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在混合70/30 4k配置（70%讀，30%寫）中，R5100遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其他競爭對手，在88.7μs的延時下實(shí)現(xiàn)了701K IOPS的峰值性能，Solidigm和Memblaze排名第二和第三。...
Rambus是DDR5 RCD領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，從2016年就開始了DDR5相關(guān)的研發(fā)，擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。RCD位于DIMM的中心位置，接收來自內(nèi)存控制器的命控制和地址總線上的信號。...
盡管致態(tài)TiPlus7100 PCIe 4.0 SSD沒有配備獨(dú)立緩存，其閃存規(guī)格其實(shí)已經(jīng)領(lǐng)先很多高端產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品的最高標(biāo)稱順序讀寫速度可以達(dá)到7000MB/s、6000MB/s。而長江存儲自己的致態(tài)TiPro7000三體聯(lián)名版采用的都是接口速度為1600MT/s的3D NAND顆粒。...
半導(dǎo)體存儲器也是一個大類，它還可以進(jìn)一步劃分，主要分為：易失性（VM）存儲器與非易失性（NVM）存儲器。...
存儲器是半導(dǎo)體的重要市場之一，其約占據(jù)了半導(dǎo)體近1/3的市場份額。其中，從存儲芯片細(xì)分產(chǎn)品來看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲芯片95%以上的市場份額，NOR閃存占比1%，其他存儲芯片份額較小。...
研華SQRAM支持研華自主研發(fā)的SQ Manager軟件，可以實(shí)時監(jiān)控DRAM，提供有用的信息，包括動態(tài)內(nèi)存速度、溫度和高級過熱警報，以告知用戶內(nèi)存系統(tǒng)的運(yùn)行健康狀態(tài)。...
用DNA存儲信息的想法可以追溯到分子生物學(xué)出現(xiàn)的時期。生物化學(xué)家Frederick Sanger發(fā)明了Sanger測序法讓DNA序列可以測量，從此人類可以讀出以代號為A、T、C、G，排列組合而成的核苷酸序列。...
如果 FaceBoo k平臺創(chuàng)建的TPP協(xié)議是正確的，那么它將有一個不同的內(nèi)存分頁系統(tǒng)，可以更好地解決由于在服務(wù)器主板之外有大量池化內(nèi)存而帶來的稍高的延遲。...
地址譯碼器根據(jù)地址信號總線，選中相應(yīng)的存儲單元。假設(shè)譯碼器有j條地址輸入線，則可以尋址2的j次方個存儲器單元，則存儲矩陣由2的j次方個存儲器單元組成，每個存儲單元為k位。...
存儲器是計算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計算機(jī)才具有記憶功能?；镜拇鎯ζ鞣N類見圖基本存儲器種類。...
相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲數(shù)據(jù)。...
從致態(tài)TiPro7000三體聯(lián)名版的設(shè)計上，我們也能看到致態(tài)的努力，它不是簡單地僅僅刻上《三體》的經(jīng)典名句而已，其散熱器由厚達(dá)5毫米的鋁制材質(zhì)打造，全封閉設(shè)計，散熱器每一面都鋪設(shè)了0.5毫米厚的導(dǎo)熱膠，可以快速導(dǎo)出SSD兩面產(chǎn)生的熱量。...
近年來，隨著芯片工藝制造的進(jìn)步，工藝制程逐漸接近物理極限，深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展使得計算量和參數(shù)量呈指數(shù)上升。具有高密度，非易失，易加工等優(yōu)點(diǎn)的阻變存儲器(RRAM)，被認(rèn)為是最具代表性的新型存儲器之一，是低功耗，低成本、高算力兼?zhèn)涞睦硐脒x擇。...
需要設(shè)計一些算法使得能對整個存儲器做均衡的訪問，而不是僅僅去對幾個特定的區(qū)域持續(xù)寫入，將對某些塊的操作分布到整片存儲器上，實(shí)現(xiàn)各塊寫入的平衡，這類算法就稱為損耗均衡（wear leveling）算法。...
動態(tài)損耗均衡：這些算法通過重復(fù)使用擦除次數(shù)較少的塊來實(shí)現(xiàn)損耗平衡[1]。即當(dāng)下寫入地址的被寫入量超過規(guī)定的閾值時就讓其與一個認(rèn)為的寫入次數(shù)不大的地址做交換。...
傳統(tǒng)上，計算主要依賴于基于馮諾依曼架構(gòu)的互連設(shè)備。在此架構(gòu)的簡化版本中，存在三個計算構(gòu)建塊：內(nèi)存、輸入/輸出 (I/O) 接口和中央處理單元 (CPU)。...
DRAM屬于易失性存儲器，也就是大家常說的內(nèi)存。今天，我們再來看看半導(dǎo)體存儲的另一個重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等）。...
當(dāng)時，半導(dǎo)體存儲技術(shù)被分為ROM和RAM兩個方向。ROM是只讀存儲器，存儲數(shù)據(jù)不會因?yàn)閿嚯姸鴣G失，也稱外存。而RAM是隨機(jī)存取存儲器，用于存儲運(yùn)算數(shù)據(jù)，斷電后，數(shù)據(jù)會丟失，也稱內(nèi)存。...
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