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TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認為是半導體行業(yè)最先進的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進展。
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硅通孔技術(shù)(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)是一項高密度封裝技術(shù),正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認為是第四代封裝技...
要實現(xiàn)三維集成,需要用到幾個關(guān)鍵技術(shù),如硅通孔(TSV),晶圓減薄處理,以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優(yōu)點,被認為是三維...
為了按比例縮小半導體IC,需要在300mm的晶圓上生成更精細的線條。據(jù)市場研究機構(gòu)VLSI Research(圖1)預測,雖然目前大多數(shù)量產(chǎn)的IC是基于...
摩爾定律指引集成電路不斷發(fā)展。摩爾定律指出:“集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目,每隔18-24個月就翻一倍;微處理器的性能提高一倍,或價格下降一半。
Sony的Xperia XZ Premium和Xperia XZ兩款旗艦級智能手機搭載了具有960fps畫面更新率的Motion Eye相機模組。這款三...
TSV 是目前半導體制造業(yè)中最為先進的技術(shù)之一,已經(jīng)應用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實現(xiàn)其制程的關(guān)鍵設備選擇與工藝選擇息息相關(guān), 在某種程度上直接決定了 TSV 的...
一文了解芯片封裝及底部填充(Underfill)技術(shù)(上)
芯片封裝作為設計和制造電子產(chǎn)品開發(fā)過程中的關(guān)鍵技術(shù)之一日益受到半導體行業(yè)的關(guān)注和重視。
先進工藝制程使得設計工程師們一次又一次突破了芯片性能、功耗和面積的極限。為了可以繼續(xù)速度更快、功能更強、造價更省的追求,摩爾人依然在孜孜不倦地尋找新的方...
玻璃通孔(TGV,Through-Glass Via)技術(shù)是一種在玻璃基板上制造貫穿通孔的技術(shù),它與先進封裝中的硅通孔(TSV)功能類似,被視為下一代三...
追求更小尺寸,3DIC將獲得廣泛應用?什么h是3DIC?傳感器該如何使自己更“苗條”
在不同的芯片或技術(shù)組合中,TSV技術(shù)還能提供更高水平的靈活度,例如采用45奈米制程的數(shù)字芯片中的芯片至芯片堆棧,以及在模擬晶圓(例如180nm)中,微機...
三維封裝技術(shù)是指在二維封裝技術(shù)的基礎上,進一步向垂直方向發(fā)展的微電子組裝技術(shù)。
TSV硅轉(zhuǎn)接基板的工藝結(jié)構(gòu)特點及可靠性分析
隨著三維集成技術(shù)的發(fā)展,如何將不同材料、結(jié)構(gòu)、工藝、功能的芯片器件實現(xiàn)一體化、多功能集成化是未來系統(tǒng)集成發(fā)展的重點?;赥SV、再布線(RDL)、微凸點...
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