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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為...
柵極環(huán)路電感對IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響簡析
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
用于改善SiC MOSFET導通瞬態(tài)的電荷泵柵極驅(qū)動
用于高功率和高頻應用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的結(jié)溫,其特點包括低導通電阻和更高的開關(guān)。SiC MOSFET 允許...
基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進展
近期,美國南卡羅來納大學報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導體異質(zhì)結(jié)場效應晶...
交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標的兩個關(guān)鍵因素。
2023-03-30 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1425 0
混合七電平T2C-HB 轉(zhuǎn)換器的新空間矢量調(diào)制方案
基于碳化硅 (SiC) 的多電平轉(zhuǎn)換器受到了很多關(guān)注,2-5 由于新興的 SiC 功率模塊,它們顯示出較小的功率損耗和高阻斷電壓。中性點鉗位 (NPC)...
2022-08-03 標簽:轉(zhuǎn)換器SiC 1418 0
摘要:碳化硅(SiC)功率模塊在電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產(chǎn)效率,本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅...
碳化硅(SiC)是一種陶瓷材料,出于半導體應用的目的,通常以單晶形式生長。其固有的材料特性,加上作為單晶生長,使其成為市場上最耐用的半導體材料之一。這種...
到20世紀中葉,電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛迪生發(fā)明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅,提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過高效電機實現(xiàn)的制冷,...
對基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長,以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量,從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術(shù)的應...
什么是碳化硅?SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些
碳化硅因其獨特的性能而被譽為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性,以及它在電力電子設備中的應用。
第三代半導體性能優(yōu)越,應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三...
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