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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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PCIM2024論文摘要|新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機驅(qū)動
/摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOS...
確保SiC驗證測試準(zhǔn)確度,有效測量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號
在功率電子系統(tǒng)中,差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇,因為它可以毫無問題地添加到電路的任意節(jié)點中。
2021-07-13 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)SiC碳化硅 2433 0
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作...
SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率,高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來, GeneSiC 開創(chuàng)了高性能, 堅固, 和可靠的碳化硅 (SiC) 用于汽車、...
當(dāng)討論諸如開關(guān)模式電源(SMPS)或功率因數(shù)校正(PFC)之類的高功率密度和高頻應(yīng)用時,已知硅雙極二極管由于其反向恢復(fù)行為和由此產(chǎn)生的開關(guān)損耗而限制了這...
2021-05-27 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器PFC肖特基二極管 2374 0
三菱電機開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時器件內(nèi)部...
淺談各種SiC IGBT器件的制作過程與相關(guān)性能
通常來講,全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件,在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
2023-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2373 0
芯動半導(dǎo)體和博世汽車電子簽署長期訂單合作協(xié)議
功率半導(dǎo)體元件在新能源汽車中扮演關(guān)鍵角色,占據(jù)電機控制器價值量的30%-50%。因此,功率半導(dǎo)體元件的成本、性能和供貨能力對于車企在市場競爭中取得成功至關(guān)重要。
2023-12-08 標(biāo)簽:電機控制器SiC功率半導(dǎo)體 2364 0
引言 人們對用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù),可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域,例...
改變大功率燈或電機亮度的最佳技術(shù)之一是脈沖寬度調(diào)制 (PWM)。在汽車電子系統(tǒng)中,一段時間以來,控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執(zhí)行器。例如,柴...
隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機功率密度的提升,就需要提高開關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開關(guān)頻率在50k...
SiC,也稱為碳化硅,是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合,大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式:單個SiC晶粒可以燒結(jié)在...
硅是半導(dǎo)體的傳統(tǒng)材料,但其近親碳化硅(SiC)最近已成為激烈的競爭對手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應(yīng)用。它提供了更高的效率,并擴展了功率密度和工...
這種布置的要點是,它可以被解構(gòu)為相當(dāng)于一個全橋交流整流器,然后是一個功率因數(shù)校正升壓電路,但實際上與功率流一致的元件更少,損耗更低。圖騰柱電路中只需要兩...
2023-02-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2309 0
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