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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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激光與碳化硅相互作用的機理及應用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標簽：半導體激光晶圓 3.1k 0

碳化硅（SiC）技術(shù)取代舊的硅FET和IGBT

所有類型的電動汽車（EV）的高功率、高電壓要求，包括電動公交車和其他電子交通電源系統(tǒng)，需要更高的碳化硅（SiC）技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高...

2023-05-06 標簽：電動汽車 IGBT SiC 3.1k 0

高效氮化鎵電源設計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...

2023-08-01 標簽：電源整流器德州儀器 3.1k 0

三菱電機SiC MOSFET在電動汽車中的應用（1）

隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經(jīng)成為推動電動汽車高效能的重要技術(shù)之一。本章節(jié)主要帶你探究三菱電機的SiC M...

2025-08-08 標簽：電動汽車二極管 MOSFET 3.1k 0

如何在中試線上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底？

從實際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降...

2023-06-20 標簽：半導體晶圓 SiC 3.1k 0

隔離比較器在電機驅(qū)動系統(tǒng)中的應用

功率半導體供應商不斷在導通損耗和開關(guān)速度上實現(xiàn)突破，推出更高的電流等級、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時間的半導體器件。并且隨著寬禁帶半導體器件成本降...

2022-10-14 標簽：比較器電機電機驅(qū)動 3.1k 0

碳化硅寬帶隙的重要性

寬帶隙半導體材料（如SiC）與更傳統(tǒng)的半導體材料（如Si）相比具有許多優(yōu)勢?？紤]帶隙隨著溫度升高而縮小的事實：如果我們從寬帶隙開始，那么溫度升高對功能的...

2023-05-24 標簽：半導體 DC-DC SiC 3.1k 0

如何實現(xiàn)SiC MOSFET的短路檢測及保護？

SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關(guān)頻率高達幾百K赫茲，門極驅(qū)動的設...

2023-06-01 標簽：英飛凌變壓器 MOSFET 3.1k 0

三菱電機SiC MOSFET在電動汽車中的應用（2）

隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經(jīng)成為推動電動汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機SiC...

2025-08-08 標簽：電動汽車 MOSFET 三菱電機 3.1k 0

小編科普一下碳化硅的理化性質(zhì)

碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應用最廣泛、...

2023-02-12 標簽：SiC 碳化硅電熱元件 3.1k 0

碳化硅MOSFET的經(jīng)濟高效且可靠的大功率解決方案

碳化硅已被證明是高功率和高電壓設備的理想材料。但是，設備的可靠性極其重要，我們不僅指短期可靠性，還指長期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素，但...

2022-08-09 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 3.1k 0

SiC對電力電子的挑戰(zhàn) 碳化硅組件的制造過程

由于SiC具有高導熱性，因此它比其他半導體材料更快地散發(fā)熱量。因此，SiC器件可以在極高的功率水平下運行，并且仍然可以散發(fā)器件產(chǎn)生的大量多余熱量。

2021-05-13 標簽：SiC 碳化硅 3.1k 0

碳化硅技術(shù)在電源逆變器上的應用！

碳化硅(SiC)是化合物半導體材料之一，具有獨特的材料性能。例如，它具有高電擊穿強度(硅的十倍)和導熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...

2022-11-17 標簽：SiC 電源逆變器碳化硅 3k 0

GAN功率器件在機器人上的應用實踐

GaN器件當前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應用于諸多電子設備中，如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...

2025-07-09 標簽：機器人晶體管 SiC 3k 0

意法半導體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導體要到2025年才開始推出。

2023-03-14 標簽：MOSFET 特斯拉 SiC 3k 0

如何通過柵極驅(qū)動技術(shù)實現(xiàn)SiC性能的最大化

SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢源于它們的帶隙，價帶頂部和導帶底部之間的能量差。電子從低能價帶移動到高能導帶使材料導電。

2021-02-20 標簽：電動汽車 IGBT 電源開關(guān) 3k 0

半導體激光器的熱耗散功率詳解

半導體激光器的熱狀態(tài)和工作方式有關(guān)，一般有三種工作方式。

2023-10-18 標簽：半導體激光器功率 3k 0

PCIM2024論文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機驅(qū)動

/摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOS...

2024-08-08 標簽：MOSFET 電機驅(qū)動 SiC 3k 0

GeneSiC的起源和碳化硅的未來

SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率，高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來， GeneSiC 開創(chuàng)了高性能，堅固，和可靠的碳化硅（SiC）用于汽車、...

2023-10-25 標簽：二極管驅(qū)動器功率器件 3k 0

三菱電機工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析

三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部...

2025-01-22 標簽：MOSFET 三菱電機 SiC 3k 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設備與設計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設計緊湊化、高壓設備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設備，用戶使用移動設備掃描設備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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