在模塊內采用聚光鏡和反射鏡是為了使發(fā)光元件發(fā)出的光入射到光纖中，或使通過光纖發(fā)出的光入射到光敏元件中。因此，索尼取代聚光鏡和反射鏡采用硅轉接板，從而使光耦合部的光軸對齊。此次將光收發(fā)元件與光纖光軸的偏差抑制在了±10μm以下（圖3）。

　　圖3：光耦合損失降至約-1dB以下

　　為了在不使用聚光鏡的情況下，使VCSEL發(fā)出的光順利入射到光纖中，索尼提高了位置精度。比如，如果光纖與VCSEL的距離在50μm以下，而且VCSEL面方向的位置偏差在±10μm以下的話，光耦合損失可降至約-1dB以下。

　　為了提高光纖的位置精度，索尼在硅轉接板上設置導孔，然后將光纖插入其中并固定住。而發(fā)光元件VCSEL（面發(fā)光激光器）和光敏元件（PD）則分別采用倒裝芯片封裝，以使發(fā)光部和受光部對準導孔位置。

　　導孔的位置精度和光收發(fā)元件的安裝精度均不到±5μm。由此將光軸偏差抑制在了±10μm以下。

　　為了簡化光耦合部，索尼還改進了電布線部分的高頻設計。原因是與利用聚光鏡和反射鏡的傳統(tǒng)構造相比，省去聚光鏡和反射鏡后傳輸通道的寄生電容、寄生電阻和寄生電感會增大。具體發(fā)生位置是VCSEL與驅動VCSEL的驅動IC之間的傳輸通道，以及PD與連接PD后段的放大器元件之間的傳輸通道。

　　如果是傳統(tǒng)構造的話，一般情況下VCSEL和驅動IC、PD和放大器元件分別通過引線鍵合連接。而此次則經由模塊基板的玻璃環(huán)氧樹脂和硅轉接板連接，由此寄生電容較大。雖然沒有公布詳細情況，不過可以確定索尼通過應用仿真技術等克服了上述課題。

　　改進連接器

　　不僅是模塊部分，連接F65與SR-R4的連接器也采取了改進措施以提高光耦合效率。該連接器采用將配備光纖等的光連接器與普通“D-sub”連接器融為一體。然而，D-sub連接器向光纖輸入輸出光時的位置精度較低。因此，光連接器接合面的外側和內側分別配備了位置固定用端子（圖1（a））。通過外側端子將位置偏差抑制在±20μm以內，通過內側端子將位置偏差抑制在±幾μm以內。

　　另外，連接器部分的光纖也實施了改進，以提高光耦合效率。對端面進行傾斜加工后，可以抑制光纖端面的光反射。由此提高了光耦合效率。