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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2:短路保護—軟關(guān)斷
想象一個場景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)...
功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛,幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè),傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機等。近年來,新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智...
2023-05-26 標(biāo)簽:分立器件SiC功率半導(dǎo)體 1267 0
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源SiC 963 0
基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進展
近期,美國南卡羅來納大學(xué)報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...
2023-05-25 標(biāo)簽:充電器晶體管場效應(yīng)晶體管 1425 0
碳化硅(SiC)是一種陶瓷材料,出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的,通常以單晶形式生長。其固有的材料特性,加上作為單晶生長,使其成為市場上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種...
SiC,也稱為碳化硅,是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合,大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式:單個SiC晶??梢詿Y(jié)在...
在典型的二極管中,p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后,你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結(jié),而不...
寬帶隙半導(dǎo)體材料(如SiC)與更傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料(如Si)相比具有許多優(yōu)勢??紤]帶隙隨著溫度升高而縮小的事實:如果我們從寬帶隙開始,那么溫度升高對功能的...
Wolfspeed參考設(shè)計為設(shè)計人員提供了良好的起點
除了提供詳細(xì)的參考設(shè)計、應(yīng)用注釋、模擬和 PLECS/LTSpice 模型(可點擊此處訪問 Wolfspeed 網(wǎng)站上的文檔庫查找)外,Wolfspee...
2023-05-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiCLTspice 856 0
與硅相比,寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),如 Wolfspeed 的碳化硅(SiC)MOSFET 和肖特基勢壘二極管(SBD)可為電源設(shè)計人員帶來諸多優(yōu)勢。更低的傳導(dǎo)...
SiC上的GaN的主要優(yōu)點是其導(dǎo)熱性優(yōu)勢。SiC上的GaN的導(dǎo)熱性是Si上的GaN的三倍,允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運行。Palmour解釋...
碳化硅解決方案滿足快速充電基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計要求
基于 SiC 的解決方案具有靈活性和適應(yīng)性,有助于滿足當(dāng)今對快速電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的需求,無論它是否是雙向充電站。無論如何,它們在任何情況下都...
像任何其他電動汽車一樣,公共汽車必須克服里程焦慮,因為它們必須能夠在不需要充電的情況下行駛最短的距離。他們還必須能夠找到距離合理的充電站并能夠快速充電。...
隨著電子應(yīng)用繼續(xù)以更小的設(shè)備尺寸實現(xiàn)更高的性能,組件也朝著更高的功率密度邁進。反過來,這意味著我們的應(yīng)用產(chǎn)生的熱量比以往任何時候都多。不受控制或管理不善...
使用Wolfspeed碳化硅MOSFET對常見拓?fù)溥M行建模
現(xiàn)在,工程師比以往任何時候都更多地選擇基于碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)品,因為它們比基于硅 (Si) 的組件具有更高的效率、功率密度和更好的整體系統(tǒng)成本效益...
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