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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理特性,如高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等,在功率器件領(lǐng)域展...
Power Box Board幫助學(xué)生更好地了解Si和SiC技術(shù)
我們知道,技術(shù)教育不僅需要理論知識(shí),還需要實(shí)踐知識(shí)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),讓學(xué)生在電路層面理解更深層次的概念。2實(shí)驗(yàn)室實(shí)際上可以幫助學(xué)生理解電路設(shè)計(jì)概念等主題。Po...
2022-07-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器PowerSiC 824 0
碳化硅SiC的光學(xué)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用
碳化硅(SiC)在大口徑光學(xué)反射鏡上的應(yīng)用,主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應(yīng)等特性,成為空間觀測(cè)、深空探測(cè)等領(lǐng)域的核心材料。以下是關(guān)鍵應(yīng)用...
BD9S系列: 配置Power Good功能的車載ADAS用超小型降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器(2)
ROHM最近面向ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))的傳感器、攝像頭及雷達(dá)等要求小型化、節(jié)能化和高可靠性的汽車安全駕駛輔助模塊,開發(fā)出二次降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器“...
2023-02-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 823 0
電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離能力評(píng)估
電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏?..
碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì) 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...
隔離比較器在電機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用
電機(jī)在工業(yè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的趨勢(shì)是高效率,高功率密度和高可靠性。功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級(jí)...
2023-03-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體電機(jī) 816 0
浮思特|如何通過(guò)設(shè)計(jì)SiC功率模塊優(yōu)化電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)熱管理效率?
提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功率密度是提升電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊,有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...
2024-12-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 816 0
基于國(guó)產(chǎn)PWM控制器和SiC MOSFET的反激輔助電源設(shè)計(jì)
傾佳電子楊茜提供基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國(guó)產(chǎn)BTP2843DR與B2M600170H的1000V直流輸入反激輔...
SiC半導(dǎo)體如何成為比舊有技術(shù)更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案
隨著電動(dòng)汽車、可再生能源和 5G 等領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,為滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求,越來(lái)越多的工程師也在尋求全新解決方案,并對(duì)技術(shù)提出了更高的要求。
作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換...
Wolfspeed WolfPACK TM 是一款全 SiC 模塊,便于在單個(gè)封裝內(nèi)集成電路拓?fù)洌瑥亩詷?biāo)準(zhǔn)尺寸為功率電路提供更高的安培容量。該模塊體積...
氮化鎵技術(shù)壁壘是什么,氮化鎵優(yōu)異特性介紹
達(dá)摩院指出,近年來(lái)第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn),正在打開應(yīng)用市場(chǎng):SiC元件已用作汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。
新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造技術(shù)
柵極電壓。上升過(guò)程,P阱中電子流向溝道,空穴流出P阱,在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時(shí),P阱瞬態(tài)電位上升,等效閾值電壓升高; 漏極電壓下...
當(dāng)前,在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下,SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)展,加上我國(guó)經(jīng)濟(jì)快速騰飛,能源需求量大幅上升,在這樣...
SiC(碳化硅)逆變器是一種新型的電力電子器件,具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計(jì)SiC逆變器需...
三菱電機(jī)成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月1日)宣布,其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu),并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF80...
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