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什么是去中心化存儲去中心化存儲如何實現(xiàn)

去中心化存儲，技術上不同于分布式存儲。去中心化存儲是在一個更加分散、更加不可信的網(wǎng)絡環(huán)境中，滿足一個更加安全、更加可信、更加可控的存儲的需求。直白一些的理解可以認為是可以用來存儲的Bitcoin。這里，要強調(diào)一點，就是區(qū)塊鏈本身并不是用作存儲的額，區(qū)塊鏈本身是一個賬本，用來記錄交易的信息。...

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三種不同方法表征存儲器特性

由于超快的CPU內(nèi)核與相對慢的存儲器之間的速度差距在日漸增大，存儲器系統(tǒng)可能成為當前制約系統(tǒng)性能的主要瓶頸。此外，低功耗是另一個重要的設計考慮，尤其在電池供電設備與日俱增的情況下更是如此。低功耗意味著更長的電池續(xù)航時間和設備使用時間。...

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什么是UFS2.0閃存？大數(shù)據(jù)存儲優(yōu)勢凸顯

UFS 2.0閃存的亮點正是讀取速快，相對主流動的eMMC 5.0閃存讀取速更快，據(jù)悉UFS 2.0閃存一秒即可寫入20首以上的歌曲，它能行更快的完成讀取操控，從而更早的回到待機狀態(tài)。...

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內(nèi)存數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)全面解析

隨著從通信設備到航空裝備和工業(yè)控制器等技術中對數(shù)據(jù)管理需求的不斷增長，以及受到這些設備中不斷增加的板載CPU、RAM和存儲資源的推動，數(shù)據(jù)庫管理系統(tǒng)（DBMS）軟件在電子設備中越來越普及。設備上的數(shù)據(jù)庫規(guī)模大小不一，從幾個GB的數(shù)據(jù)到支持電信計費/信用系統(tǒng)的等級評定和余額管理應用，再到10GB以上...

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一種可提升DRAM單元訪問速度的新技術探索與研究

本文作者曾經(jīng)為計算機主板制造公司撰寫關于自動超頻(overclock)的BIOS，發(fā)現(xiàn)微處理器由于受限于主存儲器的性能而必須降低頻率頻率來維持計算機系統(tǒng)的穩(wěn)定性，因而探索一種可提升DRAM單元訪問速度的新技術。無疑地，微處理器的頻率頻率可以透過許多方式大幅增加，但卻受限于主存儲器的性能而必須降低其...

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為什么你的手機實際內(nèi)存比標稱內(nèi)存要少很多

現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢？我們總是在說手機內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢？99%是用 NAND Flash 和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機...

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從DDR的前世與今生入手，關于存儲的基礎知識，你又知道多少呢？

DDR SDRAM又是在SDRAM的基礎上發(fā)展而來，這種改進型的DRAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢。...

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技術PK，到底誰才是SSD霸主？

一個是夕陽產(chǎn)業(yè)、一個是市場新星，機械硬盤與固態(tài)硬盤有著天與地區(qū)別的命運。雖然如此，奠基于溫徹斯特架構的機械硬盤在裝配時候由于對無塵環(huán)境的要求十分高，機械構造也很復雜，需要長年技術積累，導致了目前市場能做得起機械硬盤的就那么幾家。固態(tài)硬盤就不同了，PCB+NAND+主控的套路對于習慣了做電子芯片...

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基于VLT技術的新型DRAM詳解

OFweek垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態(tài)的內(nèi)存單元，無需刷新操作;兼容于現(xiàn)有晶圓廠的制造設備，也無需任何新的材料或工藝。...

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SSD硬盤和HDD硬盤對比哪種更適合數(shù)據(jù)存儲要求？

SSD硬盤和HDD硬盤之間的定價比較在企業(yè)存儲中起著關鍵作用。顯而易見，傳統(tǒng)的機械硬盤驅(qū)動器（HDD）是現(xiàn)代企業(yè)存儲環(huán)境的主要產(chǎn)品，也是大多數(shù)個人電腦中的固定設備，它受到更快但成本更高的固態(tài)硬盤驅(qū)動器（SSD）的挑戰(zhàn)。...

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關于存儲技術涉及的專業(yè)名詞介紹及各存儲器的區(qū)別

RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random access memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別。 SRAM：靜態(tài)隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機存儲器那樣...

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傲騰或?qū)⒏淖働C理論架構？

Intel傲騰（Optane）延續(xù)了混合硬盤的解決方案，而且從性能指標上并不比NVMe接口的高端SSD更出色，它甚至被拿來與消費級高端的三星960Pro/Evo、英特爾600p/6000p進行比較。以定位相對較低的英特爾600p系列產(chǎn)品為例，容量僅有16GB/32GB的Optane Memory讀性...

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一文讀懂塊存儲和文件存儲

塊存儲和文件存儲是我們比較熟悉的兩種主流的存儲類型，而對象存儲（Object-based Storage）是一種新的網(wǎng)絡存儲架構，基于對象存儲技術的設備就是對象存儲設備（Object-based Storage Device）簡稱OSD。...

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存儲對計算機系統(tǒng)會產(chǎn)生哪些影響

由于訪問速度、成本、功耗等指標的制約，計算機系統(tǒng)中的存儲往往不是作為一個單一的大塊存在，而是被設置成一個多級的層次結構。作為一個程序員，需要理解存儲器層次結構，因為它對應用程序的性能有著巨大的影響。...

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什么是閃存顆粒？2D NAND和3D NAND間的區(qū)別跟聯(lián)系又是什么？

如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價，閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競爭，以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。...

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架構/顆粒/接口/可靠性全面解析：最全面的閃存技術大普及

閃存最明顯特點就是穩(wěn)定性能，低時延和高隨機IOPS。對于閃存，在評估性能時，我們一般主要關注90% IO落入規(guī)定的時延范圍（性能是一個線性范圍，而不是某一個點）。數(shù)據(jù)保護等追求所有軟件特性都基于Inline實現(xiàn)，如Inline重刪、壓縮、Thin-Provisioning（尤其是重刪，一方面SSD...

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3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過它

3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者：（1）比NAND Flash快1000倍；（2）成本只有DRAM的一半；（3）使用壽命是NAND的1000倍；（4）密度是傳統(tǒng)存儲的10倍；...

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