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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

功率半導體器件的雙脈沖測試方案

我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...

2025-01-22 標簽：IGBT SiC 功率半導體 2298 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。

2023-08-23 標簽：MOSFET IGBT SiC 2297 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-...

2023-02-08 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 2293 0

探訪三亞FE現(xiàn)場，揭秘文圖瑞車隊精彩逆變

歷經(jīng)Formula E三季的磨礪，羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車隊一同走過了怎樣的歷程？在香港站文圖瑞車隊勇奪冠軍，這背后離不開技術(shù)人員的默默付出。

2019-04-04 標簽：SiC 碳化硅羅姆 2285 0

使用Cauer網(wǎng)絡仿真熱行為與對開關(guān)損耗影響的評估

過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件...

2023-12-29 標簽：安森美 SiC 熱仿真 2274 0

SiC MOSFET的設(shè)計和制造

首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 標簽：芯片 MOSFET 晶圓 2273 0

碳化硅器件的基本特性都有哪些？

碳化硅（SiliconCarbide,SiC）器件作為第三代半導體材料的重要代表，近年來在電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。

2024-05-27 標簽：集成電路半導體 SiC 2270 0

半導體激光器的熱耗散功率詳解

半導體激光器的熱狀態(tài)和工作方式有關(guān)，一般有三種工作方式。

2023-10-18 標簽：半導體激光器功率 2269 0

功率半導體在光伏領(lǐng)域的應用

光伏逆變器按技術(shù)路線及功率水平可分為集中式、組串式和微型逆變器等。

2023-08-10 標簽：二極管 MOSFET 逆變器 2262 0

碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)

SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導率是硅的...

2024-03-08 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2256 0

車規(guī)模塊系列：賽米控SKiN技術(shù)介紹

芯片互連技術(shù)包括兩大類，有綁定線和無綁定線兩大類。其中，有綁定線的，我們再熟悉不過了，也是技術(shù)最為成熟的一類

2023-10-10 標簽：散熱器 IGBT SiC 2252 0

什么是800V高壓架構(gòu)？800V高壓架構(gòu)的多種方案

越來越多的車企向800V高壓平臺進軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么？它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”？400V和800V的電動車在用車體驗上...

2024-01-06 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2250 0

高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能

本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。這種 SiC JFET 適用于任何需要高功率和快速開關(guān)速度的應用。然而，它特別適合用于音頻...

2022-07-25 標簽：JFET SiC 碳化硅 2249 0

SiC外延片制備技術(shù)解析

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

2023-08-15 標簽：晶圓功率器件 SiC 2249 0

大族半導體SiC晶圓激光切割整套解決方案

改質(zhì)切割是一種將半導體晶圓分離成單個芯片或晶粒的激光技術(shù)。該過程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層，使晶圓可以通過輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。

2023-05-25 標簽：晶圓 SiC 激光切割 2245 0

采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無橋PFC和次級端穩(wěn)壓LLC電源

2023-11-24 標簽：PFC SiC LLC電源 2243 0

EV充電站的類型和使用方法

在全世界都致力于實現(xiàn)碳中和的同時，電動汽車 (EV) 也在迅速搶占內(nèi)燃機汽車的市場份額。然而，電動汽車存在里程焦慮的問題，用戶會擔心在不充電的情況下E...

2023-08-28 標簽：電動汽車 SiC LLC 2243 0

高耐壓超級結(jié)MOSFET的種類與特征

上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSF...

2023-02-10 標簽：MOSFET IGBT SiC 2239 0

SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)

SiC二極管，即碳化硅二極管，作為第三代半導體材料的重要應用之一，其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨特的重要性。以下將詳細闡述SiC二極管的工作原理和...

2024-09-10 標簽：二極管半導體 SiC 2225 0

驅(qū)動芯片的desat保護時間是如何計算的？

SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅(qū)動電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而...

2023-01-21 標簽：MOSFET 驅(qū)動電路 SiC 2218 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標準

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
納微半導體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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