我有一個(gè) CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個(gè) NOR 閃存，我可以從中將固件讀取到 RAM，然后 NOR 閃存的一部分內(nèi)存應(yīng)該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲(chǔ)設(shè)備。
我應(yīng)該采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:30
58 
的含義
GL：光敏
5： 元件外徑
5： 可見光區(qū)
4？？
7？？
最關(guān)鍵的后兩位數(shù)字 就是不知道怎樣區(qū)別！
GL5506 GL5516 GL5528 GL5537GL5539 GL5547 GL5549 后兩位數(shù)字 是什么含義? 參數(shù)？
2024-01-12 09:02:36
標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)代碼，省去了驅(qū)動(dòng)代碼編程環(huán)節(jié)。支持TF卡啟動(dòng)的SOC都可以用SD NAND，提供STM32參考例程及原廠技術(shù)支持，主流容量：128MB/512MB/2GB/4GB/8GB，比TF卡穩(wěn)定，比
2024-01-05 17:54:39
NOR Flash是一種基于NOR門結(jié)構(gòu)的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu)，這意味著每個(gè)存儲(chǔ)單元都有一個(gè)地址，可以直接訪問任何存儲(chǔ)單元，這使NOR Flash具有快速的隨機(jī)訪問能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 14:37:05292 SDINADF4-16G 16GB eMMC5.1
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三星KLMBG2JETD 32GB eMMC5.1
SPI Flash
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兆易GD25LQ128EWIG 16MB NOR
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網(wǎng)卡芯片1
裕太
2023-12-14 23:33:28
Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。
2023-12-05 15:21:59363 閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元，為確保準(zhǔn)確編程，Nor Flash 支持字節(jié)級(jí)編程，允許寫入或修改單個(gè)字節(jié)，而無需擦除整個(gè)塊。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲(chǔ)器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-12-05 13:57:37837 NOR FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)具有重大影響，閃存其獨(dú)特的特性和功能影響著計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)方面
2023-12-05 10:32:31332 香蕉派BPI-R4路由器板采用聯(lián)發(fā)科MT7988A (Filogic 880)四核ARM Corex-A73方案設(shè)計(jì)，板載4GB DDR4內(nèi)存,8GB eMMC存儲(chǔ),128MB SPI-NAND閃存
2023-11-30 16:01:52
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17910 
長江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無出其右者。
2023-11-02 11:11:46842 
WN170-GL，使能FWA整體解決方案?應(yīng)用。BBWF2023｜廣和通發(fā)布Wi-Fi7模組WN170-GLWN170-GL支持2.4GHz、5GHz和6GHz三個(gè)完整Wi
2023-11-01 18:27:17499 
GL3510 是創(chuàng)維出的市面上最性價(jià)比的HUB3.0 ?芯片（不過今年已有國產(chǎn)的USB3.0芯片，比GL3510還低，但擔(dān)心穩(wěn)定性問題還沒使用），傳輸速率：5Gbps)，一口擴(kuò)展至4口，只需要
2023-10-17 09:49:47
39 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
Memory）： 指BM1684的片外存儲(chǔ)DDR，通常為12GB，最大支持定制為16GB。PCIe模式：4GB TPU專用 + 4GB VPU專用 + 4GB VPP/A53專用；SoC模式：4GB
2023-09-19 07:47:54
83495A Agilent 10 Gb/s 時(shí)鐘恢復(fù)模塊
連續(xù)數(shù)據(jù)速率：9.953 Gb/s至11.32 Gb/s
波長范圍：750-860 nm或1000-1600 nm
提供光、電兩種輸入
2023-09-15 14:12:40
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用STARTUPE3對(duì)并行NOR閃存進(jìn)行配置后訪問的UltraScale FPGA應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-14 15:18:201 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《評(píng)估報(bào)告:全閃存HP 3PAR StoreServ 7450存儲(chǔ)系統(tǒng)和第5代16Gb/s光纖通道.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-30 16:41:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LSI7104EP/LSI7204EP/LSI7404EP 4Gb光纖通道適配器介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-18 09:34:140 點(diǎn)擊上方 藍(lán)字 關(guān)注我們 NOR閃存已作為FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門列陣）的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)
2023-08-15 13:55:02330 
并行（ISA）Nor Flash有5V、3V和1.8V三種不同的供電體系，容量從2Mb-1Gb，具有x8、x16可選配置的引導(dǎo)和統(tǒng)一扇區(qū)架構(gòu)。Parallel Nor Flash具有高性能、低功耗、高耐久性、高可靠性的特點(diǎn)。
2023-08-11 15:47:151091 
制造商: Winbond 產(chǎn)品種類: NOR閃存
2023-08-04 12:46:29
據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762 5T93GL02 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 20:37:420 5T93GL06 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 20:35:420 5T93GL04 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 20:35:220 MWC上海2023期間，廣和通發(fā)布5G R16智能模組SC151-GL。作為業(yè)界首款支持全球5G頻段的智能模組，高度集成的SC151-GL搭載由高通技術(shù)公司推出的高通?QCM4490處理器，有效節(jié)省終端軟硬件開發(fā)成本，縮短研發(fā)周期，助力終端快速在全球市場(chǎng)落地。
2023-07-03 15:26:13276 MWC上海2023期間，廣和通發(fā)布5GR16智能模組SC151-GL。作為業(yè)界首款支持全球5G頻段的智能模組，高度集成的SC151-GL搭載由高通技術(shù)公司推出的高通?QCM4490處理器，有效節(jié)省
2023-07-03 15:25:44344 
MWC上海2023期間，廣和通發(fā)布5G R16智能模組SC151-GL。作為業(yè)界首款支持全球5G頻段的智能模組，高度集成的SC151-GL搭載由高通技術(shù)公司推出的高通QCM4490處理器，有效節(jié)省
2023-06-30 18:05:56584 
Flash閃存是一種存儲(chǔ)器,主要用于一般性程序存儲(chǔ)，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 LPC55S69 的閃存 API 和 MCUX 驅(qū)動(dòng)程序文檔中的術(shù)語不一致且定義不明確。我要確定的是用于擦除和頁面編程的塊大小。
驅(qū)動(dòng)程序本身報(bào)告頁面大小為 512 字節(jié)，扇區(qū)大小為 32768
2023-06-09 08:56:36
ESP8285 芯片（Soc）是否帶有內(nèi)置閃存？如果是，我們可以使用帶有內(nèi)置閃存的 ESP8285 芯片（Soc）通過 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作為 WiFi 連接
2023-06-05 08:31:11
為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲(chǔ)芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
我打算在我的項(xiàng)目中使用帶有 2MB 板載閃存的 ESP-WROOM-S2，但我似乎無法讓用戶代碼從板載閃存工作。
與其他模塊的不同之處在于，S2 已通過閃存連接到 HSPI（與 SPI 相對(duì)）。
我
2023-05-31 06:38:49
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個(gè)序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
有沒有人成功地將 ESP8266EX 連接到 EEPROM 芯片而不是閃存？在我住的地方，沒有人出售大于 512k 的閃存芯片，我至少需要 4 個(gè)。如果可以使用 EEPROM，我不想從美國進(jìn)口。
2023-05-30 11:10:19
我正在使用 S32K312，我需要使用 RTD 連接 Spansion S25 閃存，我正在使用 Lpspi_Ip_SyncTransmit() 函數(shù)來傳輸和接收數(shù)據(jù)，但是函數(shù)描述告訴長度參數(shù)是要發(fā)送的字節(jié)數(shù)，但是我們?nèi)绾尾拍苁褂孟嗤暮瘮?shù)接收所需的字節(jié)數(shù)？
2023-05-29 06:05:57
之前做讀卡器的時(shí)候選了GL827，是看重了它封裝是SOP可以直接焊接，不像一眾QFN那種需要用熱風(fēng)槍來吹。現(xiàn)在GL827好像是停產(chǎn)了，在網(wǎng)上越來越難買到了，有沒有可以直接替換的芯片型號(hào)？（我自己找了
2023-05-24 10:51:23
記：S32G_QSPI_NOR_20211125_V3.pdf。不幸的是，在中文中，為 MT35XU256ABA1G12-0AAT 提供了 QSPI 重新配置數(shù)據(jù)，與我們的非常相似：
LUT@0x244（從閃存基地址 0
2023-05-22 09:35:01
我對(duì)從 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 閃存感到頭疼。
該板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
了 evkmimxrt1160_flexspi_nor_config.c 中的閃存配置。
代碼編譯但在我運(yùn)行它時(shí)永遠(yuǎn)不會(huì)進(jìn)入主要狀態(tài)（請(qǐng)參見下面的屏幕截圖）：
知道我哪里出錯(cuò)了嗎？我附上了 MCUXpresso 項(xiàng)目。
2023-05-18 06:28:12
是 0x90000000
根據(jù)文檔（表 1. 系統(tǒng)內(nèi)存映射）
兩者都是有效的（ DRAM - GPP DRAM 區(qū)域#1（ 0-2 GB））。
上傳圖片時(shí)沒有錯(cuò)誤。
NOR 閃存的標(biāo)準(zhǔn)刻錄命令是（來自文檔
2023-05-16 07:43:42
我正在使用 S32G274A 板（不是 NXP 產(chǎn)品之一，它是由第三方制造的），它安裝了 Micron
MT35XU512ABA 八進(jìn)制串行 NOR 閃存。對(duì)于 M7_0，我必須調(diào)整 RTD
2023-05-16 06:04:49
則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecuteInPlace)，這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系
2023-05-15 09:18:591240 
BOOT_MODE[1:0]= x00 從保險(xiǎn)絲啟動(dòng)后，嘗試通過 FLEXSPI NOR（次級(jí)引腳，見圖 2）連接到引導(dǎo)實(shí)用程序，但出現(xiàn)圖 1 中的錯(cuò)誤。
設(shè)備類型：試過 QuadSPI SDR NOR 和 QuadSPI DDR NOR。
我們的閃存部件號(hào)：I S25LP080D-JNLE-TR
可能是什么問題？
2023-05-10 08:53:24
MXRT1050 FlexSPI 模塊具有 LUT，最多支持 16 個(gè)序列，相當(dāng)于 16 個(gè)閃存命令。
現(xiàn)在許多 NOR 閃存芯片支持的命令遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 16 條。
1. 有沒有辦法支持超過 16 個(gè)
2023-05-08 06:52:22
;;
compatible = \\\"spansion,s25fl256l\\\", \\\"jedec,spi-nor\\\"
2023-05-06 06:23:09
我有一個(gè)iMX8X iMX8QXP，我正在嘗試在 NOR 閃存（最終是 eMMC）上設(shè)置輔助引導(dǎo)容器集。我試圖在燒掉任何 OTP 保險(xiǎn)絲之前驗(yàn)證基本功能，所以這就是我目前對(duì) NOR 閃存進(jìn)行分區(qū)
2023-05-05 10:40:17
從 NOR 閃存啟動(dòng)時(shí)，Core0 如何獲取啟動(dòng)代碼？
電路板設(shè)置 (T1024RDB) 是：
開關(guān)將 RCW_SRC 設(shè)置為 NOR 閃存
PBL/RCW 設(shè)置為 BOOT_LOC = NOR
2023-05-04 07:16:23
。SPI-NOR 內(nèi)存有類似的東西嗎？fitImages 有用嗎？
4. 由于 uuu 強(qiáng)制 bootcmd=fastboot 0，我如何將其更改為從我的 SPI-NOR 閃存加載？我需要 2 個(gè)不同版本
2023-05-04 06:30:41
我查看了 S32DS IDE 中的現(xiàn)有示例 Fls_Example_S32K344，它可以與外部 NOR 閃存MX25L6433FM2I-08G 64Mb通信 。移植 Nand 閃存 ，其讀/寫協(xié)議
2023-04-28 08:29:07
我們有一個(gè)定制板，其中存在 T1042 處理器。以前我已經(jīng)能夠通過修改 T1042D4DRB QORIQ SDK 項(xiàng)目的 u-boot 源代碼從 SDCARD 啟動(dòng)它?，F(xiàn)在，我試圖從 NOR 閃存啟動(dòng)它，但我無法成功。 我已經(jīng)將圖像寫入了NOR flash的以下地址。
2023-04-17 07:55:21
大家好，我們剛剛獲得了自己設(shè)計(jì)的第一個(gè)原型，其中包含以下組件：- MCU 是 MIMXRT1061CVL5B - 閃存是連接到 QSPI1 的微芯片 SST26VF064B - J-link SWD
2023-04-17 07:06:03
USB 2.0協(xié)議使用pogo引腳連接），可作為手提箱使用。據(jù)了解，Pine64為用戶提供了兩種硬件配置：4GB LPDDR4 RAM / 64GB eMMC 5.1閃存和8GB LPDDR4 RAM
2023-04-14 13:56:10
我從使用板載 NOR 閃存映像啟動(dòng)的 LS1028A 處理器 EVM 開始。現(xiàn)在，需要從 I2C EEPROM [RCW] 啟動(dòng)并跳轉(zhuǎn)到 NOR Flash [U-Boot Image]。如何在 RCW PBI 命令中指定它？
2023-04-14 07:45:39
是否可以使用外部閃存繞過 C3FN4 或 C3FH4 中的內(nèi)部嵌入式閃存？我的意思是作為指令（引導(dǎo)）閃存當(dāng)然，不僅僅是數(shù)據(jù)閃存。
2023-04-12 06:15:17
如果我使用 ESP32-U4WDH，我可以將該引腳用作用于外部閃存的 GPIO 嗎？不會(huì)。閃存仍然位于 ESP32 硅芯片外部，因此仍使用相同的引腳；它只是集成到同一個(gè)包中。
2023-04-11 13:21:54
即使沒有它也能正常工作？ SoC 就是芯片本身；我想你的意思是你不是在使用模塊（比如 ESP32-C3-Wroom）而是芯片本身？如果是這樣，那確實(shí)需要閃存才能運(yùn)行，但是您可以獲得帶有集成閃存的 ESP32 芯片。具體來說，ESP32-C3Fx4 芯片具有 4MiB 的內(nèi)置閃存。
2023-04-11 09:59:50
設(shè)備”。以下是我們的設(shè)置：1) 定制 IMX8MPLUS 板。定制板具有 4GB DDR 而不是 EVK 板中的 8GB。2) 從 ubuntu 20.04 PC 到開發(fā)板的 USB B 型連接器
2023-04-03 08:04:43
=3072M 強(qiáng)制使用 3GB 的 ram 而不是 4GB。CAAM 驅(qū)動(dòng)程序/DMA/swiotlb 反彈緩沖區(qū)似乎是問題所在。
2023-04-03 06:55:00
Memory Card CompactFlash? 4GB MLC
2023-03-29 19:24:37
MEMORY CARD COMPACTFLASH 4GB MLC
2023-03-29 19:24:30
我需要一些關(guān)于 i.MX RT 1160 EVK 中的閃存支持的說明1. 在 SPT V4.1 中，我可以看到一些 FLEX SPI NOR 變體，如 IS25WP128、AT25SF128A
2023-03-29 08:24:08
目前，我使用的是 S32R294。我想從 S32 Design Studio for Power Architecure 下載 S32R294 的外部閃存。據(jù)我所知，外部閃存的代碼在啟動(dòng)時(shí)被復(fù)制到 SRAM 中，因?yàn)?s32r294 中沒有內(nèi)部閃存。你能告訴我上述兩項(xiàng)的文件嗎？
2023-03-29 07:34:28
4Gb:x8、x16 NAND閃存功能
2023-03-28 18:41:50
4Gb， 8Gb， 16Gb： x8， x16 NAND 閃存
2023-03-28 15:01:49
4/2M 位 SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:07
我正在使用 S32K148 EVB 測(cè)試閃存中的 EEPROM 仿真。我想使用 EEE Size = 1KB，那么如何在 FlexRAM 中配置這個(gè)大小。是否有任何示例代碼可用于分區(qū) D 閃存
2023-03-28 08:28:20
5T93GL02 數(shù)據(jù)表
2023-03-24 18:48:050 5T93GL06 數(shù)據(jù)表
2023-03-24 18:46:100 5T93GL04 數(shù)據(jù)表
2023-03-24 18:45:560 512（32M x 16）MB 3.0伏，GL-S閃存
2023-03-24 14:01:24
我正在使用 i.MXRT1176 并計(jì)劃使用 FlexSPI 模塊將固件更新寫入外部 NOR 閃存。該應(yīng)用程序?qū)耐煌獠看鎯?chǔ)器運(yùn)行，但是，更新將寫入不同的部分。我以前沒有使用過帶有外部程序存儲(chǔ)器
2023-03-24 08:08:30
我有一個(gè)有趣的問題，我確定是配置問題。這是我第一次使用 QSPI 閃存設(shè)備和 i.MX 系列部件。我通常在 M4 或更小的機(jī)器上跑得慢很多。我有 2 個(gè) NOR 閃存設(shè)備連接到 RT1062
2023-03-24 07:52:57
的 ivt_flashloader.bin 文件和實(shí)用程序從我們的 FlexSPI NOR 閃存讀取/寫入。為了進(jìn)步我實(shí)際上有兩個(gè)問題：- 有人可以向我解釋一下為 EVKB 板提供的 ivt_flashloader.bin
2023-03-24 07:17:47
你好：我的板子用的是S29GL256S，配置是32x16x1。但是，我只能在flash programmer中選擇32x8x1。嘗試擦除具有 32x8x1 配置的閃存時(shí)，發(fā)生錯(cuò)誤。錯(cuò)誤信息如下：fl
2023-03-24 06:50:00
iMX8QXP可以使用的最大RAM大小是多少？MEK 使用 3GB。4GB可以嗎？
2023-03-23 08:43:49
）?，F(xiàn)在我們正在嘗試從未融合單元上的 FLEXSPI NOR 存儲(chǔ)器啟動(dòng)生產(chǎn)測(cè)試應(yīng)用程序。我正在嘗試使用 MIMXRT1060 的閃存加載器將應(yīng)用程序加載到 NOR 內(nèi)存中。寫入似乎沒問題，但應(yīng)用程序似乎
2023-03-23 07:37:28
我正在嘗試編寫代碼來測(cè)試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認(rèn)逐個(gè)扇區(qū)擦除閃存是可行且有效的，然后繼續(xù)我測(cè)試的其他階段。（我不想一次擦除整個(gè)芯片，因?yàn)槲覀兊闹饕浖枰獜?b class="flag-6" style="color: red">閃存中
2023-03-23 06:06:43
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