NAND Flash存儲器在移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用市場的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計(jì)資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲存服務(wù)影響，第三季智能手機(jī)與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲器的需求已開始減少。
2013-11-26 11:16:17
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納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤，因此相較于應(yīng)用處理器（AP）和快閃存儲器（NAND Flash），DRAM的微細(xì)制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。
2014-04-04 09:08:421577 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151867 25年來，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)一直在等待更好的技術(shù)出現(xiàn)。目前市場上的主流存儲器是DRAM和NAND Flash，有可能席卷目前兩種主流存儲器的NRAM近日有了最新消息。有業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為遲到總比缺席好，那么這種技術(shù)的發(fā)展有何特點(diǎn)？能否挑戰(zhàn)目前根深蒂固的存儲技術(shù)呢？
2017-01-27 03:08:001581 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:322839 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:365076 
NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過電荷的存儲與釋放來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。
2025-09-08 09:51:206275 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271445 
（Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲器），不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲器市場的漲價(jià)只不過是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
目錄【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）。可以得出存儲器
2021-12-10 08:26:49
?過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時(shí)代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
系統(tǒng)設(shè)計(jì)存在設(shè)計(jì)基于閃存的可靠的嵌入式和存儲系統(tǒng)時(shí)仍然面對重大挑戰(zhàn)。隨著每代新產(chǎn)品的出現(xiàn)，目前存儲器技術(shù)要求尺寸越來越小，但耑要較大系統(tǒng)級變化來維持系統(tǒng)級討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲器架構(gòu)
2018-05-17 09:45:35
閃速存儲器根據(jù)單元的連接方式，如表所示，可分成NAND、NOR、DINOR（Divided bit Line NOR）及AND幾類。NAND閃速存儲器單元的連接方式如圖 1 所示，NOR閃速存儲器
2018-04-09 09:29:07
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:031028 
為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21626 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021410 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:361316 FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問存儲器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:469157 什么是DRAM？ DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電
2017-10-13 20:02:46
10 日前，存儲器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠，另一個(gè)紫光大型的存儲器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實(shí)質(zhì)啟動(dòng)。
2017-11-28 12:54:402401 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片，國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:004167 目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:001193 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺11日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:002457 根據(jù)韓國媒體的報(bào)導(dǎo)，韓國存儲器大廠三星已經(jīng)確認(rèn)，將會在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲器的產(chǎn)能。 之前，韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 中國存儲器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:006778 
NOR Flash和NAND Flash作為存儲的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5123827 存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 目前，TrueVRsystems已經(jīng)在其國內(nèi)運(yùn)營了5個(gè)虛擬競技場，其中包括位于蘇黎世萊茲公園的Fusion Arena。目前，TrueVRsystems正在瑞典斯德哥爾摩安裝其第六個(gè)街機(jī)。這是一個(gè)
2018-04-12 14:47:001928 4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項(xiàng)目（一期）一號生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機(jī)臺設(shè)備而準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302 存儲器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003740 存儲器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲器市場總額達(dá)835億美元。各類存儲器中，NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年?duì)I收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲器市場總額的32%。
2018-08-13 09:01:001863 2018年上半年，世界存儲器市場營銷額為808.03億美元，其中：DRAM營收額為487.67億美元，占到存儲器市場總值的60.4%；NAND Flash營收額320.36億美元，占存儲器市場總值的39.6%的份額。
2018-08-21 17:09:289552 
DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng)，以及跨多種不同運(yùn)算平臺和應(yīng)用的越來越多的不同要求，包括服務(wù)器、工作站、海量存儲系統(tǒng)、超級計(jì)算機(jī)、臺式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲器技術(shù)
2020-05-21 07:52:007926 
背景知識的情況下，可以比較簡單地使用大容量的NAND Flash存儲器，降低了使用NAND Flash存儲器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:004005 
據(jù)日媒指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814 法國Elistair公司宣布在一場備受矚目的音樂盛會期間，法國警察部隊(duì)使用該公司的系留無人機(jī)系統(tǒng)在波爾多競技場提供安全保障。
2018-12-12 14:30:032846 嚴(yán)格來講，是存儲器(memory)和儲存器(storage)。前者是指在運(yùn)算中的暫存器，譬如SRAM和DRAM；后者是數(shù)據(jù)永久儲存的器件，如NAND、HDD甚或仍在服役的磁帶。
2018-12-14 08:34:514066 盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而，無論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902 
過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2018-12-25 14:39:563714 在經(jīng)歷了兩年的瘋狂上漲之后，存儲器市場要進(jìn)行深度的調(diào)整了。美國花旗銀行預(yù)計(jì)明年存儲器價(jià)格會大幅下降，NAND價(jià)格會跌45%，DRAM價(jià)格會下跌30%，而且明年Q2季度之前不會見底。
2019-01-02 14:23:401156 隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4916884 存儲器市況不明，針對存儲器價(jià)格波動(dòng)趨勢，存儲器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲器（NAND Flash）價(jià)格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個(gè)位數(shù)百分比；而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）則預(yù)估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48802 長江存儲科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:012152 目前在全球的消費(fèi)電子市場上，存儲器是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲器細(xì)分，又可分為 DRAM、NAND Flash 與 Nor Flash 三種。
2019-11-19 10:53:081370 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 ReRAM，目前暫無商用產(chǎn)品，其代表公司是美國的Crossbar。 上述新型存儲器已被研究了近數(shù)十年，只是相對于早已產(chǎn)業(yè)化的隨機(jī)存儲sram、DRAM存儲器、和NAND Flash，還未能大規(guī)模商用
2020-04-25 11:05:573525 
的網(wǎng)絡(luò)開發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲器和新興的非易失性存儲器技術(shù)的特點(diǎn)，并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術(shù)與已建立的存儲器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:161487 
半導(dǎo)體存儲器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:192373 嚴(yán)格來講，是存儲器（memory）和儲存器（storage）。前者是指在運(yùn)算中的暫存器，譬如SRAM和DRAM；后者是數(shù)據(jù)永久儲存的器件，如NAND、HDD甚或仍在服役的磁帶。
2020-08-20 17:34:41689 各種存儲器比較（PCM，STTRAM，SRAM，DRAM，F(xiàn)lash NAND，HDD），看出憶阻器在集成密度，數(shù)據(jù)的讀寫時(shí)間有著比較明顯的優(yōu)勢。
2020-08-27 17:18:319417 
相信有很多人都對計(jì)算機(jī)里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3812674 IBM 認(rèn)為：電信業(yè)是混合云的天然競技場。通過與云的自然配合，借助 5G、AI、邊緣技術(shù)等顛覆性技術(shù)，電信行業(yè)將能夠優(yōu)化、創(chuàng)新和顛覆現(xiàn)有業(yè)務(wù)模式，將市場、商業(yè)、消費(fèi)無縫結(jié)合，全面覆蓋中心到邊緣，實(shí)現(xiàn)數(shù)字化重塑。
2020-09-27 11:25:171825 獨(dú)立存儲器市場和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444749 
DRAM是目前常見的存儲之一，但DRAM并非唯一存儲器件，NAND也是存儲設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2552915 
。 過去的DRAM不再用于較小的系統(tǒng)，因?yàn)樗鼈冃枰?b class="flag-6" style="color: red">DRAM控制器。SRAM進(jìn)入了內(nèi)存需求小的系統(tǒng)。DRAM進(jìn)入更大的存儲器，并伴隨著用于更大存儲器的控制器。 傳統(tǒng)存儲器供應(yīng)商提供可預(yù)測的價(jià)格和長期客戶支持很重要，因?yàn)樾略O(shè)計(jì)仍然使用較舊的
2020-11-24 16:29:11939 最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:461607 隨機(jī)存儲存儲器，可讀可寫，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器，理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:065292 中國存儲器的努力已縮小到兩個(gè)最有前途的參與者，即 NAND 的 YMTC 和 DRAM 的長鑫存儲技術(shù) （CXMT），它們得到了蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的支持。
2022-05-10 15:04:114586 
在存儲器領(lǐng)域中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）是應(yīng)用最高的品類，產(chǎn)品市占率約60%；其次是NAND約占36%，NOR Flash 的份額非常小，約3%。
2022-06-17 11:02:372393 
相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲數(shù)據(jù)。
2022-10-18 15:42:094237 最新消息，據(jù)日本共同社報(bào)道，美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲器公司”，已于16日在該市廣島工廠啟動(dòng)最尖端DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器）的量產(chǎn)。 據(jù)悉，量產(chǎn)的最新產(chǎn)品名為“1
2022-11-28 10:40:521736 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲器。先進(jìn)的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712490 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:391353 
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲器設(shè)計(jì)：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:361903 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲在其中的信息會丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:035687 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:023358 據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:501370 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:062633 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563 但是，存儲芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說，已經(jīng)從dram開始的存儲器價(jià)格上升趨勢正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:281359 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:0011547 非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:152049 
非易失性存儲器，主要用于存儲固件、操作系統(tǒng)和其他重要數(shù)據(jù)。 存儲方式： RAM存儲器使用動(dòng)態(tài)存儲器（DRAM）或靜態(tài)存儲器（SRAM）來存儲數(shù)據(jù)。 ROM存儲器使用各種類型的非易失性存儲技術(shù)，如PROM
2024-08-06 09:17:482549 NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器，具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)點(diǎn)的詳細(xì)闡述，并簡要探討與其他類型存儲器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441952 存儲器的刷新是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）維護(hù)所存信息的一種重要機(jī)制。由于DRAM利用存儲元中的柵極電容來存儲電荷，而電容本身存在漏電流，導(dǎo)致電荷會逐漸流失，從而使得存儲的數(shù)據(jù)變得不可靠。為了保持
2024-09-10 14:34:223481 DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器，是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計(jì)簡潔而高效，主要由一個(gè)晶體管（MOSFET）和一個(gè)電容組成，這一組合使得DRAM能夠在保持成本效益的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存取。
2024-09-10 14:42:493256 DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器，是一種半導(dǎo)體存儲器，用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲。它由許多存儲單元組成，每個(gè)存儲單元可以存儲一位或多位數(shù)據(jù)。DRAM的主要特點(diǎn)是集成度高、成本低，但讀寫速度相對較慢，并且需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
2024-10-12 17:06:114113
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