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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的...

2023-08-14 標(biāo)簽：二極管 SiC MPS 1350 0

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，...

2022-11-14 標(biāo)簽：MOSFET FET SiC 1349 0

全方位解析碳化硅：應(yīng)用廣泛的高性能材料！

碳化硅（SiC），又稱碳硅石，是當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種。它以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，在多個領(lǐng)域展現(xiàn)了不可替代的...

2024-12-30 標(biāo)簽：材料 SiC 碳化硅 1346 0

如何有效地測量Sic MOSFET

隨著寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)變得越來越流行，正在執(zhí)行不同的耐久性測試來評估二極管在高溫和嚴(yán)酷電流循環(huán)條件下的運行情況。毫無疑問，電力電子在未來幾年內(nèi)將繼續(xù)在基礎(chǔ)...

2022-08-08 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 1344 0

SiC-MOSFET的應(yīng)用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處...

2023-02-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET IGBT 1343 0

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。

2023-10-09 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 1342 0

SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項

SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡...

2024-11-14 標(biāo)簽：晶圓功率器件 SiC 1334 0

寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運輸行業(yè)

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯整個交通運輸行業(yè)正在經(jīng)歷一場徹底的變革，內(nèi)燃機 (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動汽車...

2024-02-13 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 1333 0

APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

2023-04-27 標(biāo)簽：MOSFET 電源模塊 SiC 1332 0

什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析

近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因為，為了應(yīng)對全球共通的“節(jié)...

2023-11-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料 SiC 1328 0

基于SiC的電動汽車用純電驅(qū)動單元研究

《節(jié)能與新能源汽車技術(shù)路線圖2.0》明確了汽車技術(shù)“低碳化?信息化?智能”化發(fā)展方向?預(yù)計到2035年,節(jié)能與新能源汽車銷售暈占比達(dá)到50%?

2024-01-09 標(biāo)簽：電動汽車新能源汽車控制器 1327 0

理想的太陽能光伏逆變器如何造？

全球能源行業(yè)正處在一場持續(xù)而深刻的變革之中——即從化石燃料能源，向可再生能源的轉(zhuǎn)變。這個過程盡管曲折，但是對于大趨勢大家早已有了共識，加之近年來智能電網(wǎng)...

2024-11-20 標(biāo)簽：太陽能逆變器 SiC 1321 0

使用表面貼裝功率器件處理熱量

隨著電子應(yīng)用繼續(xù)以更小的設(shè)備尺寸實現(xiàn)更高的性能，組件也朝著更高的功率密度邁進。反過來，這意味著我們的應(yīng)用產(chǎn)生的熱量比以往任何時候都多。不受控制或管理不善...

2023-05-24 標(biāo)簽：電動汽車 SMD SiC 1318 0

安森美M1 1200 V SiC MOSFET動態(tài)特性分析

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必...

2023-06-16 標(biāo)簽：MOSFET 安森美 SiC 1315 0

過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件...

2024-01-05 標(biāo)簽：安森美仿真模型功率器件 1310 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

IGBT的低Vd（或低Id）范圍（在本例中是Vd到1V左右的范圍），在IGBT中是可忽略不計的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會構(gòu)成問題，但當(dāng)用電設(shè)備的電...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1309 0

橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

2022-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC VDS 1304 0

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著這兩大優(yōu)勢。

2023-02-08 標(biāo)簽：IGBT SiC 功率模塊 1299 0

SiC器件如何顛覆不間斷電源設(shè)計?

不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲能系統(tǒng)可以確保住宅、電信設(shè)施、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和其他關(guān)鍵設(shè)備的持續(xù)供電。憑借先進的半導(dǎo)體技術(shù)，這些...

2023-10-10 標(biāo)簽：UPS 安森美不間斷電源 1297 0

一文了解三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)

三菱電機開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你...

2024-12-18 標(biāo)簽：芯片二極管 MOSFET 1296 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
WPC

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手機快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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