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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 918 0
溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對(duì)象,對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推...
AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SC12xFP2-LBZ介紹
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-優(yōu)點(diǎn)篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 912 0
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無(wú)論是前道工藝還是后道工藝,半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiC半導(dǎo)體器件 911 0
三相全橋SiC MOSFET模塊,為車載空調(diào)壓縮機(jī)提供創(chuàng)新解決方案
1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結(jié)構(gòu),以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能,展現(xiàn)了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優(yōu)勢(shì)...
使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體器件 907 0
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極-源極間電壓的動(dòng)作
上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作:下面是表示L...
20世紀(jì)中葉,住宅和工業(yè)電氣系統(tǒng)經(jīng)歷了重大創(chuàng)新。其中最具影響力的進(jìn)展之一是從傳統(tǒng)的可更換保險(xiǎn)絲轉(zhuǎn)向微型斷路器(MCB)。雖然保險(xiǎn)絲提供了基本的保護(hù),但在...
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-PCB板布局示例
截至上一篇文章,結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容,本文將對(duì)此前介紹過(guò)的PCB電路板布局示例進(jìn)行總結(jié)。使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例
在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越性能,成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品,它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來(lái)。
共讀好書(shū) 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 (湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心) 摘要: 針對(duì)SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求,...
隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用,從電動(dòng)汽車到數(shù)據(jù)中心,再到可再生能源系統(tǒng),其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域,碳化硅...
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開(kāi)通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測(cè)試波形的準(zhǔn)確性。
具體而言,SiC 近年來(lái)在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用,比如工業(yè)領(lǐng)域。對(duì)于 GAN 來(lái)說(shuō),可使用場(chǎng)景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場(chǎng)中有著很好的應(yīng)用,例如 IGB...
碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢(shì)
為減緩氣候變化的步伐,人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進(jìn)展,并且交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速。這些新興技術(shù)幾乎都要求使用大功率,對(duì)電源的要...
功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(二)——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
通過(guò)轉(zhuǎn)移到SiC技術(shù)來(lái)獲得暖通空調(diào)更佳的SEER等級(jí)
由于能源價(jià)格在過(guò)去12個(gè)月中大幅攀升,無(wú)論是企業(yè)還是消費(fèi)者都開(kāi)始感到巨大壓力。在歐洲,2020年至 2021期間,天然氣價(jià)格上漲了47%。
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