完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
文章:2814個(gè) 瀏覽:64752次 帖子:124個(gè)
作者:James Victory,安森美電源方案事業(yè)群 TD 建模和仿真方案研究員 在電力電子和電路仿真領(lǐng)域,精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實(shí)性取決于各個(gè)器...
碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發(fā)與行業(yè)展望
隨著全球?qū)﹄妱?dòng)汽車接納度的逐漸提高,碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機(jī)遇。預(yù)計(jì),將來功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運(yùn)作商會(huì)更積極地參與到這...
2024-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1630 0
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動(dòng)測試與計(jì)算新方案
柵極參數(shù)設(shè)計(jì)是通過理論計(jì)算或建模仿真,模擬器件的開關(guān)狀態(tài),掌握其動(dòng)態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計(jì)算。
用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓?fù)涞腟iC MOSFET
效率、生產(chǎn)力和立法是當(dāng)今電力應(yīng)用的主要市場驅(qū)動(dòng)力。利用更少的能源生產(chǎn)更多的產(chǎn)品,節(jié)約能源成本,更加關(guān)注更好的轉(zhuǎn)換效率和更小、更輕的系統(tǒng)。 在這方面,功率...
2024-04-29 標(biāo)簽:三相功率轉(zhuǎn)換SiC 2811 0
在現(xiàn)代電子行業(yè),隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多,傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。
2024-04-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 992 0
一種軟件可配置的SiC MOSFET門驅(qū)動(dòng)方法
SiC技術(shù)已廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)、可再生能源/電網(wǎng)和其他應(yīng)用的中壓和高壓應(yīng)用中。為了充分發(fā)揮其優(yōu)勢,系統(tǒng)開發(fā)人員必須首先抵消其更快的開關(guān)速度帶來的不...
2024-04-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)SiC 634 0
在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越性能,成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品,它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。
不同的熱膨脹系數(shù) (CTE) 會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力并導(dǎo)致故障。嵌入到 AlN(周圍有銅層)等陶瓷基板上可以提供與SiC更好的 CTE 匹配,同時(shí)還可以創(chuàng)建所需的隔...
在 IP65 保護(hù)系統(tǒng)中,所有組件的耗散功率只能通過其表面(主要是散熱器)排出。因此,嵌入式系統(tǒng)中使用的逆變器的設(shè)計(jì)必須限度地減少功耗,并使用良好的熱界...
2024-05-03 標(biāo)簽:嵌入式系統(tǒng)逆變器SiC 508 0
什么是SiC boat?SiC boat有幾種不同的制作工藝?
SiC boat,即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中,裝載載晶圓進(jìn)行高溫處理的耐高溫配件。
在追求能源效率和對(duì)高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長的今天,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性,正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。
2024-04-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1667 0
在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)
使用電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)的測試結(jié)果,按照油耗測試方法WTLC進(jìn)行了模擬行駛仿真,確認(rèn)了第4代SiC MOSFET對(duì)電耗的改善效果。
短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用,其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。
2024-04-17 標(biāo)簽:MOSFET變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3662 0
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性,包括更高的臨界擊穿場強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,相比于傳統(tǒng)的硅材料,具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。
2024-04-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1853 0
深入對(duì)比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M...
2024-04-10 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管SiC 1705 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |