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TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
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電化學(xué)沉積技術(shù)在集成電路行業(yè)有哪些應(yīng)用呢?
電 化 學(xué) 沉 積 技 術(shù), 簡(jiǎn) 稱 ECD(Electrical Chemical Deposition)技術(shù),也是應(yīng)用于半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)行業(yè)的電鍍技術(shù)...
TSV 指 Through Silicon Via,硅通孔技術(shù),是通過硅通道垂直穿過組成堆棧的不同芯片或不同層實(shí)現(xiàn)不同功能芯片集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。TSV...
全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變
先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)制程中的交叉區(qū)域,涉及IDM、晶圓代工、封測(cè)廠商,市場(chǎng)格局較為集中,前6 大廠商份額合計(jì)超過80%。全球主要的 6 家廠商,包...
先進(jìn)封裝關(guān)鍵技術(shù)之TSV框架研究
先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)的交叉區(qū)域 先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)制程中的交叉區(qū)域,涉及IDM、晶圓代工、封測(cè)廠商。先進(jìn)封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步...
來(lái)源:半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo) 從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的,TSV是首字母縮寫,意為“通過硅通...
什么是硅或TSV通路?使用TSV的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)
TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力,而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭,半導(dǎo)體器件的微型化也越來(lái)越依賴于集成T...
盤點(diǎn)先進(jìn)封裝基本術(shù)語(yǔ)
先進(jìn)封裝是“超越摩爾”(More than Moore)時(shí)代的一大技術(shù)亮點(diǎn)。當(dāng)芯片在每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上的微縮越來(lái)越困難、也越來(lái)越昂貴之際,工程師們將多個(gè)芯片...
TSV硅轉(zhuǎn)接基板的工藝結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及可靠性分析
隨著三維集成技術(shù)的發(fā)展,如何將不同材料、結(jié)構(gòu)、工藝、功能的芯片器件實(shí)現(xiàn)一體化、多功能集成化是未來(lái)系統(tǒng)集成發(fā)展的重點(diǎn)?;赥SV、再布線(RDL)、微凸點(diǎn)...
隨著晶圓代工制程不斷縮小,摩爾定律逼近極限,先進(jìn)封裝是后摩爾時(shí)代的必然選擇。其中,利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點(diǎn),采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方...
封裝設(shè)計(jì)中的電-熱-力多物理場(chǎng)耦合設(shè)計(jì)
集成電路及其封裝是典型的由名種材料構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)體系,也是典型的多物理場(chǎng)耦合系統(tǒng)。
國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn) SEMI G38-0996 和固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì) JEDECJESD51 標(biāo)準(zhǔn)中定義的集成電路中各項(xiàng)溫度點(diǎn)位置如圖所示,其中T3...
國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn) SEMI G38-0996 和固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì) JEDECJESD51 標(biāo)準(zhǔn)中定義的集成電路中各項(xiàng)溫度點(diǎn)位置如圖所示,其中T3...
硅通孔(TSV) 是當(dāng)前技術(shù)先進(jìn)性最高的封裝互連技術(shù)之一?;?TSV 封裝的核心工藝包括 TSV 制造、RDL/微凸點(diǎn)加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持等。
先進(jìn)封裝之TSV、TGV技術(shù)制作工藝和原理
摩爾定律指引集成電路不斷發(fā)展。摩爾定律指出:“集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目,每隔18-24個(gè)月就翻一倍;微處理器的性能提高一倍,或價(jià)格下降一半。
肖特基的硅片上制作孔專利 此后, IBM開始在集成電路領(lǐng)域發(fā)力,并在垂直電互連方面取得了突破。
肖特基的硅片上制作孔專利 此后, IBM開始在集成電路領(lǐng)域發(fā)力,并在垂直電互連方面取得了突破。
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