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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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如今,我們已經(jīng)無(wú)法想象沒(méi)有電的生活了。我們生活的各個(gè)方面越來(lái)越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過(guò)程中,功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。
概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 697 0
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對(duì)比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
碳化硅二極管在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導(dǎo)體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能...
2023-02-03 標(biāo)簽:肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 685 0
介紹SiC肖特基二級(jí)管在充電機(jī)AC-DC和DC-DC電路中的應(yīng)用
車載充電機(jī)是電動(dòng)汽車內(nèi)部的核心部件,其功能是按照電池管理系統(tǒng)的指令,動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)充電電流和電壓參數(shù),完成電動(dòng)汽車的充電過(guò)程。
如何利用TRENCHSTOP? 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC
緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)者一直追求的目標(biāo)。
如何設(shè)計(jì) IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動(dòng)電路以防止誤觸發(fā)?
在設(shè)計(jì)IGBT或SiCFET橋接電路時(shí),門驅(qū)動(dòng)電路的正確設(shè)計(jì)與選擇晶體管同樣重要,以確保高可靠性。對(duì)環(huán)境的關(guān)注是可再生能源、智能工業(yè)和電動(dòng)出行等趨勢(shì)背后...
2024-11-05 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路SiC 678 0
車規(guī)級(jí)SiC MOSFET制造技術(shù)進(jìn)展
隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對(duì)系統(tǒng)效率的不斷追求,SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來(lái)前所未有的增速。
2023-11-07 標(biāo)簽:新能源汽車SiC功率半導(dǎo)體 677 0
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)
報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 ...
SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn),可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用,本...
使用SiC技術(shù)應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前,先探討了 Si...
基于SiC模塊的電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)
壓縮機(jī)是汽車空調(diào)的一部分,它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經(jīng)冷凝器,節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱,實(shí)現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動(dòng)機(jī)為動(dòng)力,通過(guò)皮帶...
2024-11-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET壓縮機(jī) 671 0
基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
太陽(yáng)能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效,...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-橋式電路的開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
在上一篇文章中,對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說(shuō)。
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 669 0
益登科技受邀參加意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)
意法半導(dǎo)體一年一度的工業(yè)峰會(huì)于近日在深圳福田香格里拉大酒店舉辦,工業(yè)峰會(huì)是意法半導(dǎo)體充分展示工業(yè)產(chǎn)品技術(shù)和解決方案廣度和深度的頂級(jí)盛會(huì),今年已經(jīng)進(jìn)行到第...
2024-11-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車意法半導(dǎo)體SiC 665 0
圖騰柱PFC電路中的SiC FET可以實(shí)現(xiàn)承諾的效率增益
互聯(lián)網(wǎng)不知道是誰(shuí)首先創(chuàng)造了“無(wú)橋圖騰柱功率因數(shù)校正階段”一詞,但它一定是在異想天開(kāi)和靈感的時(shí)刻發(fā)明和命名的——在 AC/DC 電源中,該電路可以實(shí)現(xiàn)功率...
工業(yè)電池充電器的PFC級(jí)拓?fù)鋵?duì)比
工業(yè)設(shè)備正在向電動(dòng)化轉(zhuǎn)型,亟需穩(wěn)健、可靠、高效的電池充電方案。從電動(dòng)工具到重型機(jī)械,其充電器必須能夠適應(yīng)惡劣的環(huán)境和不同的電源(120-480 Vac)...
SiC模塊解決儲(chǔ)能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點(diǎn)
碳化硅(SiC) MOSFET的雙極性退化(Bipolar Degradation)是其在實(shí)際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問(wèn)題,尤其在儲(chǔ)能變流器(PCS)等高...
SiC MOSFET柵-源電壓測(cè)量:探頭頭部的安裝位置
關(guān)鍵要點(diǎn)?除了測(cè)量位置之外,探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi),就會(huì)受到磁通量變化的影響,而體現(xiàn)在觀測(cè)波形上。
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