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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽...
小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)?什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系? 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體,具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...
淺談各種SiC IGBT器件的制作過程與相關(guān)性能
通常來講,全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件,在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
2023-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2.9k 0
電源設(shè)計筆記:適用于高性能應(yīng)用的SiC JFET
本文檢查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——這篇文章純粹是指導(dǎo)性的;此組件不再可用。但是這種簡單的方法也可以應(yīng)用于其他新組件。在接下...
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...
2025-01-22 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2.9k 0
如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關(guān)損耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速開關(guān)速度、高額定電壓和低導(dǎo)通 RDS(on) 使其對電源設(shè)計人員極具吸引力,這些設(shè)計人員不斷尋找提高效率和功率密...
SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的優(yōu)化方案
作者:英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。65...
2021-03-25 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器SiC 2.9k 0
在半導(dǎo)體行業(yè)中碳化硅有哪些應(yīng)用呢?
碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了
SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢,在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而,SiC MOSFET面臨的...
改變大功率燈或電機亮度的最佳技術(shù)之一是脈沖寬度調(diào)制 (PWM)。在汽車電子系統(tǒng)中,一段時間以來,控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執(zhí)行器。例如,柴...
半導(dǎo)體“化學(xué)氣相沉積(CVD)碳化硅(Sic)”工藝技術(shù)詳解;
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”,系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的:產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...
碳化硅(SiliconCarbide,SiC)器件作為第三代半導(dǎo)體材料的重要代表,近年來在電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。
在電動汽車驅(qū)動控制器中,逆變控制器是實現(xiàn)能量交直流轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵部件,用于電機的驅(qū)動或制動時的能量回收或是提供交流電源。市場對于逆變控制器的能量傳輸效率、功...
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