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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

碳化硅SiC功率器件的技術(shù)特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域

隨著能源轉(zhuǎn)換和輸電技術(shù)的發(fā)展，對(duì)高效、高速、高溫工作的半導(dǎo)體器件需求日益增長(zhǎng)。

2024-01-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管功率器件 1579 0

深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

2024-01-24 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 半導(dǎo)體 4181 0

了解柵極-源極電壓浪涌

由于這種開(kāi)關(guān)工作，受開(kāi)關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開(kāi)關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會(huì)在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。

2024-01-24 標(biāo)簽：MOSFET SiC 同步升壓 1036 0

碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究

為實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對(duì)現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對(duì)碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微...

2024-01-24 標(biāo)簽：SiC 晶片碳化硅 3142 0

SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿(mǎn)足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

2024-01-20 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)MOSFET 晶體管 1566 0

100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)

摘要：隨著人們環(huán)保意識(shí)的不斷提高，傳統(tǒng)的化石能源越來(lái)越無(wú)法滿(mǎn)足人們的要求，以太陽(yáng)能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關(guān)注。而并網(wǎng)逆變器作為新能源與電網(wǎng)連...

2024-01-19 標(biāo)簽：逆變器 IGBT 晶體管 2816 0

碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。

2024-01-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 晶片 2454 0

一種結(jié)合了SiC和GaN優(yōu)勢(shì)的晶體管

這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時(shí)代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開(kāi)始占領(lǐng)價(jià)值數(shù)十億美元的市場(chǎng)。例如，碳化硅現(xiàn)在是電動(dòng)汽...

2024-01-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 SiC 534 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場(chǎng)前景

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對(duì)碳化硅功...

2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1041 0

碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 SiC 3417 0

半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三...

2024-01-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1388 0

晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展

碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車(chē)、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-...

2024-01-16 標(biāo)簽：晶圓晶體管 SiC 1127 0

碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光...

2024-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1210 0

碳化硅升華生長(zhǎng)溫度測(cè)控研究

摘要：通過(guò)調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線(xiàn)圈的輸出功率來(lái)改變碳化硅升華生長(zhǎng)坩堝的加熱溫度，并采用 NaCl 和 Al2O3 進(jìn)行燒結(jié)實(shí)驗(yàn)，觀(guān)察不同輸出功率下燒結(jié)后的形貌變...

2024-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1136 0

設(shè)計(jì)SiC逆變器有哪些流程

SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計(jì)SiC逆變器需...

2024-01-10 標(biāo)簽：元器件逆變器 SiC 792 0

SiC和GaN市場(chǎng)未來(lái)如何發(fā)展

氮化鎵融資方面，今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域，相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大，達(dá)12億人民幣，投資方...

2024-01-10 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)光伏 SiC 428 0

碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用前景

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1043 0

基于SiC的電動(dòng)汽車(chē)用純電驅(qū)動(dòng)單元研究

《節(jié)能與新能源汽車(chē)技術(shù)路線(xiàn)圖2.0》明確了汽車(chē)技術(shù)“低碳化?信息化?智能”化發(fā)展方向?預(yù)計(jì)到2035年,節(jié)能與新能源汽車(chē)銷(xiāo)售暈占比達(dá)到50%?

2024-01-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)控制器 1324 0

碳化硅器件封裝與模塊化的關(guān)鍵技術(shù)

碳化硅（Silicon Carbide，簡(jiǎn)稱(chēng)SiC）器件封裝與模塊化是實(shí)現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。

2024-01-09 標(biāo)簽：射頻 SiC 碳化硅 812 0

碳化硅的特性、應(yīng)用及動(dòng)態(tài)測(cè)試

SiC是碳化硅的縮寫(xiě)。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱(chēng)，是一種用途廣泛的材料。

2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1560 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà)，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線(xiàn)供電

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無(wú)線(xiàn)供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠(chǎng)商。2015年2 月底，智能手表廠(chǎng)商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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手機(jī)快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽(yáng)能充電

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線(xiàn)電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
LT8705

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