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      標簽　>　nand

      nand

      nand

      +關(guān)注16人關(guān)注

      NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

      文章：1564個 瀏覽：140466次 帖子：352個

      nand資訊

      長江存儲:力求技術(shù)“無時差”,國際技術(shù)水平最近的一次

      國內(nèi)首家 NAND Flash 大廠長江存儲的新一代 64 層 3D NAND 芯片即將在 8 月投產(chǎn)，這個時間點加入全球存儲競賽堪稱是“最混亂的時代”...

      2019-05-08 標簽：NAND長江存儲 6k 0

      東芝記憶體獲得中國核準，是否能提升其在全球NAND Flash的競爭力

      2018年DRAM，NAND Flash價格則呈現(xiàn)兩漲情，出現(xiàn)一漲一跌的局面，其中的關(guān)鍵則是供給端的部分，特別是國際大廠是否突破制程瓶頸，將攸關(guān)整體市場...

      2018-06-26 標簽：DRAMNAND 6k 0

      東芝NAND閃存芯片工廠將在7月中旬前全面恢復生產(chǎn)

      6月28日，據(jù)外媒體報道，東芝存儲公司（Toshiba Memory）表示，其位于日本中部的NAND閃存芯片工廠將在7月中旬前恢復全面生產(chǎn)。

      2019-06-29 標簽：東芝閃存NAND 6k 0

      傳蘋果有意采購長江存儲的NAND Flash

      據(jù)日經(jīng)新聞（Nikkei）報道，蘋果正與中國長江存儲科技（Yangtze Memory Technologies）進行磋商，有意向其購買存儲芯片，若敲定...

      2018-02-16 標簽：nand蘋果 6k 0

      美光科技的新加坡Fab 10A廠完成擴建，臺中廠擴建可在年底落成

      存儲器大廠美光科技（Micron）近日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建。美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區(qū)將視市...

      2019-08-19 標簽：nand存儲器自動駕駛 6k 0

      DRAM和NAND預計2020年占所有IC銷售額三分之一，NAND閃存同比大增27%

      IC Insights的最近發(fā)布最新報告，預測33個大IC產(chǎn)品類別銷售額和單位出貨量。33種IC產(chǎn)品類別是世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計（WSTS）組織定義的類別。...

      2020-08-05 標簽：DRAMNAND 6k 0

      蘋果AR設(shè)備或?qū)⒁揽縤Phone處理器；三星發(fā)布首款2億像素圖像傳感器

      傳鎧俠考慮11月IPO，與西數(shù)并購可能性不大 據(jù)外媒最新報告，鎧俠正在安排于11月進行首次公開發(fā)行（IPO），而就在上周，市場傳出西部數(shù)據(jù)正在同鎧俠案進...

      2021-09-06 標簽：armNANDiPhone 5.9k 0

      “從芯到云”，紫光集團正意圖在存儲產(chǎn)業(yè)構(gòu)建一個千億美元帝國

      半導體行業(yè)觀察：“從芯到云”，趙偉國治下的紫光集團正意圖在存儲產(chǎn)業(yè)構(gòu)建一個千億美元帝國。

      2018-02-05 標簽：dramnand存儲 5.9k 0

      DRAM、NAND flash和NOR flash三者牢牢控制著內(nèi)存市場

      你如果問當前內(nèi)存市場是誰的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場，當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過...

      2018-09-29 標簽：DRAMNAND內(nèi)存 5.9k 0

      三星工廠停電可能導致NAND Flash再上漲 大基金1.4億砸向新三板

      1、高盛：比特幣陷破底危機，恐再摔35% 據(jù)Coin Market Cap的報價，比特幣昨（12）日報9,155.44美元，過去一周時間累計重挫21%，...

      2018-03-18 標簽：NANDFlash大基金 5.9k 0

      日材料禁運對SAMSUNG和SK海力士影響甚微 而NAND卻上漲了10%

      日韓事件持續(xù)發(fā)酵，其中對向韓國出口幾種化學材料的監(jiān)管被各大媒體報道。韓國三星電子（SAMSUNG）和SK海力士受影響程度被嚴重放大，儼然被看成是下一個“...

      2019-07-18 標簽：NAND三星電子SK海力士 5.9k 2

      搭載長江存儲3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達到國際領(lǐng)先水平

      根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。

      2020-01-17 標簽：nandssd長江存儲 5.9k 0

      長江存儲或?qū)?021年存儲芯片產(chǎn)量提高一倍

      據(jù)媒體報道，長江存儲計劃今年把產(chǎn)量提高一倍，計劃到下半年將每月的存儲芯片產(chǎn)量提高到10萬片晶圓，并準備試產(chǎn)192層NAND快閃記憶體晶片，最快將于202...

      2021-01-12 標簽：芯片控制器NAND 5.8k 0

      Omdia：2020年全球半導體銷售達4733億美元 英特爾三星海力士位列前三甲

      Omdia：2020年全球半導體銷售達4733億美元 英特爾三星海力士位列前三甲

      Omdia在2020年四季度發(fā)布的《Semiconductor Competitive Landscape Tool (CLT)》中報告稱，2020年半...

      2021-03-31 標簽：芯片高通英特爾 5.8k 0

      回顧長江存儲3D NAND技術(shù)的發(fā)展進程

      日前，有媒體報道稱，消息人士透露，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓，并準備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層...

      2021-01-13 標簽：閃存控制器NAND 5.8k 0

      2019年和2020年的數(shù)量Bit Volumes現(xiàn)在將同比增長39％和38％

      2019年和2020年的數(shù)量Bit Volumes現(xiàn)在將同比增長39％和38％

      供需是影響客戶為其閃存存儲所支付的價格的兩個因素，需求增加推動價格上漲，促使供應商增加產(chǎn)量。如果高估需求，這可能會導致價格過剩和價格下跌。

      2019-03-20 標簽：閃存NAND固態(tài)硬盤 5.8k 0

      AI終端應用中需要怎么選擇最合適的閃存芯片

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      2016年3月，Google AlphaGo在與韓國九段棋手李世石進行的圍棋比賽中，以4:1的絕對優(yōu)勢完勝；2018年底，Google AlphaSta...

      2021-12-09 標簽：閃存NANDAI 5.8k 0

      DRAM制程產(chǎn)能滯后 技術(shù)是很大問題

      DRAM制程推進已很緩慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投資甚鉅、所得甚微的最后努力。對于...

      2018-10-14 標簽：DRAMNAND三星電子 5.8k 0

      宏茂微電子實現(xiàn)3D NAND芯片封測規(guī)模量產(chǎn)

      2019新年伊始，紫光“官宣”旗下紫光宏茂微電子成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。

      2019-01-11 標簽：NAND存儲 5.7k 0

      紫光實現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn) 讓國產(chǎn)存儲更進一步

      昨日，紫光集團旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示，這次公告標志著內(nèi)資封測...

      2019-02-04 標簽：NAND存儲紫光 5.7k 0

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      • 云儲存
        云儲存
        +關(guān)注
        云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應用技術(shù)等內(nèi)容。
      • 富士通
        富士通
        +關(guān)注
        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
      • 3d nand
        3d nand
        +關(guān)注
        3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
      • 江波龍
        江波龍
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        非易失性存儲器
        +關(guān)注
        非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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      • 合肥長鑫
        合肥長鑫
        +關(guān)注
        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
      • NOR flash
        NOR flash
        +關(guān)注
        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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        nvme
        +關(guān)注
        NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當于通訊協(xié)議中的應用層）
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        SRAM存儲器
        +關(guān)注
        　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
      • 福建晉華
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        nosql
        +關(guān)注
        　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
      • 云盤
        云盤
        +關(guān)注
        云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
      • 安博會
        安博會
        +關(guān)注
      • V-NAND
        V-NAND
        +關(guān)注
      • FORESEE
        FORESEE
        +關(guān)注
        FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
      • 長鑫存儲
        長鑫存儲
        +關(guān)注
        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
      • Ceph
        Ceph
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      模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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      電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學傳感器 圖像傳感器
      數(shù)字隔離器 ESD 保護 收發(fā)器 橋接器 多路復用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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