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LTC3612 :采用3mm x 4mm QFN封裝的3A、

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2025-06-10 14:37:44712

TPS62813M 2.75V 至 6V、3A 降壓轉換器,采用 2mm x 3mm QFN 封裝數據手冊

TPS6281xM 是引腳對引腳 1A、2A、3A4A 同步降壓直流/直流轉換器系列。所有設備均提供高效率和易用性。該器件系列基于峰值電流模式控制拓撲。低電阻開關在高環(huán)境溫度下允許高達 4A
2025-06-09 16:55:34553

TPS62811M 2.75V 至 6V、1A 降壓轉換器,采用 2mm x 3mm QFN 封裝數據手冊

TPS6281xM 是引腳對引腳 1A、2A、3A4A 同步降壓直流/直流轉換器系列。所有設備均提供高效率和易用性。該器件系列基于峰值電流模式控制拓撲。低電阻開關在高環(huán)境溫度下允許高達 4A
2025-06-09 16:47:57517

TPS62810M 2.75V 至 6V、4A 降壓轉換器,采用 2mm x 3mm QFN 封裝數據手冊

TPS6281xM 是引腳對引腳 1A、2A3A4A 同步降壓直流/直流轉換器系列。所有設備均提供高效率和易用性。該器件系列基于峰值電流模式控制拓撲。低電阻開關在高環(huán)境溫度下允許高達 4A
2025-06-09 10:51:44542

TPS62812M 采用 2mm x 3mm QFN 封裝的 2.75V 至 6V、2A 降壓轉換器數據手冊

TPS6281xM 是引腳對引腳 1A、2A、3A4A 同步降壓直流/直流轉換器系列。所有設備均提供高效率和易用性。該器件系列基于峰值電流模式控制拓撲。低電阻開關在高環(huán)境溫度下允許高達 4A
2025-06-09 10:38:41552

TPS628503 采用 SOT-583 封裝的 2.7V 至 6V、3A、可調頻率降壓轉換器數據手冊

TPS62850x 是引腳對引腳 1A、2A(連續(xù))和 3A(峰值)高效率、易于使用的同步降壓直流/直流轉換器系列。這些器件基于峰值電流模式控制拓撲。低電阻開關允許高達 2A 的連續(xù)輸出電流和 3A
2025-06-07 16:06:14732

TPS628513 采用 SOT-583 封裝的 2.7V 至 6V、3A、固定頻率降壓轉換器數據手冊

3A 的峰值電流。開關頻率在內部固定為 2.25 MHz,也可以與 1.8 MHz 至 4 MHz 范圍內的外部時鐘同步。在 PWM/PFM 模式下,TPS62851x 會在輕負載時自動進入省電模式
2025-06-07 14:53:12668

LMQ66430 具有 1.5μA IQ 的 36V、3A 低 EMI 同步降壓轉換器數據手冊

LMQ664x0 是業(yè)界最小的 36V、3A(提供 2A 和 1A 型號)同步降壓直流/直流轉換器,具有集成旁路和自舉電容器,采用增強型 HotRod? QFN 封裝。這款易于使用的轉換器支持 2.7 V 至 36 V(啟動后或運行后)的寬輸入電壓范圍,瞬態(tài)電壓高達 42 V。
2025-06-06 15:25:47629

LMQ66430-Q1 具有 1.5μA IQ 的汽車類 36V、3A 低 EMI 同步降壓轉換器數據手冊

LMQ664x0-Q1 是業(yè)界最小的 36V、3A(提供 2A 和 1A 型號)同步降壓 DC/DC 轉換器,具有集成旁路和自舉電容器,采用增強型 HotRod QFN 封裝。這款易于使用的轉換器支持 2.7V 至 36V 的寬輸入電壓范圍(啟動后或運行后),瞬態(tài)電壓高達 42V。
2025-06-06 15:18:36812

TPS62442 采用 QFN 封裝的 2.75V 至 6V、雙通道 2A3A 和 1A 降壓轉換器數據手冊

TPS6244x 是引腳對引腳雙通道 1A、雙通道 2A3A/1A 高效且易于使用的同步降壓直流/直流轉換器系列。該器件系列基于峰值電流模式控制拓撲。這些器件專為電機驅動和機器人等工業(yè)應用而設
2025-06-05 17:06:51780

TPS563206 采用 SOT563 封裝的 4.2V 至 17V 輸入、3A 同步降壓轉換器數據手冊

TPS563203,TPS563206 都是簡單易用的 3A 同步降壓轉換器,采用 SOT563 封裝。 這些器件旨在以最少的外部元件數量運行,并實現低待機電流。
2025-06-04 15:11:13555

TPS563203 采用 SOT563 封裝的 4.2V 至 17V 輸入、3A 同步降壓轉換器數據手冊

TPS563203,TPS563206 都是簡單易用的 3A 同步降壓轉換器,采用 SOT563 封裝。 這些器件旨在以最少的外部元件數量運行,并實現低待機電流。
2025-06-04 14:53:27645

LMR60430-Q1 汽車級 36V、3A 同步降壓轉換器,具有低 Iq 和高效率數據手冊

LMR60430-Q1 是一款 3V 至 36V(42V 瞬態(tài))、3A 同步降壓轉換器,專為汽車應用而設計。LMR60430-Q1 采用超緊湊的 2.5mm × 2mm HotRod QFN
2025-05-28 13:52:15701

X1A000161000300,FC3215AN,32.768KHz,3215mm,EPSON晶體

X1A000161000300,負載:7pF,精度:±20ppm,頻率為:32.768KHz,工作溫度范圍:-40℃至105℃,小體積晶振尺寸:3.2x1.5x0.9mm封裝,兩
2025-05-12 15:09:130

MAX32660超低功耗、高成效、高度集成微控制器技術手冊

^?^ Cortex ^?^ -M4處理器組合使用,采用小尺寸封裝:1.6mm x 1.6mm、16引腳WLP或4mm x 4mm、20引腳TQFN-EP或3mm x 3mm、24引腳TQFN-EP封裝。
2025-05-08 16:46:00815

HMC466LP4/466LP4E采用SMT封裝的VCO,帶有緩沖放大器,6.1-6.72GHz技術手冊

作,由于振蕩器的單芯片結構,其相位噪聲性能在不同的溫度、沖擊、振動和工藝條件下非常出色。 功率輸出為4.5 dBm(典型值),采用3V單電源(31mA)。 電壓控制振蕩器采用低成本無引腳QFN 4x4 mm表貼封裝。
2025-04-29 17:25:40737

TPS65910 集成電源管理 IC(PMIC),帶 4 個 DC/DC、8 個 LDO 和 RTC,采用6x6mm QFN系列數據手冊

TPS65910 器件是一款集成電源管理 IC,采用 48-QFN 封裝,專用于由一節(jié)鋰離子或鋰離子聚合物電池或 3 節(jié)串聯鎳氫電池或 5-V 輸入供電的應用;它需要多個電源軌。該器件提供 3 個降壓轉換器、1 個升壓轉換器和 8 個 LDO,旨在支持基于 OMAP 的應用的特定功率要求。
2025-04-28 10:52:07691

HMC759LP3E 0.25dB LSB 7位數字衰減器,采用SMT封裝,10-300MHz技術手冊

,可接受三線式串行輸入。 HMC759LP3E具有用戶可選上電狀態(tài)和串行輸出端口,可級聯其他Hittite串行控制組件。 HMC759LP3E采用符合RoHS標準的3x3 mm QFN無引腳封裝,占用面積僅為9 mm2。
2025-04-24 16:35:45697

HMC973ALP3E電壓可變衰減器,采用SMT封裝,0.5-6.0GHz技術手冊

模擬電壓Vctrl控制。 與其他基于GaAs FET的VVA不同,HMC973A在其控制范圍內具有+35 dBm的出色輸入IP3線性度。 HMC973A是一款單向器件,當RF輸入信號施加于RFIN封裝引腳時具有最佳線性度性能。 HMC973A采用符合RoHS標準的3x3 mm QFN無引腳封裝。
2025-04-24 09:36:41767

LMZ31503 4.5V 至 15V、3A 降壓電源模塊,采用 9x15x2.8mm QFN 封裝數據手冊

LMZ31503 電源模塊是一種易于使用的集成電源解決方案,它將 3A DC/DC 轉換器與功率 MOSFET、屏蔽電感器和無源器件組合到一個扁平的 QFN 封裝中。這種整體電源解決方案只需 3 個外部元件,并且無需環(huán)路補償和磁性設計過程。
2025-04-22 10:06:53544

TPSM53604 36V、4A 降壓電源模塊,采用小型 5.5 x 5 x 4mm 增強型 HotRod? QFN 封裝數據手冊

5.5mm x 4mm、15 引腳封裝采用*增強型 HotRod QFN* 技術,可提高熱性能、減小尺寸和降低 EMI。封裝尺寸具有可從周邊訪問的所有引腳和一個大型導熱墊,可實現簡單的布局和制造中的輕松處理。
2025-04-21 09:22:48754

TPSM82821 5.5V 輸入、1A 降壓模塊,帶集成電感器,采用 2 x 2.5 x 1.1mm μSIP 封裝數據手冊

TPSM8282x 器件系列包括 1A、2A3A 降壓轉換器 MicroSiP? 電源模塊,這些模塊針對小尺寸解決方案和高效率進行了優(yōu)化。
2025-04-18 18:11:46800

TPSM5601R5 4.2V 至 60V 輸入、1V 至 6V 輸出、1.5A 降壓模塊數據手冊

× 5.5mm × 4mm、15 引腳 QFN 封裝采用增強型 HotRod QFN 技術,可實現增強的熱性能、小尺寸和低 EMI。封裝尺寸具有可從周邊訪問的所有引腳和一個大型導熱墊,可實現簡單的布局和制造中的輕松處理。
2025-04-18 15:10:20754

TLVM13640 36V 輸入、1V 至 6V 輸出、4A 降壓電源模塊,采用 5mm x 5.5mm 增強型 HotRod? QFN 封裝數據手冊

TLVM13640 源自一系列同步降壓模塊,是一種高度集成的 36V、4A DC/DC 解決方案,將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無源器件組合在一個增強型 HotRod? QFN 封裝中。該模塊
2025-04-18 11:34:05759

TPSM63603E 36V、3A 降壓電源模塊,采用小型 4mm x 6mm x 1.8mm 封裝數據手冊

TPSM63603E 同步降壓電源模塊是一種高度集成的 36V、3A DC/DC 解決方案,將功率 MOSFET、屏蔽式電感器和無源器件組合在一個增強型 HotRod? QFN 封裝中。該模塊在封裝
2025-04-18 11:21:01715

HMC494LP3/494LP3E使用InGaP HBT技術,8分頻,采用SMT封裝技術手冊

HMC494LP3(E)是一款低噪聲8分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術,采用無引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。 此器件在DC(使用方波輸入)至18 GHz的輸入頻率下工
2025-04-18 10:18:56734

HMC493LP3/493LP3E使用InGaP HBT技術,4分頻,采用SMT封裝技術手冊

HMC493LP3(E)是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術,采用無引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。 此器件在DC(使用方波輸入)至18 GHz的輸入頻率下工
2025-04-18 09:59:26838

HMC492LP3/492LP3E InGaP HBT 2分頻 SMT,DC-18GHz技術手冊

HMC492LP3(E) 是一款低噪聲 2 分頻靜態(tài)分頻器,采用 InGaP GaAs HBT 技術,采用無引腳 3x3 mm QFN 表面貼裝塑料封裝。該器件采用單個 +5V DC 電源,在 DC
2025-04-18 09:48:50789

TPSM828303 2.25V 至 5.5V、3A、低噪聲降壓模塊,具有采用 QFN 封裝的集成電感器數據手冊

TPSM82830x 是 1A、2A3A 系列,引腳對引腳兼容、易于使用、同步、降壓、直流/直流模塊,具有集成的電感器和 EMI 降低技術。這些器件采用 DCS-Control 拓撲結構,可在
2025-04-17 13:40:04675

HMC369LP3/369LP3E x2有源倍頻器SMT技術手冊

HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術的有源微型x2倍頻器,提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝。 功率輸出為+4 dBm(典型值),單電源電壓為+5V,在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。 在輸出信號電平方面,對無用基波和次諧波的抑制為30 dBc(典型值)。
2025-04-17 11:21:29996

TPSM863253 采用 QFN 封裝3V 至 17V 輸入電壓、3.3V、3A 輸出同步降壓模塊數據手冊

TPSM86325x 是一款簡單易用、高效、高功率密度的同步降壓模塊,輸入電壓范圍為 3V 至 17V,支持高達 3A 的連續(xù)電流。 TPSM86325x 采用 D-CAP3 控制模式來提供快速瞬態(tài)響應,并支持低 ESR 輸出電容器,而無需外部補償。該器件可支持高達 95% 的占空比作。
2025-04-17 10:25:21726

CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數據手冊

CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導通電阻,可最大限度地減少損耗,并為空間受限的應用提供低元件數量。
2025-04-16 09:55:06835

CSD87503Q3E 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共源 SON 3mm x 3mm、21.9mOhm技術手冊

CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。這款 SON 3.3 × 3.3 mm 器件具有低漏極到漏極導通電阻,可最大限度地減少損耗,并為空間受限的應用提供較少的元件數量。
2025-04-15 17:02:16828

CSD86336Q3D 25V、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 MOSFET,SON 3mm x 3mm 電源塊,20A技術手冊

CSD86336Q3D NexFET? 電源塊是針對同步降壓應用的優(yōu)化設計,可在 3.3mm × 3.3mm 的小型外形中提供高電流、高效率和高頻功能。該產品針對 5V 柵極驅動應用進行了優(yōu)化,提供了一種靈活的解決方案,當與來自外部控制器/驅動器的任何 5V 柵極驅動器配對時,能夠提供高密度電源。
2025-04-15 15:42:00749

HMC547ALC3非反射式SPDT開關ADI

HMC547ALC3非反射式SPDT開關ADIHMC547ALC3通用寬帶高隔離度非反射型GaAs pHEMT單刀雙擲(SPDT)開關,采用符合工業(yè)標準的3mm×3mm無引腳陶瓷表面貼裝封裝技術
2025-04-11 10:09:59

TPS388R0-Q1 具有I2C和超時復位功能的汽車級多通道過壓和欠壓電壓監(jiān)控器數據手冊

TPS38800-Q1/TPS388R0-Q1 器件是一款 ASIL-B 器件,用于 2 至 8 通道窗口監(jiān)控器 IC,采用 16 引腳 3mm x 3mm QFN 封裝。這款高精度多通道電壓監(jiān)控器專為在低電壓電源軌上工作且具有窄裕量電源容差的系統(tǒng)而設計。
2025-04-09 11:09:57744

TPS38800 多通道過壓和欠壓 I2C 可編程電壓監(jiān)控器數據手冊

TPS38800/TPS388R0 器件是一款 ASIL-B 器件,用于 2 至 8 通道窗口監(jiān)控器 IC,采用 16 引腳 3mm x 3mm QFN 封裝。這款高精度多通道電壓監(jiān)控器專為在低電壓電源軌上工作且具有窄裕量電源容差的系統(tǒng)而設計。
2025-04-09 10:38:21612

LTC5564 RF功率檢波器技術手冊

補償型肖特基二極管峰值檢波器、增益可選的運算放大器和快速比較器被整合在一個小外形的 16 引腳 3mm x 3mm QFN 封裝之中。
2025-03-24 16:55:55860

封裝液晶驅動尋線儀LCD驅動芯片VK1088B

產品型號:VK1088B 產品品牌:永嘉微電/VINKA 封裝形式:QFN32 (4mm×4mm) 產品年份:新年份 概述: VK1088B是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器,可支持最大88點
2025-03-17 15:35:39

LTC6401-14針對DC至140MHz的2GHz低噪聲、低失真差分ADC驅動器技術手冊

于 14dB (5V/V)。與采用 IF 增益部件和變壓器的替代解決方案相比,LTC6401-14 節(jié)省了空間和功率。 LTC6401-14 采用緊湊型 16 引腳 3mm x 3mm QFN 封裝,工作溫度范圍為 -40℃ 至 85℃。
2025-03-17 10:49:58805

國產芯片替代方案:解析沁恒USB轉以太網芯片

/100M以太網 USB 2.0轉10/100M以太網 ?封裝形式? ?QFN32(4mm×4mm)? QFN32(4mm×4mm) ?引
2025-03-17 10:46:202754

HMC596 CMOS 4x2開關矩陣,采用SMT封裝技術手冊

HMC596LP4(E)是一款低成本4x2開關矩陣產品,采用無引腳QFN 4x4 mm表貼封裝,可用于衛(wèi)星/DBS、LNB和200 MHz至3000 MHz的多路開關。 開關上集成由正電壓控制的4位解碼器。 該開關可用于75 Ω或50 Ω系統(tǒng)。
2025-03-07 16:50:271511

AgilLink?2.50mm線對板接頭AMPHENOL

G86303111KT4HR AgiLink 2.5mm Wire-to-Board G86303121T1EU Protect Header 2.5 mm Pitch R/A DIP,1x3Pin,Matte Tin
2025-03-03 10:09:04

應用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結

德州儀器(TI)提供的一種新的驅動器集成氮化鎵(GaN)功率級產品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN封裝中實現,該封裝尺寸為12mm x 12mm。這種擴大的QFN封裝可以從GaN
2025-02-25 10:36:391037

技術資料#LMG3612 具有集成驅動器和保護功能的 650V 120mΩ GaN FET

LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 10:21:011089

0.6mm超薄ePOP4x!江波龍智能穿戴存儲再突破

)超薄ePOP4x,實現了更精簡的穿戴物理布局。 超薄封裝、高集成度設計 穿戴設備更極致的空間利用 與標準存儲方案相比,ePOP4x采用了創(chuàng)新的封裝技術和高度集成設計。其最大厚度僅為0.6mm(max),相比上一代0.8mm厚度產品減少了近25%,是當前市場上最薄的ePOP產品之一。
2025-02-21 11:09:32402

江波龍創(chuàng)新工藝 0.6mm超薄ePOP4x,智能穿戴存儲新突破

龍再次推出穿戴存儲力作——0.6mm(max)超薄ePOP4x,實現了更精簡的穿戴物理布局。 ? ? 超薄封裝、高集成度設計 穿戴設備更極致的空間利用 與標準存儲方案相比,ePOP4x采用了創(chuàng)新的封裝技術和高度集成設計。其最大厚度僅為0.6mm(max),相比上一代0.8mm厚度產品減少了近25%,是
2025-02-21 09:29:05673

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