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標(biāo)簽 > tsv
TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
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在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)不斷邁向高性能、小型化與多功能異構(gòu)集成的背景下,硅通孔(TSV,Through-SiliconVia)工藝作為實(shí)現(xiàn)芯片垂直互連與三維...
3D-IC通過采用TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了不同層芯片之間的垂直互連。這種設(shè)計(jì)顯著提升了系統(tǒng)集成度,同時(shí)有效地...
高性能計(jì)算機(jī)中日益廣泛采用“處理器+存儲器”體系架構(gòu),近兩年來Intel、AMD、 Nvidia都相繼推出了基于該構(gòu)架的計(jì)算處理單元產(chǎn)品,將多個(gè)存儲器與...
玻璃通孔(TGV,Through-Glass Via)技術(shù)是一種在玻璃基板上制造貫穿通孔的技術(shù),它與先進(jìn)封裝中的硅通孔(TSV)功能類似,被視為下一代三...
先進(jìn)封裝的核心概念、技術(shù)和發(fā)展趨勢
先進(jìn)封裝簡介 先進(jìn)封裝技術(shù)已成為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的主要推動(dòng)力之一,為突破傳統(tǒng)摩爾定律限制提供了新的技術(shù)手段。本文探討先進(jìn)封裝的核心概念、技術(shù)和發(fā)展趨勢...
在封裝史上,最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時(shí)起,更先進(jìn)的封裝形式(例如晶圓級扇出和 TCB)一直是相同核心原理的漸進(jìn)式改進(jìn)。
2024-02-27 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計(jì)蝕刻 4238 0
由于HPC先進(jìn)封裝的互連長度很短,將存儲器3D堆疊在邏輯之上或反之亦然,這被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)超高帶寬的最佳方法。不過,其局限性包括邏輯IC中用于功率和信號的大...
2024-02-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體封裝TSV 1031 0
TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進(jìn)展與趨勢展望
先進(jìn)封裝是芯片設(shè)計(jì)的必由之路。TSV則是必由之路上的服務(wù)站。世界上各個(gè)主要的IC廠商包括設(shè)計(jì)、晶圓、封測廠商,開發(fā)了一大批專利技術(shù),使用TSV達(dá)成各種復(fù)...
2024-02-25 標(biāo)簽:sram芯片設(shè)計(jì)TSV 1502 0
一文了解芯片封裝及底部填充(Underfill)技術(shù)(上)
芯片封裝作為設(shè)計(jì)和制造電子產(chǎn)品開發(fā)過程中的關(guān)鍵技術(shù)之一日益受到半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)注和重視。
想象一下,在一個(gè)由多棟低層樓房組成的住宅綜合體內(nèi),若要容納數(shù)千名居民,則需要占據(jù)非常大的面積才能滿足需求。
2024-01-25 標(biāo)簽:存儲器晶圓半導(dǎo)體封裝 1558 0
硅通孔技術(shù)(TSV,Through Silicon Via)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù),是2.5D/3D...
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