎo)體領(lǐng)域，3D技術(shù)帶來的革命更嘆為觀止，早些年的FinFET和3D NAND只是個開始。
2019-01-25 14:29:555585 繼2015年Samsung推出32層堆層的3D V-NAND之后，2016年市場便很熱鬧，除了SK Hynix推出了36層的3D NAND V2、Micron/Intel也推出了32層的3D NAND，而Toshiba/ SanDisk甚至進(jìn)一步推出了48層的產(chǎn)品。
2019-01-28 11:21:2712546 外媒報道稱，存儲大廠西部數(shù)據(jù)（WD）正在開發(fā)自家的低延遲閃存，與傳統(tǒng) 3D NAND 相比，其能夠帶來更高的性能和耐用性，旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競爭。在本周的 Storage Field Day
2019-03-14 16:08:573266 （高級駕駛輔助系統(tǒng)）、先進(jìn)信息娛樂系統(tǒng)以及自動駕駛的計算機(jī)。新款256GB西部數(shù)據(jù)TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)，產(chǎn)品生命周期超越了2D NAND，以滿足不斷變化的應(yīng)用需求和不斷增長的容量需求。
2019-05-14 13:45:114201 長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281753 Xtacking是長江存儲在去年FMS（閃存技術(shù)峰會）首次公開的3D NAND架構(gòu)，榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎項。其獨(dú)特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601 根據(jù)消息報道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CorelDRAW X4的基本操作教程詳細(xì)說明包括了：， CorelDRAW X4的工作界面，文件的基本操作， 導(dǎo)入和導(dǎo)出文件， 頁面的基本設(shè)置， 調(diào)整CorelDRAW的顯示， 使用輔助設(shè)置
2020-03-13 08:00:000 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會有所波及。但目前長江存儲已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 2020年4月13日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480 長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 西部數(shù)據(jù)公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有
2020-07-24 15:09:132151 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:553696 NAND 應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講，詳細(xì)介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 在2020年閃存峰會上，一家名為Neo Semiconductor的初創(chuàng)公司因其在閃存方面的創(chuàng)新而獲得了 最佳展示獎 。該公司表示它可以描述被稱為X-NAND的“ 3D NAND的未來架構(gòu)”。Neo Semi聲稱其技術(shù)的應(yīng)用“導(dǎo)致QLC NAND具有與SLC NAND相當(dāng)?shù)淖x/寫性能”。
2020-11-23 10:37:491969 NAND應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰(zhàn)沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 雙方通過在架構(gòu)擴(kuò)展和CMOS布局方面的創(chuàng)新，聯(lián)合打造出新一代更高密度、更領(lǐng)先的3D閃存技術(shù)。2021年2月22日，北京?–?西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ: WDC）日前宣布，與合作伙伴鎧俠聯(lián)合研發(fā)
2021-02-22 18:28:362974 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 全球存儲市場對NAND 閃存的需求不斷增長。這項技術(shù)已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，尤其是通過 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IIoT）、智能工廠、自動駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:251510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《USB街機(jī)搖桿x4加西蒙游戲開源分享.zip》資料免費(fèi)下載
2022-12-22 16:53:080 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 的3D閃存技術(shù)，展示了雙方持續(xù)攜手創(chuàng)新的成果。該技術(shù)采用先進(jìn)的縮放和晶圓鍵合技術(shù)，能夠以更低的成本提供具備卓越容量、性能和可靠性的解決方案，以滿足各行業(yè)呈指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)存儲需求。 西部數(shù)據(jù)公司技術(shù)與戰(zhàn)略高級副總裁Alper Ilkbahar表示：“全新的3D閃存
2023-04-03 17:56:411143 ，不僅成本上極具吸引力，同時還提供卓越的容量、性能和可靠性，因而成為滿足眾多市場中指數(shù)級數(shù)據(jù)增長需求的理想選擇。 “新的3D閃存展示了我們與鎧俠強(qiáng)大的合作關(guān)系以及我們在3D NAND領(lǐng)域的聯(lián)合創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位?！?b class="flag-6" style="color: red">西部數(shù)據(jù)技術(shù)與戰(zhàn)略高級副總裁
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2023-06-07 11:04:050 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 作為一個多年經(jīng)驗的機(jī)器視覺工程師，我將詳細(xì)介紹2D和3D視覺技術(shù)的不同特點(diǎn)、應(yīng)用場景以及它們能夠解決的問題。在這個領(lǐng)域內(nèi)，2D和3D視覺技術(shù)是實(shí)現(xiàn)自動化和智能制造的關(guān)鍵技術(shù)，它們在工業(yè)檢測、機(jī)器人導(dǎo)航、質(zhì)量控制等眾多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。
2023-12-21 09:19:062688 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
應(yīng)用的嚴(yán)格要求。 最新的 FerriSSD ? BGA SSD 支持 PCIe Gen 4 x4,在 16 mm x 20 mm 的精簡 BGA 封裝芯片中采用高容量 3D NAND 技術(shù)。運(yùn)用慧榮科技最新創(chuàng)新技術(shù)的高性能嵌入式 SSD,存儲容量
2024-03-27 14:10:401104 目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù)，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項產(chǎn)品能達(dá)到的傳輸速度高達(dá)3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351 在當(dāng)今這個數(shù)據(jù)爆炸的時代，存儲技術(shù)的每一次革新都牽動著整個科技行業(yè)的神經(jīng)。近日，西部數(shù)據(jù)在投資者活動上揭開了一項令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片，這款名為BiCS8的芯片不僅代表了數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的新高度，更是為未來的數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用描繪了一幅宏偉的藍(lán)圖。
2024-06-15 11:42:462094
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