最近，中國(guó)微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬
2017-01-06 13:59:21
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日前，中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬
2017-01-13 09:27:373045 中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊(duì)緊張而期待。由他們?cè)O(shè)計(jì)的一款I(lǐng)GBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進(jìn)行超高壓
2011-12-06 10:36:221687 的技術(shù)、項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)積累，著筆SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章，希望能給到大家一定的參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 本文作為系列文章的第五篇，主要針對(duì)SiC MOSFET相關(guān)應(yīng)用中的EMI改善方案做一些探討。 對(duì)設(shè)計(jì)人員而言，成功應(yīng)用 SiC MOSFET 的關(guān)鍵在于深入了解 SiC MOSFE
2022-08-30 09:31:001210 
?近日，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各項(xiàng)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。此舉標(biāo)志著芯塔電子在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展，進(jìn)一步
2022-08-29 15:08:57879 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高?！ ∫虼?，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過(guò)的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過(guò)目前ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說(shuō)明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例1：移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機(jī)，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制
2018-11-27 16:38:39
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問(wèn)題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
需求。如前所述，考慮到器件的長(zhǎng)期演變，多個(gè)SiC MOSFET供應(yīng)商擁有足夠可靠的器件這一事實(shí)已經(jīng)取得了巨大的進(jìn)步。圖5，經(jīng)YoleDéveloppement的“2016 Power SiC”報(bào)告［13
2023-02-27 13:48:12
MOSFET上進(jìn)行了加速柵極氧化物壽命測(cè)試。兩個(gè)測(cè)試結(jié)果之間的密切一致證實(shí)了SiC MOSFET是可靠的器件，當(dāng)在T = 175°C和V GS = 25V 下工作時(shí)，預(yù)計(jì)壽命超過(guò)100年。點(diǎn)擊顯示大圖圖2加速
2019-07-30 15:15:17
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
載流子器件（肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET）去實(shí)現(xiàn)高耐壓，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個(gè)特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說(shuō)，必須將超過(guò)Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開(kāi)關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無(wú)源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開(kāi)關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
連接步進(jìn)電機(jī)接線方法三張最實(shí)用的步進(jìn)電機(jī)接線圖
2021-02-04 06:32:01
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來(lái)了解一下SiC器件的未來(lái)需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲(chǔ)器研究工作中取得進(jìn)展，并被美國(guó)化學(xué)協(xié)會(huì)ACS Nano雜志在線報(bào)道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（ReRAM）具有低廉的價(jià)格
2010-12-29 15:13:32
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
LCOS是微電子學(xué)、光學(xué)和視頻顯示技術(shù)相結(jié)合的新技術(shù)。我國(guó)LCOS微顯示芯片的研究始于1998年，南開(kāi)大學(xué)信息學(xué)院光電子所在教育部和天津市科委的支持下，在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展了LCOS微顯示器芯片技術(shù)的研究，取得了重大進(jìn)展，自主研制成功我國(guó)第一枚LCOS微顯示芯片。
2019-09-12 09:11:53
基本的軟件參考代碼設(shè)計(jì)。通過(guò)結(jié)合Semtech LoRa?器件遠(yuǎn)距離、低功耗、靈敏度高等特點(diǎn)，以及復(fù)旦微電子MCU在表計(jì)、工業(yè)等場(chǎng)景的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，雙方提供了一個(gè)組網(wǎng)更靈活、現(xiàn)場(chǎng)部署更方便、具有更高
2023-02-13 17:44:32
微電子學(xué)概論 張興 2000年 01月版
2019-06-13 07:39:09
的量產(chǎn)化，并于 2010 年全球首家成功實(shí)現(xiàn)了 SiC-MOSFET 的量產(chǎn)。羅姆希望通過(guò)本次研討會(huì)，讓更多同行了解 SiC 的優(yōu)點(diǎn)和特性，更好地應(yīng)用 SiC 功率器件。研討會(huì)的演講概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們?cè)O(shè)為0.9Ω的阻值，通過(guò)下圖來(lái)看實(shí)際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過(guò)電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測(cè)試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力
電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
2020-04-24 18:08:05
``首先感謝羅姆公司提供的開(kāi)發(fā)板試用機(jī)會(huì)，本人作為高校學(xué)生，一直從事電源管理方向的研究，想向大功率的方向發(fā)展。SiC作為第三代半導(dǎo)體為功率電子的發(fā)展提供了很大的潛力，現(xiàn)在比較成熟的SiC器件制造廠商
2020-05-19 16:03:51
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開(kāi)箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
項(xiàng)目名稱：SiC mosfet 測(cè)試試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：公司開(kāi)發(fā)雙脈沖測(cè)試儀對(duì)接觸到Sic相關(guān)的資料。想通過(guò)此次試用進(jìn)一步了解相關(guān)性能。試用計(jì)劃：1、測(cè)試電源輸入輸出性能。2、使用公司設(shè)備測(cè)試Sic器件相關(guān)參數(shù)。3、編寫測(cè)試報(bào)告。
2020-04-21 15:54:54
）本身化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小，因此SiC（碳化硅）器件與傳統(tǒng)的Si（硅）器件相比存在三方面優(yōu)勢(shì)：更高的擊穿電壓強(qiáng)度；更低的損耗；更高的熱導(dǎo)率（當(dāng)然材料成本也高出不少）。這些特性意味著
2020-05-28 22:32:38
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
微電子三級(jí)封裝是什么？新型微電子封裝技術(shù)介紹
2021-04-23 06:01:30
。由于SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面非常有效，因此，希望在這里能加深對(duì)元器件的了解，以幫助大家更得心應(yīng)手地使用它。關(guān)鍵要點(diǎn):?SiC功率元器件是能夠降低損耗，并高溫環(huán)境的工作特性優(yōu)異的新一代低損耗
2018-11-29 14:39:47
科技有限公司已可以提供商業(yè)化的SOI材料。在SOI器件和電路研制方面有中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58所、航天時(shí)代集團(tuán)第七七一研究所、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所等。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所在
2011-07-06 14:11:29
崗位職責(zé)：1.負(fù)責(zé)工藝技術(shù)的研發(fā)；2.負(fù)責(zé)工藝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)及設(shè)計(jì)文件的編制、更改、編目；3.負(fù)責(zé)研發(fā)樣品的管理和工程樣片的測(cè)試、分析、評(píng)價(jià)；4.研究SiC功率器件方面的最新進(jìn)展，包括研究文獻(xiàn)、新設(shè)
2018-03-12 14:55:36
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
SiC MOSFET器件芯片部分出現(xiàn)電學(xué)失效現(xiàn)象：共16個(gè)器件，其中5個(gè)正常，11個(gè)失效。其中失效情況：芯片漏電，及部分芯片燒毀，送測(cè)樣品圖如下：金鑒工程師隨機(jī)抽取其中一個(gè)漏電失效MOS管器件芯片樣品進(jìn)行
2018-11-02 16:25:31
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件。②SiC功率元器件SiC是在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對(duì)于功率元器件來(lái)說(shuō)的重要參數(shù)都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si
2017-07-22 14:12:43
電子皮膚的觸覺(jué)感知、智能機(jī)械手等方面有重要潛在應(yīng)用?！彼f(shuō)。與此同時(shí)，作為柔性可穿戴電子，器件與柔軟組織間的機(jī)械不匹配是該領(lǐng)域需要解決的關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題之一。針對(duì)上述關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題，該團(tuán)隊(duì)研發(fā)了一種具有褶皺核
2018-09-21 11:53:21
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
低電壓，反之亦然。它是由PMOS與NMOS組成的。上圖是或門他們是由左邊的PMOS和NMOS組成，右邊的紅色的框是一個(gè)CMOS非門取反。以下三張圖是或門的其他三種情況。與門如上圖所示是由這些MOS管組成
2023-02-15 14:35:23
電源管理半導(dǎo)體的新進(jìn)展1979年電力電子學(xué)會(huì)在我國(guó)成立，此后，人們開(kāi)始把用于大功率方向的器件稱為電力半導(dǎo)體。由于微電子學(xué)把相關(guān)的器件稱為微電子器件，從而也有了電力電子器件之稱。電力半導(dǎo)體和電力
2009-12-11 15:47:08
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
。這就使得MOSFET在SiC功率電子器件中具有重要的意義。2000年研制了國(guó)內(nèi)第一個(gè)SiCMOSFETt31。器件最大跨導(dǎo)為0.36mS/mm，溝道電子遷移率僅為14cm2/(V·s)。反型層遷移率低
2017-06-16 10:37:22
SiC-MOSFET用作開(kāi)關(guān)而專門設(shè)計(jì)的電源用IC。這意味著SiC-MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET是不同的。您可能馬上會(huì)問(wèn)“有什么不同呢？”，在介紹電源IC之前，先來(lái)了解一下SiC-MOSFET
2018-11-27 16:54:24
的兩種SiC功率MOSFET，電流強(qiáng)度為45A，輸出電阻小于100微歐姆。這些元件將采用HiP247新型封裝，該封裝是專為SiC功率元件而設(shè)計(jì)，以提升其散熱性能。SiC的導(dǎo)熱率是矽的三倍。以意法半導(dǎo)體
2019-06-27 04:20:26
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
微電子器件應(yīng)用中的幾個(gè)重要問(wèn)題西安微電子技術(shù)研究所李志鑫（710054）摘 要 本文報(bào)道了半導(dǎo)體分立器件和集成電路應(yīng)用尤其是航天型號(hào)產(chǎn)品應(yīng)用中暴露
2009-08-27 18:58:21
11 微電子所硅器件與集成技術(shù)研究室成功研制出基于硅基液晶(LiquidCrystalonSilicon，LCoS)微顯示芯片
2011-12-09 09:05:14938 由中科院微電子研究所系統(tǒng)封裝技術(shù)研究室牽頭承擔(dān)的“高密度三維系統(tǒng)級(jí)封裝的關(guān)鍵技術(shù)研究”重大專項(xiàng)取得新進(jìn)展。
2011-12-16 09:04:36778 近日，微電子所系統(tǒng)封裝研究室（九室），在多芯片封裝研究上取得突破。該芯片在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域意義重大。電力的應(yīng)用正在朝多元化發(fā)展，電表集成模塊的數(shù)字化、智能化和多功能化
2012-03-08 09:17:30905 日前，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室(三室)在阻變存儲(chǔ)器微觀機(jī)制研究中取得系列進(jìn)展。
2012-04-13 09:31:301004 中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）超高速電路課題組在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性進(jìn)展，成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片
2012-04-26 08:55:203463 
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在22納米 CMOS關(guān)鍵技術(shù)先導(dǎo)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展
2012-12-11 11:31:032772 近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲(chǔ)器解決方案。
2017-05-09 01:07:311345 
基于微電子器件應(yīng)用中的幾個(gè)重要問(wèn)題
2017-10-18 08:37:5821 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 取得了系列科研進(jìn)展。 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）是指利用微納加工技術(shù)制作的、同時(shí)具有機(jī)械組元和電子組元的小型化器件或系統(tǒng)。
2017-12-10 11:09:01728 基于EUV的光刻仿真及應(yīng)用，致力提高中國(guó)EUV研發(fā)能力并共同培養(yǎng)該領(lǐng)域尖端人才。該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室得到了北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)國(guó)際科技合作專項(xiàng)的支持。 中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春、中科院微電子所科技處處長(zhǎng)李平、中科院微電子所計(jì)算光刻研發(fā)
2018-12-03 07:39:01502 受到國(guó)際多家研發(fā)機(jī)構(gòu)的高度關(guān)注。
2019-05-15 14:43:324144 近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（簡(jiǎn)稱VLSI國(guó)際研討會(huì)）在日本召開(kāi)。微電子所劉明院士科研團(tuán)隊(duì)在會(huì)上展示了高性能選通管的最新研究進(jìn)展。
2019-06-26 15:58:494346 中科院微電子所副總工程師梁利平研究員表示：“小基站在5G商用和下一步網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中正在扮演著越來(lái)越重要的角色，同時(shí)其產(chǎn)業(yè)化也離不開(kāi)新一代芯片和器件的支持。
2020-07-08 14:25:151638 近年來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會(huì)表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長(zhǎng)期的門極電應(yīng)力下會(huì)產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。本文闡述了如何通過(guò)調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓，來(lái)限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 本期分享的科研成果為蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)九月底于功率半導(dǎo)體頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議IEEE ISPSD發(fā)布的最新技術(shù)成果，其團(tuán)隊(duì)在器件制備、器件可靠性測(cè)試分析和器件制造方面取得重大進(jìn)展，有助于在高性能MIS（金屬
2020-10-25 10:19:492252 
3月7日，全國(guó)政協(xié)委員、中國(guó)科學(xué)院微電子所副所長(zhǎng)周玉梅在第二場(chǎng)委員通道上，直面公眾關(guān)注的芯片“卡脖子”問(wèn)題！
2021-03-08 09:44:034342 我們國(guó)家在3D打印技術(shù)方面是一直有研究的。就在近日，山東省增材制造工程技術(shù)研究中心蘭紅波教授團(tuán)隊(duì)在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)噴射微3D打印及應(yīng)用研究方面取得重要進(jìn)展，相關(guān)研究成果發(fā)表在《Advanced Materials》（SCI影響因子：27.398）上。
2021-04-23 15:28:44948 在開(kāi)關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢(shì)更為凸顯。 下文主要對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國(guó)外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對(duì)比。 國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開(kāi)始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532944 新一代航天器對(duì)宇航芯片的性能和抗輻射能力提出了更高要求。碳納米管器件的柵控效率高、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，是后摩爾時(shí)代最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體技術(shù)之一，并具有較強(qiáng)的空間應(yīng)用前景。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所抗輻照器件
2022-12-02 16:49:282655 針對(duì)此問(wèn)題，微電子所劉明院士團(tuán)隊(duì)制備了基于p型和n型有機(jī)分子構(gòu)成的單晶電荷轉(zhuǎn)移界面的晶體管器件，探究了電荷轉(zhuǎn)移界面以及柵氧界面電場(chǎng)的相互作用對(duì)晶體管工作時(shí)載流子及電導(dǎo)分布特性的影響。
2023-01-13 15:19:38370 在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032100 
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來(lái)了解一下SiC器件的未來(lái)需求。 ? 我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解
2023-02-20 15:56:442 驅(qū)動(dòng)芯片，需要考慮如下幾個(gè)方面： 驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)合，其面對(duì)的由于寄生參數(shù)所帶來(lái)的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開(kāi)啟電壓較
2023-02-27 14:42:0479 傳感新品 【中科院微電子所：在表面等離激元光纖生化傳感器方面取得重要進(jìn)展】 表面等離激元共振（SPR）光纖生化傳感器因其體積小、抗干擾、高靈敏度、無(wú)標(biāo)記、可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)端檢測(cè)等優(yōu)勢(shì)，在生化傳感、即時(shí)現(xiàn)場(chǎng)
2023-06-02 08:39:43618 
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所硅光子平臺(tái)基于微電子所先導(dǎo)中心成熟的8英寸CMOS工藝線，該CMOS工藝線支撐開(kāi)發(fā)了成套硅光工藝和器件，制定了設(shè)計(jì)規(guī)則和工藝規(guī)范，并形成了PDK。
2023-06-07 14:38:03786 
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點(diǎn)在于如何準(zhǔn)確測(cè)試出器件在長(zhǎng)期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場(chǎng)景下的“可恢復(fù)退化”與“不可恢復(fù)退化”一直以來(lái)很難區(qū)分，這給器件安全工作區(qū)的識(shí)別和壽命評(píng)估帶來(lái)了極大挑戰(zhàn)。
2023-06-08 15:37:12477 
傳感新品 【中科院微電子所：在納米森林柔性濕度傳感器及其應(yīng)用研究方面取得新進(jìn)展】 目前，各種電氣設(shè)備和系統(tǒng)，從照明開(kāi)關(guān)到公共場(chǎng)所的電梯或銀行提款機(jī)，其控制與操作一般采用觸摸方式完成，然而，這種傳統(tǒng)
2023-06-30 08:47:42626 
了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49357 
怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 近日，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展，相
2024-02-20 18:22:20793 
近日，Telink（泰凌微電子）、Google（谷歌）、HooRii Technology（和眾科技）共同參與的Matter聯(lián)合項(xiàng)目宣布取得重大進(jìn)展。在單臺(tái)MatterOTBR設(shè)備下，成功掛載了超過(guò)100臺(tái)Matter over Thread設(shè)備，這一數(shù)字相較于之前的限制有了巨大的提升。
2024-02-26 09:27:58483 近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所異質(zhì)集成XOI團(tuán)隊(duì)，在通訊波段硅基磷化銦異質(zhì)集成激光器方面取得了重要進(jìn)展。
2024-03-15 09:44:48144 
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