2014年LTE晶片大戰(zhàn)白熱化。在聯(lián)發(fā)科、博通與英特爾等業(yè)者相繼推出LTE晶片方案后，高通在LTE晶片市場(chǎng)的占有率正逐漸被瓜分；將使2014年LTE晶片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)進(jìn)入新的局面。

　　高通（Qualcomm）與聯(lián)發(fā)科已提前揭開(kāi)2014年長(zhǎng)程演進(jìn)計(jì)劃（LTE）晶片大戰(zhàn)序幕。聯(lián)發(fā)科于11月底正式推出八核心智慧型手機(jī)方案--MT6592，布局高階市場(chǎng)，未來(lái)該顆處理器將搭配多頻多模數(shù)據(jù)機(jī)（Modem），并整合為系統(tǒng)單晶片（SoC），讓聯(lián)發(fā)科有更多籌碼與高通勢(shì)力抗衡，在LTE市場(chǎng)的腳步站得更穩(wěn)健。

　　聯(lián)發(fā)科最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手高通亦不甘示弱，旋即在隔天發(fā)表支援進(jìn)階長(zhǎng)程演進(jìn)計(jì)劃（LTE-A）的數(shù)據(jù)機(jī)晶片組Gobi 9x35，最高頻寬可達(dá)40MHz，下載速度亦可達(dá)300Mbit/s，顯而易見(jiàn)，高通欲藉此向市場(chǎng)強(qiáng)調(diào)該公司與聯(lián)發(fā)科的技術(shù)差距以及市場(chǎng)霸主地位。

　　然而，聯(lián)發(fā)科與高通間的戰(zhàn)火還不止于應(yīng)用處理器及基頻（Baseband）晶片。據(jù)了解，兩家公司為持續(xù)強(qiáng)化于LTE市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，早已將觸角延伸至功率放大器（PA）領(lǐng)域，欲進(jìn)一步以包絡(luò)跟蹤（Envelope Tracking）技術(shù)（圖1）提升行動(dòng)裝置電池續(xù)航力，盼藉此吸引廠(chǎng)商青睞。

　　圖1 高通包絡(luò)跟蹤技術(shù)　圖片來(lái)源：高通

　　包絡(luò)跟蹤技術(shù)炙手可熱

　　圖2 聯(lián)發(fā)科無(wú)線(xiàn)技術(shù)開(kāi)發(fā)本部系統(tǒng)應(yīng)用處處長(zhǎng) 楊文蔚（右）認(rèn)為，包絡(luò)跟蹤技術(shù)將是LTE時(shí)代延長(zhǎng)行動(dòng)裝置續(xù)航力的重要關(guān)鍵。左為***羅德史瓦茲總經(jīng)理蔡吉文。

　　聯(lián)發(fā)科無(wú)線(xiàn)技術(shù)開(kāi)發(fā)本部系統(tǒng)應(yīng)用處處長(zhǎng)楊文蔚（圖2）表示，在LTE時(shí)代，行動(dòng)裝置利用包絡(luò)跟蹤技術(shù)的省電效益將十分明顯。包絡(luò)跟蹤技術(shù)系根據(jù)封包輸出訊號(hào)調(diào)整功率放大器功率級(jí)（Power Stage）的供應(yīng)電壓，藉此改善功率放大器的峰值電流效率。包絡(luò)跟蹤技術(shù)對(duì)于分頻雙工長(zhǎng)程演進(jìn)計(jì)劃（FDD-LTE）而言效益相當(dāng)顯著，由于該技術(shù)常處于持續(xù)運(yùn)作（Always-on）狀態(tài)，因此加入包絡(luò)跟蹤技術(shù)將大幅降低功耗，在過(guò)程中可以降低至少80？100毫安培（mA）的發(fā)射功率，提升行動(dòng)裝置續(xù)航力。

　　事實(shí)上，高通已在Google最新手機(jī)Nexus 5中，搶先透過(guò)RF360前端解決方案中的封包追蹤技術(shù)，大幅降低系統(tǒng)溫度、功耗及電路板面積，讓Nexus 5即使具備LTE、802.11ac無(wú)線(xiàn)區(qū)域網(wǎng)路（Wi-Fi）等通訊功能，仍能保持持續(xù)通話(huà)17小時(shí)的超長(zhǎng)續(xù)航力。

　　Nexus 5電池續(xù)航力大增

　　高通科技（Qualcomm Technologies）執(zhí)行副總裁暨共同總裁Murthy Renduchintala指出，Android最新一代的作業(yè)系統(tǒng)KitKat與高通的行動(dòng)處理器結(jié)合，將可以出色地以L(fǎng)TE連結(jié)、圖形演算及高速處理效能創(chuàng)造出理想的行動(dòng)裝置使用者經(jīng)驗(yàn)。

　　據(jù)了解，Nexus 5采用高通QFE1100，該方案系高通RF360前端的重要元件，可以全方位的系統(tǒng)級(jí)方案協(xié)助原始設(shè)備制造商（OEM）開(kāi)發(fā)單顆、支援全球頻段的4G LTE設(shè)計(jì)。此外，QFE1100還具備為3G/4G LTE裝置設(shè)計(jì)的包絡(luò)跟蹤技術(shù)，與傳統(tǒng)射頻（RF）前端方案相較，LTE數(shù)據(jù)機(jī)晶片搭配該技術(shù)可動(dòng)態(tài)調(diào)整功率放大器電壓，溫度降低幅度達(dá)30%、電力消耗亦減少20%，且行動(dòng)裝置傳送訊號(hào)品質(zhì)亦同時(shí)改善。

　　Renduchintala進(jìn)一步指出，由于高通的包絡(luò)跟蹤技術(shù)采用高整合多頻多模PA，因而可顯著縮小電路板面積，成為Nexus 5可以在更輕薄的設(shè)計(jì)中提供給消費(fèi)者更長(zhǎng)電池續(xù)航力的重要關(guān)鍵。

　　Nexus 5亦同時(shí)采用高通Snapdragon 800處理器，提升整體使用者經(jīng)驗(yàn)、圖形豐富度以及電池使用效率。根據(jù)Google官方資料指出，Nexus 5內(nèi)建2，300毫安時(shí)（mAh）電池，可持續(xù)通話(huà)17小時(shí)、待機(jī)時(shí)間高達(dá)300小時(shí)；或者消費(fèi)者可以利用雙頻（2.4GHz/5GHz）Wi-Fi上網(wǎng)8.5小時(shí)以上，以及單獨(dú)使用LTE網(wǎng)路7小時(shí)。此外，Google更于Nexus 5內(nèi)建無(wú)線(xiàn)充電功能，支援無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（WPC）的Qi標(biāo)準(zhǔn)。

　　創(chuàng)造產(chǎn)品差異化　聯(lián)發(fā)科聚焦封包追蹤技術(shù)

　　在高通順利將封包追蹤技術(shù)導(dǎo)入Nexus 5同時(shí)，聯(lián)發(fā)科亦卯足全力研發(fā)封包追蹤技術(shù)，欲利用該技術(shù)做為進(jìn)軍LTE市場(chǎng)的重要武器。

　　瞄準(zhǔn)中國(guó)大陸LTE市場(chǎng)商機(jī)，聯(lián)發(fā)科已展開(kāi)全面布局，除先于2013年11月底推出八核應(yīng)用處理器，明年中更將進(jìn)一步推出四核/八核與LTE基頻處理器整合的系統(tǒng)單晶片，藉此拉近與高通的競(jìng)爭(zhēng)差距，不僅如此，該公司也積極與第三方合作夥伴共同研發(fā)封包追蹤技術(shù)，以降低LTE手機(jī)射頻前端系統(tǒng)功耗，延長(zhǎng)電池使用壽命。

　　過(guò)去，功率放大器為順利放大、傳達(dá)訊號(hào)至基地臺(tái)（Cell Tower），往往以固定的供應(yīng)電壓運(yùn)作，且設(shè)定值遠(yuǎn)高于其運(yùn)作所需，導(dǎo)致能源使用效益低落，多余的功耗則以熱的方式逸散，造成系統(tǒng)溫度上升，同時(shí)減少不少電池壽命。

　　此外，多頻多模功率放大器效率及與濾波器（Filter）間的相互關(guān)系也將影響電源效益；而封包追蹤技術(shù)將可以降低功率放大器電流，以達(dá)到大幅度減少整體功耗的效果。

　　楊文蔚進(jìn)一步指出，相較于分離式的方案，多頻多模功率放大器無(wú)論在尺寸、支援頻段、效能及成本上皆?xún)?yōu)于前者。為實(shí)現(xiàn)多頻多模設(shè)計(jì)，業(yè)界除著重于增加功率放大器埠（Port）數(shù)以支援寬頻分碼多工存?。?a href="http://www.brongaenegriffin.com/soft/data/43-48/" target="_blank">WCDMA）及LTE等多種頻段外，更將聚焦于功率放大器的電源運(yùn)作效率，以呈現(xiàn)更完善的使用者經(jīng)驗(yàn)。

　　楊文蔚透露，由于包絡(luò)跟蹤調(diào)變器（Modulator）效率對(duì)射頻前端而言十分關(guān)鍵，因此聯(lián)發(fā)科與其他廠(chǎng)商亦投入研發(fā)，盼能協(xié)助客戶(hù)在更小的印刷電路板面積中提供更高運(yùn)作效率的射頻系統(tǒng)。

　　正當(dāng)高通及聯(lián)發(fā)科兩大處理器廠(chǎng)著眼于包絡(luò)跟蹤技術(shù)之際，英特爾（Intel）與博通（Broadcom）也動(dòng)作頻頻，全力爭(zhēng)搶LTE晶片市場(chǎng)探花席位。

　　爭(zhēng)當(dāng)LTE市場(chǎng)探花　Intel/博通正面對(duì)決

　　圖3 Gartner研究副總裁洪岑維指出，隨著各家廠(chǎng)商接連推出LTE方案及整合AP的SoC方案，明年LTE晶片商競(jìng)爭(zhēng)將愈趨白熱化。

　　Gartner研究副總裁洪岑維（圖3）表示，2014年可視為L(zhǎng)TE晶片商正式開(kāi)戰(zhàn)的一年，屆時(shí)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)將不像今年，由高通一家獨(dú)占九成以上的市場(chǎng)，而將隨著聯(lián)發(fā)科、博通以及英特爾等廠(chǎng)商產(chǎn)品的出籠，形成「一大三小」的新局面。

　　Gartner預(yù)估，明年高通仍將保有八成至九成的市占，而聯(lián)發(fā)科則可望于今年底發(fā)表四核/八核應(yīng)用處理器搭配LTE基頻晶片的解決方案后，搶得中國(guó)大陸市場(chǎng)一席之地，并且于明年中發(fā)表應(yīng)用處理器整合基頻晶片的系統(tǒng)單晶片方案后，進(jìn)一步擴(kuò)大智慧手機(jī)及平板市占，奪下LTE晶片市占榜眼。

　　不過(guò)，由于聯(lián)發(fā)科目前的LTE方案若要進(jìn)軍中國(guó)大陸以外市場(chǎng)，尚須通過(guò)當(dāng)?shù)仉娦胚\(yùn)營(yíng)商的驗(yàn)證程序，將耗費(fèi)6？9個(gè)月的時(shí)間，相較之下，博通并購(gòu)瑞薩LTE資產(chǎn)后，已擁有通過(guò)北美、日本及歐洲驗(yàn)證市場(chǎng)的雙核LTE系統(tǒng)單晶片方案，且博通與三星（Samsung）的供應(yīng)鏈關(guān)系十分穩(wěn)固，因此可望藉由三星外銷(xiāo)至歐洲的行動(dòng)裝置穩(wěn)定出貨量，一舉推升博通LTE方案的市場(chǎng)滲透率。

　　盡管如此，英特爾也非省油的燈。英特爾的LTE解決方案--XMM 7160已通過(guò)亞洲、歐洲，以及北美等地各大基礎(chǔ)設(shè)備廠(chǎng)商與一線(xiàn)電信業(yè)者的互通性測(cè)試。不僅如此，為加速其LTE方案市場(chǎng)滲透速度，該公司同時(shí)推出PCIe M.2 LTE模組，能為各種類(lèi)型的裝置加入多模（2G/3G/LTE）數(shù)據(jù)連結(jié)功能。

　　據(jù)英特爾官方資料指出，M.2模組目前正和全球各地一線(xiàn)服務(wù)供應(yīng)商進(jìn)行互通性測(cè)試，不久后將整合在各家廠(chǎng)商推出的產(chǎn)品中，其中包括華為、司亞樂(lè)無(wú)線(xiàn)通訊（Sierra Wireless）及泰利特（Telit），這些模組可望內(nèi)建于全球主要制造商在2014年出貨的平板電腦與超輕薄筆電（Ultrabook）中，由此可知，英特爾的LTE方案市場(chǎng)表現(xiàn)在2014年將大有斬獲。

　　整體而言，明年全球LTE晶片出貨量將翻倍成長(zhǎng)，而晶片商間的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)將愈趨激烈，但高通仍將穩(wěn)居龍頭，聯(lián)發(fā)科則受惠于中國(guó)移動(dòng)等中國(guó)大陸電信商采購(gòu)案的營(yíng)收挹注緊追于后，至于博通及英特爾間的探花爭(zhēng)奪戰(zhàn)，則將由歐洲開(kāi)始延燒。