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標簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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紫光遭難,各方人馬搶翻天!為何日本拒絕給武漢新芯供貨硅晶圓?
全球硅晶圓缺貨嚴重,已成為半導體廠營運成長瓶頸,后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火,半導體業(yè)者透露,日本硅晶圓大廠Sumco決定砍掉大陸NORFlash廠武漢新...
存儲芯片被少數(shù)國際大廠壟斷 中國廠商如何破除困局?
而存儲芯片價格之所以持續(xù)攀升,除了國外大廠因為技術(shù)升級出現(xiàn)意外導致產(chǎn)能吃緊之外,中國存儲芯片基本依賴進口也是存儲芯片大幅漲價的原因。存儲芯片市場被少數(shù)國...
三星韓國NAND存儲器新廠進度順利 2017上半年投產(chǎn)
三星電子周二宣布,位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利,將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。
傳東芝半導體設(shè)投資條款 高達10家以上企業(yè)有意愿
鴻海董事長郭臺銘日前表示,非常有誠意、也非常有信心入股東芝(Toshiba)計劃分拆出去的半導體事業(yè)新公司。不過郭董恐要面對非常多的對手,據(jù)悉有高達 1...
DRAM、NAND、AMOLED面板三大零組件影響手機廠獲利能力
智能手機關(guān)鍵零組件于 2016 下半年開始供應吃緊導致漲價,至 2017 年第一季傳統(tǒng)淡季的行情也逆勢上揚。全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢(TrendFor...
內(nèi)存市場日益擴大,研調(diào)機構(gòu) IC Insights 最新報告預測,DRAM 與 NAND 閃存等,未來 5 年年均復合增長率(CAGR)可達 7.3%,...
IC Insights最新報告預測,DRAM與NAND快閃存儲器等,未來五年年均復合增長率(CAGR)可達7.3%,產(chǎn)值將從去年的773億美元擴增至1,...
2017年存儲器市場規(guī)模將達到創(chuàng)紀錄的853億美元
IC Insights預計2017年存儲器價格還將上漲,從而推動全球存儲器市場規(guī)模達到創(chuàng)紀錄的853億美元,同比增長10%。該機構(gòu)同時認為,今后幾年存儲...
017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。
2016-12-23 標簽:NANDNAND Flash3D-NAND 891 0
福建晉華集成則與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定,由聯(lián)電協(xié)助其生產(chǎn)利基型DRAM。目前新建的12英寸廠房已經(jīng)動工,初步產(chǎn)能規(guī)劃每月6萬片,估計2017年年底完成技術(shù)...
存儲器芯片是智能手機、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品所不可或缺的關(guān)鍵器件,主要功能是存儲程序和各種數(shù)據(jù),并能在計算機運行過程中高速、自動地完成程...
IBS塬本預測今年芯片產(chǎn)業(yè)將衰煺1.5%,現(xiàn)在認為2016年芯片產(chǎn)業(yè)成長率為0.2%。又有一家市場研究機構(gòu)調(diào)升了對2016與2017年半導體產(chǎn)業(yè)成長率的...
在IC設(shè)計、制造、封裝、測試多個領(lǐng)域齊頭并進的時候,中國半導體將觸角伸向了存儲領(lǐng)域,相信這是引致這次韓國成立半導體基金的主要誘因。
手機熱銷帶旺NAND價格走高 三星東芝擴產(chǎn)能應對
日經(jīng)新聞2016年10月29日報導,使用于智能手機、存儲卡的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)批發(fā)價格進一步走升,10月份指標性產(chǎn)品MLC...
NAND價格兩年來首次突破3美元 三星產(chǎn)能全開追不上需求
報導指出,三星電子停產(chǎn)停售 Note 7,讓借此加強攻勢、擴大市占率的中國智能手機廠需求急增,而各家內(nèi)存廠商雖已增產(chǎn)順應、但仍追不上需求增加速度。日本三...
DRAM表現(xiàn)強勁 2016年IC市場營收將增長1%
市場研究機構(gòu)IC Insights的最新報告將對2016年全球半導體市場營收的成長率預測,由原先的-2%提升為1%;此外該機構(gòu)預測,2016年全球IC出...
美光3D XPoint固態(tài)硬盤首次現(xiàn)身 Facebook對商用興趣濃厚
近日,在美國加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上,美光科技(Micron)揭示了基于3D XPoint(相變存儲)技術(shù)...
為確保行業(yè)優(yōu)勢 三星今年內(nèi)量產(chǎn)64層NAND
上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
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