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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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一文了解SiC MOS的應用

作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換...

2024-06-21 標簽：半導體 MOS SiC 1.1k 0

浮思特|如何通過設(shè)計SiC功率模塊優(yōu)化電動汽車電機驅(qū)動熱管理效率?

提高電機驅(qū)動系統(tǒng)的功率密度是提升電動汽車性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

2024-12-09 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1.1k 0

碳化硅功率器件：革新電力電子的未來龍頭

在當今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品，它的出現(xiàn)預示著一次技術(shù)革命的悄然到來。

2024-04-26 標簽：逆變器功率器件 SiC 1.1k 0

碳化硅功率器件的工作原理和優(yōu)勢

　　隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動汽車到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應用范圍不斷擴大。在這一領(lǐng)域，碳化硅...

2023-12-26 標簽：半導體功率器件 SiC 1.1k 0

通過轉(zhuǎn)移到SiC技術(shù)來獲得暖通空調(diào)更佳的SEER等級

由于能源價格在過去12個月中大幅攀升，無論是企業(yè)還是消費者都開始感到巨大壓力。在歐洲，2020年至 2021期間，天然氣價格上漲了47%。

2023-07-08 標簽：空調(diào)Mouser SiC 1.1k 0

一文了解SiC碳化硅扥性能優(yōu)勢和使用場景

碳化硅(SiC) 是第三代半導體，相較于前兩代半導體(一代硅，二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能，上優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的...

2023-01-16 標簽：SiC 碳化硅 1.1k 0

半導體材料電磁特性測試方法

從鍺晶體管到 5G 芯片，半導體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。

2025-04-24 標簽：半導體材料 SiC 參數(shù)分析儀 1.1k 0

碳化硅在電動汽車的應用

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機（ICE）汽車到電動汽車（EV）的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動下，預計到45年，電動汽車將達到新車總銷量的...

2023-09-20 標簽：電動汽車 IGBT 晶體管 1.1k 0

碳化硅上的氮化鎵還是硅上的氮化鎵？

SiC上的GaN的主要優(yōu)點是其導熱性優(yōu)勢。SiC上的GaN的導熱性是Si上的GaN的三倍，允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運行。Palmour解釋...

2023-05-24 標簽：SiC GaN 5G 1.1k 0

硅基氮化鎵技術(shù)到底有啥優(yōu)勢？

具體而言，SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應用，比如工業(yè)領(lǐng)域。對于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應用，例如 IGB...

2023-02-10 標簽：IGBT SiC GaN 1.1k 0

大電流應用中SiC MOSFET模塊的應用

在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊

2023-01-03 標簽：MOSFET SiC 1.1k 0

在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項：探頭的CMRR

在對橋式結(jié)構(gòu)中的高邊（HS）MOSFET進行測試時，通常使用高壓差分探頭或差分探頭（*4）來觀測波形，但所用探頭的共模抑制比（CMRR）在高頻區(qū)域可能會...

2023-02-22 標簽：MOSFET 波形探頭 1.1k 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關(guān)導通時的Gate-Source間電壓的動作

上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOS...

2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1k 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應用場景

碳化硅功率器件利用SiC半導體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導率，以及更高的臨界擊穿電場強度。

2024-03-14 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1k 0

碳化硅晶圓劃片技術(shù)

碳化硅是寬禁帶半導體器件制造的核心材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢，是目前硅和砷化鎵等半導體材料所無...

2023-06-25 標簽：激光器發(fā)光二極管 SiC 1k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應用及發(fā)展

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其獨特的物理特性，如高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等，在功率器件領(lǐng)域展...

2023-12-28 標簽：半導體功率器件 SiC 1k 0

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時

2023-12-05 標簽：驅(qū)動器電壓柵極 1k 0

SiC半導體如何成為比舊有技術(shù)更具成本競爭力的解決方案

隨著電動汽車、可再生能源和 5G 等領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快，為滿足消費者和行業(yè)的需求，越來越多的工程師也在尋求全新解決方案，并對技術(shù)提出了更高的要求。

2023-04-27 標簽：半導體 IGBT FET 1k 0

借助SpeedFit設(shè)計仿真軟件縮短比較分析的時間

相較于基于硅（Si）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）之類的傳統(tǒng)技術(shù)，碳化硅（SiC）元件擁有明顯的優(yōu)點，因此很多應用都能從運用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標簽：IGBT 晶體管 SiC 1k 0

概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件

SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。

2023-06-16 標簽：MOSFET SiC 功率半導體 1k 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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