SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評(píng)估研究進(jìn)展

與 Si 器件相比， SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能， 新特性給其結(jié)溫評(píng)估帶來(lái)了新挑 戰(zhàn)， 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評(píng)估方法可能不再適用于 Si...

2023-04-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體功率器件 5079 0

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。

2023-04-14 標(biāo)簽：肖特基二極管SiCGaN 750 0

碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點(diǎn)

碳化硅MOS優(yōu)點(diǎn)：高頻高效，高耐壓，高可靠性?？梢詫?shí)現(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

2023-04-12 標(biāo)簽：變壓器MOSFETIGBT 5750 0

碳化硅相對(duì)于硅的特性和優(yōu)勢(shì)有哪些

未來(lái)幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-04-11 標(biāo)簽：MOSFET電感器IGBT 2491 0

安森美碳化硅芯片的設(shè)計(jì)進(jìn)展及技術(shù)分析

減小了電場(chǎng)集中效應(yīng)，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個(gè)開(kāi)關(guān)單元有關(guān)，同時(shí)和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。

2023-04-07 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1484 0

基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解

通過(guò)凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時(shí),將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-04-07 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 458 0

用于碳化硅的Aehr測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)差距

Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。許多其他事情中，ATE工具取出探針卡，將它們與晶圓上的芯片完美對(duì)齊，并與晶圓上的電路進(jìn)行物...

2023-04-04 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體制造 1577 0

Si3N4為何要用AMB工藝？AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹

功率電子器件在電力存儲(chǔ)，電力輸送，電動(dòng)汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

2023-04-01 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiCDBC 7769 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見(jiàn)的類型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。

2023-04-01 標(biāo)簽：MOSFETJFETSiC 2483 0

用于高功率密度應(yīng)用的碳化硅功率器件

交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開(kāi)關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。

2023-03-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1425 0

SiC和GaN的共源共柵解決方案

GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。

2023-03-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車led逆變器 700 0