MAX13050/MAX13052/MAX13053/MAX13054：工業(yè)級高速CAN收發(fā)器的卓越之選 在工業(yè)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中，CAN（Control Area Network）收發(fā)器扮演著至關(guān)重要
2025-12-29 15:10:13
84 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設(shè)計水平的關(guān)鍵。今天，我們就來深入
2025-12-29 14:45:1077 探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計要點(diǎn) 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天，功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下
2025-12-29 10:05:1575 TDK B82804E EP9：IGBT/FET變壓器的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域，變壓器作為關(guān)鍵的電子元件，其性能直接影響到整個電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。今天，我們就來詳細(xì)了解一下TDK推出
2025-12-25 14:45:12160 OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析 作為電子工程師，我們在設(shè)計中常常需要挑選合適的MOSFET來滿足特定的應(yīng)用需求
2025-12-19 09:35:06504 SN74CB3Q3257DGVR4位2選1FET總線開關(guān)產(chǎn)品型號：SN74CB3Q3257DGVR產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：TVSOP16產(chǎn)品功能：4位2選1FET總線開關(guān)
2025-12-17 11:15:39218 
可靠工作；
支持寬范圍輸出電壓應(yīng)用，特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領(lǐng)域；
支持 High Side 和 Low Side 配置；
<30ns 開通和關(guān)斷延時；
智能
2025-10-22 15:34:15
近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下
2025-10-15 11:27:0221877 
MAX2769ETI 是業(yè)界第一款通用的單芯片全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)（GNSS）接收機(jī)，用于 GPS、GLONASS 以及伽利略導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)。它采用與 MAX2771ETI 相同的先進(jìn)低功率 SiGe
2025-09-29 13:45:00
int count1;
volatile unsigned int freq = 1000;
volatile unsigned short high_count;
volatile unsigned
2025-09-27 16:50:44
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能，可使設(shè)計人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
Texas Instruments LMG362x GaN FET與交流-直流電源轉(zhuǎn)換中最常見的拓?fù)浼嫒荨＿@些FET具有可編程導(dǎo)通壓擺率，可提供EMI和振鈴控制，與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，電流檢測
2025-08-13 15:28:09591 
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計的集成驅(qū)動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動器
2025-08-13 15:13:49777 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護(hù)，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
你好我的項目中使用MAX14802CCM+替代繼電器使用，在電路中有高電壓存在，使用方式如下圖：
電路中一片MAX14802CCM+使用雙8路模擬開關(guān)利用軟件同時切換其中2錄測試1-8路負(fù)載參數(shù)，請問這樣連接對器件有損傷？另外如果反向?qū)φ{(diào)電源是否會燒壞芯片？
2025-08-13 07:07:40
德州儀器（TI）的HSS-HCMOTHERBRDEVM智能保險絲評估模塊是一款專為高邊開關(guān)（High-Side Switch）設(shè)計的硬件開發(fā)平臺，適用于汽車電子、電源分配模塊及車身控制等領(lǐng)域。該模塊
2025-08-06 09:25:31709 同步整流芯片U7714是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7714內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。
2025-07-16 15:23:472445 
CCG 8 和 CCG 6 的 CFP 版本的硬件和固件堆棧是否支持使用外部提供商路徑 FET？
2025-07-16 07:23:03
～行業(yè)領(lǐng)先水平的超高精度過充檢測功能有助于進(jìn)一步提高安全性～ 日清紡微電子推出的單節(jié)鋰離子電池保護(hù)IC “高邊FET驅(qū)動類型的NB7123系列”和“低邊FET驅(qū)動類型的NB7130系列”?擁有行業(yè)
2025-07-11 15:53:43455 
過14s。
2. high_duty_min_interval和high_duty_max_interval這樣設(shè)置以后，藍(lán)牙的interval是如何表現(xiàn)的？
3. 這個adv值的設(shè)置范圍是多少
4.
2025-07-08 07:43:09
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅(qū)動器，帶高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉功能。兩個LGM3100器件可用來組成一
2025-07-06 16:41:072906 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器，從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計?？删幊痰膶?dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44656 
，系統(tǒng)上支持High Side 和 Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。U711XW的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。
2025-06-27 15:58:43710 
Analog Devices MAX22204步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器是一款兩相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。它集成了兩個65V、3.8A~MAX~ 的H橋。H橋FET具有非常低的阻抗，可實現(xiàn)高驅(qū)動效率和最低限度的熱量
2025-06-23 14:58:41740 
Analog Devices MAX25262/MAX25263車用2A/3A微型降壓轉(zhuǎn)換器提供高達(dá)2A/3A電流的集成高側(cè)和低側(cè)開關(guān)。MAX25262/MAX25263在3.5V至65V的輸入
2025-06-22 14:12:50682 
Analog Devices MAX17645同步降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器 集成了FET和補(bǔ)償元件。這些轉(zhuǎn)換器采用小型解決方案尺寸。小尺寸可減少元件數(shù)量，有助于降低系統(tǒng)的整體設(shè)計成本。Analog Devices MAX17645同步降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器的環(huán)境工作溫度范圍為-40°C至+125°C。
2025-06-19 09:24:00706 
MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強(qiáng)型 PFC 穩(wěn)壓器，具有峰值功率總線升壓功能
2025-06-18 18:09:331271 
大家好，我用MAX13487制作的485板，AB信號是這個樣子的，A信號（黃色），不能上拉到5v，B信號（藍(lán)色）不能下拉到0V。請問是什么原因？
這是電路原理圖
謝謝。
2025-06-17 12:48:43
一個步進(jìn)電機(jī)。MAX22211 IC在雙H橋配置中集成了超低阻抗FET，其典型R ~ON~ （高側(cè) + 低側(cè)）為0.25?。MAX22211具有嵌入式電流驅(qū)動調(diào)節(jié) (CDR) 功能，具有可調(diào)的斬波電流 (I ~TRIP~ )。
2025-06-16 15:34:50655 2.5V 到 22V 的穩(wěn)定電壓，支持 100% 占空比。
電流能力：可支持 1A 持續(xù)輸出電流，內(nèi)置 120mΩ High - side PMOS 和 80mΩ Low - side NMOS
2025-06-16 14:20:52
直流電機(jī)、一個步進(jìn)電機(jī)或各種負(fù)載組合。MAX22208 IC采用四路H橋配置，集成了超低阻抗FET，其典型R ~ON~ （高側(cè)加低側(cè)）為0.3Ω。
2025-06-15 14:44:00622 
Analog Devices Inc. MAX22210步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器集成了兩個36V、3.8AMAX半橋。H橋FET具有非常低的阻抗，可實現(xiàn)高驅(qū)動效率并最大限度地減少產(chǎn)生的熱量。典型總R
2025-06-14 14:52:09807 
Analog Devices Inc. MAX22207評估套件提供可靠設(shè)計，用于評估MAX22207有刷直流電機(jī)驅(qū)動器。 MAX22207 IC在全橋配置中集成了低阻抗FET，適用于36V
2025-06-14 10:27:41629 FET，具有0.3Ω的典型R ~ON~ （高側(cè)+低側(cè)）。該套件包含接頭、測試點(diǎn)和接線端子，用于連接MAX22202電機(jī)驅(qū)動器PWM輸入、電流檢測輸出、電源輸入和電機(jī)驅(qū)動器輸出。板載ICM7556提供
2025-06-14 10:15:57697 螺線管、兩個有刷直流電機(jī)、單個步進(jìn)電機(jī)或各種負(fù)載組合。MAX22213驅(qū)動器在四通道H橋配置中集成了低阻抗場效應(yīng)晶體管 (FET)，典型導(dǎo)通電阻（ ~RON~ ，高側(cè)加低側(cè)）為0.25Ω。該評估套件設(shè)有
2025-06-12 10:24:57712 
high-side, high-voltage, power MOSFET with a current limit of 3.5A, typically. The wide 5V to 100V
2025-06-06 16:58:04
Analog Devices Inc. MAX77972EVKIT評估套件是經(jīng)過預(yù)組裝和測試的表面貼裝PCB。Analog Devices Inc. MAX77972EVKIT套件用于評估集成FET
2025-06-06 11:19:27687 
Analog Devices Inc. MAX77972 FET充電器是一款獨(dú)立的AccuCharge?降壓充電器，可在13.7V輸入電壓和高達(dá)16V保護(hù)下工作。這款FET充電器支持高達(dá)3.15A
2025-06-05 09:15:27793 
本手冊記錄了德州儀器MSP-FET430閃存仿真工具（FET）。FET是MSP430超低功耗微控制器的開發(fā)工具。這里描述了并行端口接口和USB接口這兩種可用接口。本手冊描述了FET的設(shè)置和操作，但
2025-05-30 14:53:56
0 的靈活配置支持獨(dú)立充電。MAX17335的理想二極管電路支持快速響應(yīng)系統(tǒng)瞬變和適配器移除，在CHG FET上具有低壓降。
2025-05-30 14:40:45896 
Analog Devices Inc. MAX17616/A評估套件采用MAX17616或MAX17616A電子保險絲設(shè)置，工作電壓范圍為5V至28V。MAX17616AEVKIT#具有2A自動重試
2025-05-28 11:51:10639 
新手求助：我現(xiàn)在在設(shè)計一款正弦波信號發(fā)生器，輸出頻率2khz左右，幅值2Vpp左右，這是我的電路圖，但是按照這個接線和器件安排，焊好后MAX038在通電±5V，沒有波形且發(fā)燙嚴(yán)重，請大家?guī)臀曳治鲆幌?，感謝！
2025-05-27 16:45:14
“我可以并聯(lián) MULTICH_CONNECT_PCB SINK_FET_EN和SAFE_POWER_EN輸出來切換同一個MOSFET嗎？
2025-05-27 07:30:03
;quot;RTD_high"));
}
if(fault & MAX31865_FAULT_LOWTHRESH) {
display.setCursor
2025-05-26 18:52:58
。3.3V降壓穩(wěn)壓器提供用于上拉和邏輯電壓，以便在電路板上運(yùn)行LED指示燈。adi MAX17617EVKIT具有額外的外部N溝道場效應(yīng)晶體管（FET），用于反向?qū)ūＷo(hù)。
2025-05-26 11:07:54774 
工作電壓，具有2A自動重試電流限制。3.3V降壓穩(wěn)壓器為上拉和邏輯提供電壓，以便在電路板上運(yùn)行LED指示燈。adi MAX17617AEVKIT還包含一個額外的外部N溝道場效應(yīng)晶體管（FET），用于反向?qū)ūＷo(hù)。
2025-05-23 14:57:30691 
我們有一個關(guān)于 VBUS_FET_EN 電源路徑行為的問題。
如果 BCR hw 設(shè)置為 VBUS_MIN = 5V，VBUS_MAX = 9V，ISNK_COARSE + ISNK_FINE
2025-05-23 08:09:50
BCR 具有 SINK_FET_EN 和 SAFE_PWR_EN 引腳來控制POWER_DRILL2GO消耗路徑。
如果 PD 合約不匹配，BCR 是否仍會打開 SINK_FET_EN POWER_DRILL2GO路徑？或者只打開 SAFE_PWR_EN POWER_DRILL2GO路徑？
2025-05-23 08:01:10
PD IC 是否可以通過 I2C 與處理器傳達(dá)電纜方向信息？
如果我們直接連接 VBUS_IN 而不使用 VBUS_FET_EN 負(fù)載開關(guān)，會對我們的系統(tǒng)產(chǎn)生任何影響嗎？
2025-05-20 07:39:54
。
首先在stacks選項中，我們點(diǎn)擊New Thread
然后在Name后填入max6675。
接下來我們在這個thread中添加 New Stack中的r_sci_spi。
之所以選擇sci
2025-05-09 19:02:55
ADA4350是用于光電監(jiān)測器或其它傳感器的模擬前端，其輸出電流與檢測的參數(shù)或電壓輸入成比例，系統(tǒng)要求用戶在極精密增益水平之間做出選擇，從而使其動態(tài)范圍達(dá)到最大。
ADA4350集成了FET
2025-05-09 10:26:26802 
我正在使用帶有 USB PD Sink 示例的CY7113 #。 如何控制輸出 FET？
我發(fā)現(xiàn)必須設(shè)置 CY_APP_SINK_FET
2025-05-06 06:49:29
pt100和max31865測室溫跳變比較大，會從23.04跳到23.47,23.75反復(fù)跳變超過了0.5的誤差范圍，在VDD和GND之間加上0.1和10的濾波電容也不行，該怎么解決
2025-04-30 23:34:37
, which integrates a 90m? high-side MOSFET.
The SL3075, adopting the peak current mode control, supports
2025-04-29 14:18:11
采用ESOP-8 封裝，芯片底部設(shè)計有 功率散熱焊盤與SW管腳連接，可以有效的幫 助芯片散熱。
產(chǎn)品特征l
內(nèi)置30V MOS l
輸入范圍4.5V-27V l
內(nèi)置38mΩ High-side
2025-04-29 09:43:04
同步整流ic U7268是一款高性能副邊同步整流控制器，當(dāng)配合外置MOS使用時，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7268支持High Side和Low Side配置，且內(nèi)置有VDD高壓供電
2025-04-27 11:20:30756 
。1. 可壓接導(dǎo)線數(shù)量：-D-436-38的壓接筒每側(cè)最多可壓接2根導(dǎo)線（Side 1 Max No Of Wires: 2，Side 2 Max No Of Wires: 2）。-這意味著整個接頭
2025-04-11 10:15:55
本文介紹了High-K材料的物理性質(zhì)、制備方法及其應(yīng)用。
2025-04-08 15:59:413398 
。上圖中ZVS綠色部分針對的是Q2而言，紅圈ZVS針對Q1而言。注意看ZVS電壓先到零，那么ZCS呢？ 2. ZVS實現(xiàn)機(jī)制
在全橋或半橋拓?fù)渲?，常見的上下管?b class="flag-6" style="color: red">High-Side和Low-Side
2025-04-08 14:21:19
在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時候，系統(tǒng)給我推薦了AD8655用于I/V，此芯片為CMOS工藝
但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片，所以請教下用于光電信號放大轉(zhuǎn)換（主要考慮信噪比和帶寬）一般我們用哪種工藝的芯片，
CMOS,Bipolar，FET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？
2025-03-25 06:23:13
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個
2025-03-19 17:16:291165 目錄 什么是光隔離探頭？ 1. 新品探頭介紹 2. 高壓差分探頭 vs 光隔離探頭 3. 光隔離探頭的應(yīng)用場景 寬禁帶半導(dǎo)體市場前景 光隔離探頭的典型測試案例——上管測試（high-side
2025-03-19 09:09:161614 
本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點(diǎn)、重要性、優(yōu)勢，以及工藝流程和面臨的挑戰(zhàn)。
2025-03-12 17:00:212498 
width :432 height :240
interval :25 fps
video / dev /video2
usb 1-1.3: reset high - speed USB device
2025-03-06 09:08:32
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28987 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:011089 
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 09:18:47923 
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 （GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on） 和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 15:16:11924 
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23727 
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 （GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on） 和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 11:19:521061 
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成，由一個高頻 90V GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動，采用半橋配置。
2025-02-21 09:28:211049 LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成，由一個高頻 90V GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動，采用半橋配置。
2025-02-21 09:19:40907 
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57881 LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36829 
that delivers up to 2A of continuous current to the
load. It integrates a high-side, high-voltage, power
2025-02-19 17:51:53
Nexperia（安世半導(dǎo)體）融合其近20年來在高質(zhì)量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗，推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合?；诖司媒?jīng)考驗的封裝技術(shù)，CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能。
2025-02-19 13:45:011011 德州儀器的 Eason Tian 和 Kyle Wolf 撰寫，主要探討了 GaN FET（氮化鎵場效應(yīng)晶體管）在人形機(jī)器人中的應(yīng)用優(yōu)勢，旨在說明其如何解決人形機(jī)器人伺服系統(tǒng)面臨的挑戰(zhàn)。 *附件
2025-02-14 14:33:331507 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 16:10:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:192 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 08:30:510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CBT3251 FET多路復(fù)用器/多路分解器規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-11 17:24:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CBT3253 FET多路復(fù)用器/多路分解器規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-11 17:23:040
在DDC232使用中，CONV是用來選擇Side ASide B ,CONV信號的高電平時，如果VALID信號有效，那么DOUT輸出的只是Side A的數(shù)據(jù)么？Side A對應(yīng)的是模擬輸入的第幾通道？以上條件下，DOUT的格式是怎么樣的？
2025-02-11 07:46:53
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANB4R8-040CBA雙向氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-10 16:22:371
我用的是high-speed、SPI、Discrete模式，8個通道加電壓現(xiàn)在只有通道1數(shù)據(jù)正常輸出，通道2~8一直為0，找不出問題來，請大家?guī)兔
2025-02-10 07:23:13
，
也可以接AT24C64D這樣的EEPROM可擦寫的存儲設(shè)備。
以下代碼的作用就是生成驅(qū)動I2C操作的驅(qū)動時鐘dri_clk=1Mhz。
系統(tǒng)時鐘是50MHz，因此對系統(tǒng)分頻就需要計算到25的計數(shù)器
2025-01-21 10:40:20
我使用msp430運(yùn)行一個程序時，出現(xiàn)“Error initializing emulator: No USB FET was found”，請問這個該怎么解決呢？
之前在ti.com上看到相關(guān)
2025-01-16 07:59:10
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2025-01-15 18:56:17
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2025-01-15 18:45:15
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX17640: 60V, 400mA, Ultra-Small, High-Efficiency, Synchronous Step-Down DC-DC
2025-01-15 18:44:46
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也可以接AT24C64D這樣的EEPROM可擦寫的存儲設(shè)備。
以下代碼的作用就是生成驅(qū)動I2C操作的驅(qū)動時鐘dri_clk=1Mhz。
系統(tǒng)時鐘是50MHz，因此對系統(tǒng)分頻就需要計算到25的計數(shù)器
2025-01-11 15:06:41
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