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三安半導體首發(fā)8英寸碳化硅襯底,國內(nèi)8英寸加速布局!
從產(chǎn)能來看,湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月,較2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化鎵)產(chǎn)能2,000片/...
對于SiC功率MOSFET技術(shù),報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代,單芯片電流可達200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠...
ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureR...
2022-03-04 標簽:碳化硅SiC MOSFET 1.5k 0
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關(guān),其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
瑞薩電子推出用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET——RAJ2930004AGM
瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSF...
瑞能半導體最新推出1700V SiC MOSFET產(chǎn)品
作為全球規(guī)模最大的半導體制造產(chǎn)業(yè)年度盛會之一,CISES聚焦行業(yè)發(fā)展新動態(tài)、新趨勢、新產(chǎn)品,致力于為業(yè)界高端決策者提供國際性合作交流平臺。
2022-09-07 標簽:碳化硅SiC MOSFET瑞能半導體 2.1k 0
CISSOID 最近發(fā)布了專為降低開關(guān)損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊,屬于其三相碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模塊 (IPM) 產(chǎn)品系列。
2022-08-04 標簽:電源轉(zhuǎn)換器碳化硅SiC MOSFET 2.4k 0
瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的
相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件,為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1...
SiC MOSFET的廠商現(xiàn)狀以及產(chǎn)品差別
隨著新能源市場的爆發(fā),電動汽車、光伏、儲能等下游應(yīng)用驅(qū)動下,碳化硅功率器件迎來了新一輪增長期。特別是電動汽車上SiC MOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后,在近幾...
2022-07-25 標簽:功率器件SiC MOSFET 1.8k 0
富昌電子SiC設(shè)計分享(二):碳化硅器件驅(qū)動設(shè)計之寄生導通問題探討
作者:富昌電子 星空 ??校稿:富昌電子 蕭峰 ? 富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個性化的解決方...
2022-06-16 標簽:富昌電子SiC驅(qū)動設(shè)計 11.0萬 0
恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊,加快碳化硅在電動交通領(lǐng)域的采用
在此次合作中,恩智浦GD3160隔離式柵極驅(qū)動器與日立能源RoadPak SiC電源模塊相結(jié)合,將高效、可靠且功能安全的電子動力傳動系統(tǒng)更快地推向市場
2022-03-30 標簽:恩智浦SiC MOSFET 1.7k 0
華潤微發(fā)布SiC MOSFET新品 NVIDIA推科學數(shù)字孿生平臺
近期,華潤微重磅發(fā)布自主研發(fā)量產(chǎn)的SiC MOSFET產(chǎn)品,這是華潤微繼去年SiC二極管產(chǎn)品上市后的又一大作,進一步豐富了公司的SiC產(chǎn)品系列,是公司在...
2022-03-28 標簽:NVIDIASiC MOSFET數(shù)字孿生 2.5k 0
Nexperia發(fā)布增強型電熱模型 羅姆開發(fā)8英寸新一代SiC MOSFET
基本半導體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發(fā)布新的增強型電熱模型。半導體制造商通常會為其 MOSFET 提供仿真模型,但這些模型通常...
研華DeviceOn/BI通過工業(yè)案例審核 羅姆SiC MOSFET發(fā)揮性能優(yōu)勢
近日,上汽大眾與臻驅(qū)科技聯(lián)合開發(fā)的首款基于SiC技術(shù)的 “三合一”電橋完成試制。
2022-03-28 標簽:研華羅姆SiC MOSFET 3.6k 0
派恩杰SiC MOSFET批量“上車”,擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后,全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
SiC需求爆發(fā)!賽道正式開啟,國內(nèi)企業(yè)迅速就位
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型,成為了半導體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個縮影,對整個電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 ? 碳化...
2021-11-12 標簽:SiC二極管SiC MOSFET基本半導體 4.8k 0
電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計,而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中,SiC器件優(yōu)勢明顯,這就使得SiC MOSFE...
2021-08-13 標簽:電荷硅材料SiC MOSFET 8.2k 0
東芝SiC MOSFET電動汽車電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)參考設(shè)計
環(huán)境和能源問題是一個重要的全球性問題。同時,隨著電力需求持續(xù)升高,對節(jié)能的呼聲以及對高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中,功率半導體扮演...
2021-08-02 標簽:SiC MOSFET 5.3k 0
安森美半導體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊,基于平面技術(shù),適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動電壓,易于用負門極電壓驅(qū)動。
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