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先進(jìn)制程工藝止步14nm制程的原因有哪些？

臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。...

1336次閱讀 · 0評(píng)論臺(tái)積電14nm三星
45nm工藝直躍2nm工藝，日本芯片工藝憑什么？

搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個(gè)是技術(shù)，一個(gè)是資金，一個(gè)是市場(chǎng)，在技術(shù)上日本是指望跟美國(guó)的IBM公司合作，后者前兩年就演示過(guò)2nm工藝，但I(xiàn)BM的2nm工藝還停留在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別，距離量產(chǎn)要很遠(yuǎn)。...

705次閱讀 · 0評(píng)論 arm臺(tái)積電
關(guān)于半導(dǎo)體制造的封裝技術(shù)和分布情況

任何低于90%的成品率都是有問(wèn)題的。但芯片制造商只有通過(guò)反復(fù)吸取昂貴的教訓(xùn)，在此基礎(chǔ)上不斷提高對(duì)芯片制造的認(rèn)識(shí)，才能超越這個(gè)90%成品率的水平線。...

751次閱讀 · 0評(píng)論臺(tái)積電晶圓芯片設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體制造
芯片封裝內(nèi)MLCC的特點(diǎn)及應(yīng)用

“超微型”是芯片內(nèi)封裝MLCC的主要特點(diǎn)，01005/008004尺寸MLCC，超小體積、超薄高度的特點(diǎn)，非常適合芯片內(nèi)空間小的場(chǎng)景。...

1672次閱讀 · 0評(píng)論 MLCC芯片封裝
Wire Bond引線鍵合不良原因有哪些

金線與金線短路客戶: Atheros (CABGA) 不良: 金線與金線引腳短路失效模式: 測(cè)試失效 (短路)...

2538次閱讀 · 0評(píng)論引腳鍵合
淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。...

2292次閱讀 · 0評(píng)論 DRAMIC制造IMECEUV
SiP封裝的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

SiP封裝是指將多個(gè)不同芯片集成在同一個(gè)封裝體內(nèi)，形成一個(gè)器件系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)多功能、小尺寸、高性能、低成本的目標(biāo)。由于使用倒裝等不同的互連工藝，它可以分為FC-SiP和FC/WB-SiP等;含有芯片垂直方向堆疊的SiP稱為3D SiP。...

2122次閱讀 · 0評(píng)論處理器芯片SiP封裝工藝
電子封裝基本分類常見封裝方式簡(jiǎn)介

我們以光模塊的封裝為例，TOSA 和 ROSA 的主要封裝工藝包括 TO 同軸封裝、蝶形封裝、COB 封裝和 BOX 封裝。...

6031次閱讀 · 0評(píng)論激光器封裝光模塊
芯片封裝簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體芯片在作為產(chǎn)品發(fā)布之前要經(jīng)過(guò)測(cè)試以篩選出有缺陷的產(chǎn)品。每個(gè)芯片必須通過(guò)的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受元件影響。...

2180次閱讀 · 0評(píng)論芯片pcb半導(dǎo)體晶圓封裝
先進(jìn)封裝之TSV、TGV技術(shù)制作工藝和原理

摩爾定律指引集成電路不斷發(fā)展。摩爾定律指出：“集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目，每隔18-24個(gè)月就翻一倍；微處理器的性能提高一倍，或價(jià)格下降一半。...

27134次閱讀 · 0評(píng)論集成電路摩爾定律TSV硅通孔先進(jìn)封裝
什么是引線框架半導(dǎo)體引線框架的生產(chǎn)工藝

在集成電路中，引線框架和封裝材料起著固定芯片，保護(hù)內(nèi)部元件，傳遞電信號(hào)并向外散發(fā)元件熱量的作用。...

16741次閱讀 · 0評(píng)論集成電路半導(dǎo)體封裝
芯片封裝的主要五個(gè)步驟介紹

引線鍵合步驟完成后，就該進(jìn)行成型步驟了。注塑完成所需形狀的芯片封裝，并保護(hù)半導(dǎo)體集成電路免受熱和濕氣等物理因素的影響。使用環(huán)氧樹脂密封引線鍵合芯片，這樣就完成了我們所知道的半導(dǎo)體芯片。...

7392次閱讀 · 0評(píng)論集成電路晶圓芯片封裝半導(dǎo)體芯片
2.5D封裝和3D封裝的區(qū)別

裸芯通過(guò)微凸點(diǎn)組裝到Interposer上，如上圖所示。其Interposer上堆疊了三顆裸芯。Interposer包括兩種類型的互聯(lián)：①由微凸點(diǎn)和Interposer頂部的RDL組成的水平互連，它連接各種裸芯②由微凸點(diǎn)、TSV簇和C4凸點(diǎn)組成的垂直互聯(lián)，它將裸芯連接至封裝。...

13077次閱讀 · 0評(píng)論 3D封裝技術(shù)2.5D封裝
半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。...

4304次閱讀 · 0評(píng)論集成電路晶體管IC芯片刻蝕工藝
TSV核心技術(shù)：深硅刻蝕和電鍍

肖特基的硅片上制作孔專利此后， IBM開始在集成電路領(lǐng)域發(fā)力，并在垂直電互連方面取得了突破。...

3636次閱讀 · 0評(píng)論集成電路IBM摩爾定律晶圓TSV
一文解析DASP CdTe的本征缺陷計(jì)算

針對(duì)任一半導(dǎo)體，DASP軟件可以計(jì)算給出如下性質(zhì)：熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢(shì)空間的穩(wěn)定范圍、缺陷（含雜質(zhì)，下同）形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級(jí)、各生長(zhǎng)條件下的費(fèi)米能級(jí)、載流子和缺陷濃度、缺陷的光致發(fā)光譜、缺陷對(duì)載流子的俘獲截面、輻射和非輻射復(fù)合速率等。...

1117次閱讀 · 0評(píng)論晶體DASP
用于碳化硅的Aehr測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)差距

Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。許多其他事情中，ATE工具取出探針卡，將它們與晶圓上的芯片完美對(duì)齊，并與晶圓上的電路進(jìn)行物理接觸。然后它向電路發(fā)送精確的電氣測(cè)試信號(hào)以表征它們。...

1576次閱讀 · 0評(píng)論 SiCGaN半導(dǎo)體制造碳化硅ASML
SOC芯片的DFT策略的可測(cè)試性設(shè)計(jì)

SOC是在同一塊芯片中集成了CPU、各種存儲(chǔ)器、總線系統(tǒng)、專用模塊以及多種I/O接口的系統(tǒng)級(jí)超大規(guī)模集成電路。ASIC是專用于某一方面的芯片，與SOC芯片相比較為簡(jiǎn)單。...

8580次閱讀 · 0評(píng)論芯片模擬電路晶體管DFT測(cè)試封裝
晶圓劃片工藝流程及原理

通常來(lái)說(shuō)，對(duì)于小芯片減薄劃片時(shí)使用UV膜，對(duì)于大芯片減薄劃片時(shí)使用藍(lán)膜，因?yàn)?，UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時(shí)間和強(qiáng)度來(lái)控制，防止芯片在抓取的過(guò)程中漏抓或者抓崩。...

5778次閱讀 · 0評(píng)論芯片晶圓半導(dǎo)體晶圓
銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。...

3882次閱讀 · 0評(píng)論 IGBT氮化鎵功率模塊碳化硅