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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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Bourns SiC SBD產(chǎn)品系列已經(jīng)擴展到十個額外型號
額外的650和1200V SiC SBD型號滿足當今交通、可再生能源和工業(yè)系統(tǒng)的功率密度要求。 Bourns宣布,它在現(xiàn)有的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二...
SiC(碳化硅)器件在電源中的應用日益廣泛,其獨特的物理和化學特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關鍵材料。以下將詳細探討SiC器件...
碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
為什么不用SiC來做IGBT?未來是否會大規(guī)模的使用SiC來做IGBT呢?
IGBT芯片是IGBT器件的主要部分,通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成:N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
作為“二十世紀最重要的新四大發(fā)明”之一,半導體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天,從人工智能到生物醫(yī)學,半導體無處不在,深刻地塑造著我們生活的方方面面。
SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱,是一種用途廣泛的材料。
為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管
圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器設計實現(xiàn)高功率密度
作者:Maurizio Di Paolo Emilio CISSOID宣布了專門為降低開關損耗或提高功率而量身定制的新型液冷模塊,屬于其三相碳化硅(Si...
2021-05-28 標簽:功率轉(zhuǎn)換器SiC柵極驅(qū)動器 1505 0
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
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