主題：面向LTE基站和類似應用的集成、封裝解決方案提供最低的噪聲系數(shù)，Triquint推出兩款表面貼裝式封裝的低成本、高性能低噪放大器。這批器件采用新封裝的砷化鎵（GaAs）低噪聲放大器在400至2700 MHz應用中提供一流性能。

　　技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司，開始供應兩款表面貼裝式封裝的低噪聲放大器（LNA）TQP3M9036和TQP3M9037的初始樣品，為面向基站和類似應用的集成、封裝解決方案提供最低的噪聲系數(shù)。

　　這些采用TriQuint砷化鎵E-pHEMT工藝的新器件，包括工作頻率為400至1500 MHz、噪聲系數(shù)為0.45 dB的TQP3M9036和工作頻率為1500至2700 MHz、噪聲系數(shù)為0.40 dB的TQP3M9037。兩款放大器均非常適用于基礎設施應用，如蜂窩基站、塔頂放大器（TMA）、小蜂窩無線網(wǎng)絡、中繼器、700 MHz LTE網(wǎng)絡以及使用UHF頻譜中“空白信號頻譜”（white space）的新興無線系統(tǒng)。

　　TriQuint新的解決方案將通常由外部元件整合的關鍵功能集成在芯片上和封裝之內(nèi)，因而簡化了射頻設計。新的低噪放還解決TDD-LTE市場對集成數(shù)字關機偏置能力日益增長的要求，并且可以從偏置電壓+3 V至+5 V提供高性能，無需負電源電壓。偏置網(wǎng)絡通過電流反射鏡和反饋電保持對溫度變化的穩(wěn)定性；并且還提供了數(shù)字斷電功能的開關電路。TriQuint的新低噪聲放大器已經(jīng)進行了最優(yōu)化的片上配置，來提供最佳的噪聲系數(shù)、線性度和可靠性的組合。

　　這兩款TriQuint的新器件都與TriQuint產(chǎn)品組合中同類產(chǎn)品引腳兼容，并安裝在符合RoHS規(guī)范的行業(yè)標準，2x2毫米，8引腳DFN的封裝。他們是極為堅固的器件， 能阻斷高功率干擾輸入信號或大于 +22 dBm的發(fā)射功率泄漏 。這些器件還絕對穩(wěn)定，可消除潛在的振蕩。TQP3M9036和TQP3M9037均內(nèi)部匹配50歐姆，操作時不需要任何外部匹配電路。

　　目前供應TQP3M9036和TQP3M9037的初始樣品，預計將于2012年9月開始量產(chǎn)。