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標簽 > RRAM
RRAM一般指阻變式存儲器,阻變式存儲器(RRAM)是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場作用下,在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲器。
作為阻變式存儲器芯片一個重要的電子元件,憶阻器(memristor)的電阻會隨外加電壓的高低而改變。相比其它非易失性存儲技術(shù),RRAM是高速存儲器。工程師在對憶阻器(memristor)技術(shù)進行潛心研發(fā)的道路上遇到的攔路虎,恰恰是阻變式存儲器(RRAM)的潛行路徑。
非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字...
NAND閃存面臨的挑戰(zhàn),是什么阻礙了NAND閃存?
在過去的幾十年里,NAND 對固態(tài)存儲設(shè)備中的系統(tǒng)控制器提出了苛刻的任務(wù)。這些管理任務(wù)增加了系統(tǒng)復(fù)雜性、功耗、晶體管門數(shù)和整體存儲系統(tǒng)開發(fā)成本。
存內(nèi)計算原理分類——數(shù)字存內(nèi)計算與模擬存內(nèi)計算
數(shù)字存內(nèi)計算與模擬存內(nèi)計算各有優(yōu)劣,都是存算一體發(fā)展進程中的重點發(fā)展路徑,數(shù)字存內(nèi)計算由于其高速、高精度、抗噪性強、工藝技術(shù)成熟、能效比高等特點,更適用...
新型存儲技術(shù):新型SCM類介質(zhì)的特性及使用方法的總結(jié)和介紹
Storage Class Memory (SCM)是非易失性內(nèi)存,該類介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢,但是遠快于NAND類介質(zhì)。本文對該類介質(zhì)的特性及使用方...
RRAM機制、材料及其在神經(jīng)形態(tài)計算中的應(yīng)用
近年來,RRAM 因其結(jié)構(gòu)簡單、保持時間長、運行速度快、超低功耗運行能力、能夠在不影響器件性能的情況下擴展到更低的尺寸以及可進行三維集成的可能性而日益受...
全面解讀電阻式內(nèi)存的技術(shù)架構(gòu)及其應(yīng)用
電阻式內(nèi)存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 結(jié)構(gòu)為簡單的金屬-絕緣層-金屬 (Metal-Insulato...
2023-12-07 標簽:電阻存儲器物聯(lián)網(wǎng) 1935 0
Crossbar新型RRAM芯片 郵票大小存儲1TB數(shù)據(jù)
8月6日消息,美國加州創(chuàng)業(yè)公司Crossbar發(fā)布了一種新型芯片,能以郵票大小存儲1TB的數(shù)據(jù)。該芯片采用RRAM技術(shù),顛覆傳統(tǒng)的閃速存儲器,數(shù)據(jù)存儲速...
需要設(shè)計一些算法使得能對整個存儲器做均衡的訪問,而不是僅僅去對幾個特定的區(qū)域持續(xù)寫入,將對某些塊的操作分布到整片存儲器上,實現(xiàn)各塊寫入的平衡,這類算法就...
電子存儲器迎來革新,RRAM和MRAM的優(yōu)勢是什么
在最近的一年,固態(tài)硬盤和內(nèi)存的漲勢卻是讓很多廠商都掙得盆滿缽滿的,就連美光也一反頹勢,取得了相當(dāng)不錯的成績。
百度百科給出的解釋是:RRAM是一種“根據(jù)施加在金屬氧化物(Metal Oxide)上的電壓的不同,使材料的電阻在高阻態(tài)和低阻態(tài)間發(fā)生相應(yīng)變化,從而開啟...
兆易創(chuàng)新為嵌入式產(chǎn)品提供豐富的存儲解決方案
雖然此前在DRAM內(nèi)存芯片布局上,兆易創(chuàng)新主要是通過其與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團合作的長鑫存儲來進行布局。但是,兆易創(chuàng)新的自研DRAM項目也早已開始。
DRAM將出現(xiàn)替代者 憶阻器RRAM或是最好選擇
目前DRAM市場需求還在不斷的增加,但是如今價格的水漲船高已經(jīng)讓很多人開始接受不住。人們一直在尋找更好的替代者。據(jù)悉,RRAM被認為是下一代代替DRAM...
嵌入式閃存微控制器自推出第一批發(fā)動機管理系統(tǒng)以來,就被用作汽車中的ECU,市場上大多數(shù)MCU系列都基于eFlash技術(shù),但該技術(shù)一直在努力遷移到28納米...
存儲器的歷史始于1984年,彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。...
據(jù)Web-Feet Research等分析公司預(yù)測,到2018年,消費類電子設(shè)備的嵌入式內(nèi)存市場將突破28.8億美元,現(xiàn)在是我們?yōu)檫@一問題想出解決方案的...
臺積電重返內(nèi)存市場 瞄準MRAM和RRAM | 老邢點評
晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭,現(xiàn)由邏輯芯片擴及內(nèi)存市場。 臺積電這次重返內(nèi)存市場,瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存,因傳輸速度...
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