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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

碳化硅在半導體中有什么好處？

來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-02-16 標簽：半導體 IGBT SiC 1.2k 0

AC/DC拓撲：SpeedFit示例

SpeedFit 2.0 允許用戶模擬 AC/DC 應用的六種不同的單相拓撲。這些拓撲為有源單相升壓模式電路，用于功率因數(shù)校正（PFC）應用。PFC 的...

2023-05-20 標簽：電源二極管 SiC 1.2k 0

方正微電子SiC MOS功率模塊FA120P002AA簡介

方正微HPD SiC MOS模塊FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）是一款專為新能源車主驅(qū)逆變器設(shè)計的高性能SiC MOS功率模塊，旨在提供...

2025-07-31 標簽：芯片 MOS SiC 1.2k 0

為什么選擇SiC作為下一個雙向板載充電器設(shè)計呢？

硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導著電力電子行業(yè)，因為它們的技術(shù)成熟度和相對容易獲得。

2023-03-07 標簽：MOSFET 驅(qū)動器充電器 1.2k 0

SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作

2023-12-07 標簽：二極管 SiC 柵極驅(qū)動電路 1.2k 0

瑞能半導體最新WeenPACK-B系列SiC功率模塊產(chǎn)品介紹

WeenPACK-B產(chǎn)品系列是一款專為逆變器與變流器設(shè)計的高效功率模塊，高可靠、靈活集成的電力電子模塊化平臺，可覆蓋最大功率100kW的應用場景。包括工...

2025-03-04 標簽：逆變器 SiC 功率模塊 1.2k 0

SiC系統(tǒng)梳理貼

1月5日，比亞迪發(fā)布會重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型：比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控，時隔2年，比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布...

2023-06-29 標簽：半導體材料 SiC 碳化硅 1.2k 0

如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？

有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過熱會降低設(shè)備的電氣特性并導致過早失效，充分散熱、正確放置導熱墊以及確保充足的氣流對于 M...

2023-12-05 標簽：MOSFET SiC 熱管理 1.2k 0

使用SiC-SBD的優(yōu)勢

SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型...

2023-02-23 標簽：二極管半導體 SiC 1.2k 0

基于SiC器件的電力電子變流器研究

2023-06-20 標簽：電力電子 SiC 變流器 1.2k 0

基于國產(chǎn)PWM控制器和SiC MOSFET的反激輔助電源設(shè)計

傾佳電子楊茜提供基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)BTP2843DR與B2M600170H的1000V直流輸入反激輔...

2025-02-15 標簽：MOSFET 控制器 SiC 1.2k 0

SiC-SBD和SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推...

2023-02-22 標簽：二極管晶體管 SiC 1.2k 0

車規(guī)級功率器件可靠性測試難點及應用場景

車規(guī)級功率器件未來發(fā)展趨勢材料方面: SiC和GaN是必然趨勢，GaAs在細分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:...

2023-07-04 標簽：功率器件 SiC GaN 1.2k 0

提高SiC外延生長速率和品質(zhì)的方法

SiC外延設(shè)備的復雜性主要體現(xiàn)在反應室設(shè)計、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā)，嚴重影響外延膜的質(zhì)...

2025-02-06 標簽：半導體晶圓 SiC 1.2k 0

SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...

2024-10-16 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.2k 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。

2023-09-27 標簽：BGA SiC 芯片封裝 1.2k 0

SiC-MOSFET的應用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處...

2023-02-24 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 1.2k 0

碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來

在現(xiàn)代電子行業(yè)，隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應用的增多，傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

2024-04-29 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1.2k 0

功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測試中的應用

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動...

2024-11-26 標簽：半導體功率器件 SiC 1.2k 0

集成的專業(yè)知識為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案

氮化鎵是在高頻應用中實現(xiàn)高效運行的無可爭議的技術(shù)，例如 X 波段（8–12 GHz）的應用。SiC器件上的GaN可以為這些應用提供急需的高溫可靠性和...

2023-05-20 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.2k 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標準

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機快充

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
納微半導體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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