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微芯科技推出新款SST12LP17E和SST12LP18E器件

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HMC583LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC583LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
2025-04-30 11:26:07840

HMC582LP5/582LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC582LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC582LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于振蕩器的單芯片結(jié)構(gòu),該VCO的相位噪聲性能在不同的溫度、沖擊和工藝條件下均非常出色。
2025-04-30 11:20:17843

HMC534LP5/534LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC534LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC534LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
2025-04-30 11:14:28810

HMC533LP4/533LP4E采用SMT封裝的VCO,提供16分頻,23.8-24.8GHz技術(shù)手冊(cè)

HMC533LP4(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC533LP4(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可提供16分頻輸出。 由于振蕩器的單
2025-04-30 11:08:54747

HMC531LP5/531LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC531LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC531LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
2025-04-30 11:02:22814

HMC530LP5/530LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC530LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC530LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
2025-04-30 10:56:53777

HMC529LP5/529LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC529LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC529LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
2025-04-30 10:50:36756

HMC515LP5/515LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC515LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC515LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
2025-04-30 10:16:57739

HMC514LP5/514LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC514LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC514LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
2025-04-30 10:13:35817

HMC513LP5/513LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC513LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC513LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
2025-04-30 10:03:14760

HMC512LP5/LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC512LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC512LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
2025-04-30 09:42:59679

HMC510LP5/510LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC510LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC510LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
2025-04-30 09:28:03770

HMC508LP5/508LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC508LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。HMC508LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻。 由于振蕩器的單芯片結(jié)構(gòu)
2025-04-30 09:19:39798

HMC507LP5/507LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)

HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻。 由于振蕩器的單芯片結(jié)構(gòu)
2025-04-29 18:09:54751

HMC389LP4/389LP4E集成緩沖放大器的MMIC VCO SMT,3.35-3.55GHz技術(shù)手冊(cè)

HMC389LP4和HMC389LP4E是GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO,集成諧振器、負(fù)電阻器件、變?nèi)荻O管和緩沖放大器。 由于振蕩器的單芯片結(jié)構(gòu),VCO的相位
2025-04-29 14:21:53761

HMC699LP5/699LP5E 7GHz整數(shù)N分頻頻率合成器SMT技術(shù)手冊(cè)

HMC699LP5(E)是一款頻率合成器,集成寬帶極性可反轉(zhuǎn)數(shù)字PFD和鎖定檢測(cè)輸出。 該分頻器工作范圍為160 - 7000 MHz,連續(xù)整數(shù)分頻比N為56至519,非連續(xù)分頻比N為16至54
2025-04-27 17:41:15778

HMC698LP5/698LP5E 7GHz整數(shù)N分頻頻率合成器SMT技術(shù)手冊(cè)

HMC698LP5(E)是一款頻率合成器,集成寬帶極性可反轉(zhuǎn)數(shù)字PFD和鎖定檢測(cè)輸出。 該分頻器的無(wú)條件工作范圍為80 - 7000 MHz,連續(xù)整數(shù)分頻比為12至259。由于高工作頻率以及超低
2025-04-27 17:09:35735

HMC759LP3E 0.25dB LSB 7位數(shù)字衰減器,采用SMT封裝,10-300MHz技術(shù)手冊(cè)

HMC759LP3E是一款7位BiCMOS數(shù)字衰減器,采用低成本無(wú)引腳SMT封裝。 這款多功能數(shù)字衰減器采用針對(duì)接近直流操作的片外交流接地電容,適合各種RF和IF應(yīng)用。 控制接口兼容CMOS/TTL
2025-04-24 16:35:45697

HMC1044LP3E可編程諧波低通濾波器,1-3GHz 3dB帶寬技術(shù)手冊(cè)

HMC1044LP3E是一款針對(duì)所有采用正交調(diào)制器和/或解調(diào)器應(yīng)用的可編程帶寬LPF(低通濾波器)。 HMC1044LP3E可濾除LO諧波,從而確保LO對(duì)調(diào)制器邊帶抑制或解調(diào)器鏡像抑制性能的貢獻(xiàn)非常小或?yàn)榱恪?/div>
2025-04-23 10:48:44836

HMC694LP4/694LP4E模擬可變?cè)鲆娣糯笃?,采用SMT封裝,6-17GHz技術(shù)手冊(cè)

HMC694LP4E是一款GaAs MMIC PHEMT模擬可變?cè)鲆娣糯笃鳎ぷ黝l率范圍為6至17 GHz。 該放大器適合微波無(wú)線電應(yīng)用,提供高達(dá)22 dB增益、+22 dBm輸出P1dB、+30
2025-04-21 11:41:44820

HMC996LP4E模擬可變?cè)鲆娣糯笃鳎捎肧MT封裝,5-12GHz技術(shù)手冊(cè)

HMC996LP4E是一款GaAs PHEMT MMIC模擬可變?cè)鲆娣糯笃骱?或驅(qū)動(dòng)器放大器,工作頻率范圍為5至12 GHz。 該放大器提供高達(dá)18.5 dB增益、高達(dá)+23 dBm P1dB以及
2025-04-19 15:22:59684

HMC6187LP4E可變?cè)鲆娣糯笃鳎捎肧MT封裝,27-31.5GHz技術(shù)手冊(cè)

HMC6187LP4E是一款GaAs MMIC pHEMT模擬可變?cè)鲆娣糯笃骱?或驅(qū)動(dòng)器放大器,工作頻率范圍為27至31.5 GHz,適合用于微波無(wú)線電應(yīng)用。 該放大器最高可提供19 dB增益
2025-04-19 15:14:00813

HMC942LP4E x2有源倍頻器,25-31GHz輸出技術(shù)手冊(cè)

HMC942LP4E是一款x2有源寬帶倍頻器,使用GaAs pHEMT技術(shù),采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由+4 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器在13至24.6 GHz范圍內(nèi)提供+17
2025-04-18 14:47:04662

HMC705LP4/HMC705LP4E 6.5GHz可編程分頻器SMT技術(shù)手冊(cè)

HMC705LP4(E)是一款低噪聲GaAs HBT可編程分頻器,采用4x4 mm無(wú)引腳表貼封裝。 該分頻器可以通過(guò)編程設(shè)置為以N = 1到N = 17之間的任意數(shù)字進(jìn)行分頻(最高6.5 GHz
2025-04-18 14:14:51916

HMC695LP4/HMC695LP4E x4有源倍頻器,11.4-13.2GHz輸出技術(shù)手冊(cè)

、溫度和電源電壓變化很小。 相對(duì)于輸出信號(hào)電平,無(wú)用基波和次諧波抑制大于25 dBc(典型值)。 100 kHz失調(diào)時(shí),加性SSB相位噪聲低至-140 dBc/Hz,可幫助用戶(hù)保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC695LP4(E)非常適合LO乘法器鏈路,與傳統(tǒng)方法相比可以減少器件數(shù)量。
2025-04-18 14:07:00732

HMC575LP4/575LP4E x2有源倍頻器,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

HMC575LP4(E)是一款x2有源寬帶倍頻器,使用GaAs PHEMT技術(shù),采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 由3 dBm信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí),該倍頻器提供+17 dBm的典型輸出功率,在6至9 GHz的頻率下工作。 相對(duì)于輸出信號(hào)電平,F(xiàn)o和3Fo隔離為15 dBc。
2025-04-18 11:19:41918

HMC494LP3/494LP3E使用InGaP HBT技術(shù),8分頻,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

HMC494LP3(E)是一款低噪聲8分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用無(wú)引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。 此器件在DC(使用方波輸入)至18 GHz的輸入頻率下工
2025-04-18 10:18:56734

HMC493LP3/493LP3E使用InGaP HBT技術(shù),4分頻,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

HMC493LP3(E)是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用無(wú)引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。 此器件在DC(使用方波輸入)至18 GHz的輸入頻率下工
2025-04-18 09:59:26838

HMC492LP3/492LP3E InGaP HBT 2分頻 SMT,DC-18GHz技術(shù)手冊(cè)

HMC492LP3(E) 是一款低噪聲 2 分頻靜態(tài)分頻器,采用 InGaP GaAs HBT 技術(shù),采用無(wú)引腳 3x3 mm QFN 表面貼裝塑料封裝。該器件采用單個(gè) +5V DC 電源,在 DC
2025-04-18 09:48:50789

HMC443LP4/443LP4E x4有源倍頻器,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

和電源電壓下變化很小。 在輸出信號(hào)電平方面,對(duì)無(wú)用基波和次諧波的抑制>25 dBc(典型值)。 100 kHz偏置時(shí)的低加性SSB相位噪聲為-142 dBc/Hz,有助于用戶(hù)保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC443LP4(E)非常適合在LO倍頻鏈中使用,與傳統(tǒng)方法相比,可以減少器件數(shù)量。
2025-04-17 16:42:19796

HMC370LP4/370LP4E x4有源倍頻器SMT技術(shù)手冊(cè)

、溫度和電源電壓變化很小。 相對(duì)于輸入信號(hào)電平,無(wú)用基波和次諧波抑制大于22 dBc(典型值)。 100 kHz失調(diào)時(shí),加性SSB相位噪聲低至-140 dBc/Hz,可幫助用戶(hù)保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC370LP4(E)非常適合LO倍頻器鏈路,與傳統(tǒng)方法相比可以減少器件數(shù)量。
2025-04-17 11:30:11775

HMC368LP4/368LP4E x2有源倍頻器SMT技術(shù)手冊(cè)

的典型輸出功率。 Fo和3Fo隔離為18 dB(典型值)。 100 kHz失調(diào)時(shí),加性SSB相位噪聲低至-140 dBc/Hz,可幫助用戶(hù)保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC368LP4(E)非常適合LO倍頻器鏈路,與傳統(tǒng)方法相比可以減少器件數(shù)量。
2025-04-17 11:15:55836

HMC631LP3/631LP3E HBT矢量調(diào)制器,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

HMC631LP3和HMC631LP3E均為高動(dòng)態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC,可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用來(lái)連續(xù)
2025-04-09 11:22:37859

HMC630LP3/630LP3E HBT矢量調(diào)制器,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動(dòng)態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC,可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來(lái)連續(xù)改變RF
2025-04-09 11:16:06911

HMC500LP3/500LP3E HBT矢量調(diào)制器,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

HMC500LP3(E)是一款高動(dòng)態(tài)范圍的矢量調(diào)制器RFIC,用于RF預(yù)失真和前饋消除電路,以及RF消除和波束成形幅度/相位校正電路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口,持續(xù)改變RF信號(hào)
2025-04-09 10:55:15826

HMC1133LP5E GaAs MMIC 6位數(shù)字移相器,4.8-6.2GHz技術(shù)手冊(cè)

HMC1133LP5E是一款6位數(shù)字移相器,額定頻率范圍為4.0至7 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC1133LP5E在所有相態(tài)具有2.8度的極低RMS相位誤差及±0.4
2025-04-09 09:52:51740

HMC967LP4E I/Q下變頻器,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

HMC967LP4E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳SMT封裝。 該器件提供15 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益、2.5 dB的噪聲系數(shù),并在頻段范圍內(nèi)提供25
2025-04-02 16:10:21841

12V1A隔離電源芯片LP3669CS

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)12V1A隔離電源芯片LP3669CS,原裝現(xiàn)貨 型號(hào):LP3669CS 品牌: 封裝:SOP7L VCC電源電壓:-0.3 ~7 V 待機(jī)功耗:/ 工作結(jié)溫范圍
2025-04-02 15:34:13

5V0.2A煙霧傳感器電源LP2178A

300ma) 一級(jí)代理 原裝現(xiàn)貨,技術(shù)支持,價(jià)格優(yōu)勢(shì) LP2178A產(chǎn)品介紹: LP2178A 是一款高效率高精度的非隔離降壓開(kāi)關(guān)電源恒壓控制驅(qū)動(dòng)芯片。適用于 85VAC~265VAC 全 范圍
2025-04-02 15:12:47

HMC786LP4E集成LO放大器的BiCMOS混頻器技術(shù)手冊(cè)

HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高動(dòng)態(tài)范圍無(wú)源MMIC混頻器,采用4x4 SMT QFN封裝,工作頻率范圍為0.7至1.1 GHz。 LO驅(qū)動(dòng)為0 dBm時(shí),3G和4G GSM/CDMA
2025-04-02 14:27:23784

LP3718BSL12V1A自供電PSR控制芯片

) LP3718BS18WSOP8L (12V1.5A) LP3718CA 18WASOP6( ) LP3718CD 24WDIP7 (12V 2A ,24V1A) 一級(jí)代理商 原裝,庫(kù)存
2025-04-01 17:47:32

HMC1113LP5E GaAs MMIC I/Q下變頻器技術(shù)手冊(cè)

HMC1113LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用無(wú)鉛5 x 5 mm低應(yīng)力注塑塑料表貼封裝。 該器件提供12 dB的小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益、1.8 dB的噪聲系數(shù)和25 dBc
2025-04-01 13:57:35861

HMC981LP3E有源偏置控制器技術(shù)手冊(cè)

HMC981LP3E是一款有源偏置控制器,可自動(dòng)調(diào)整外部放大器的柵極電壓,從而實(shí)現(xiàn)恒定的偏置電流。 它可用于為A級(jí)區(qū)(漏極電壓為4V至12V,漏極電流最大為200mA)的增強(qiáng)和耗盡型放大器提供合適的偏置,提供了完整的偏置解決方案。
2025-03-21 15:55:37775

HMC980LP4E高電流有源偏置控制器技術(shù)手冊(cè)

HMC980LP4E是一款有源偏置控制器,可自動(dòng)調(diào)整外部放大器的柵極電壓,從而實(shí)現(xiàn)恒定的偏置電流。 HMC980LP4E集成控制器,實(shí)現(xiàn)了安全的電源開(kāi)/關(guān)、禁用/使能和自動(dòng)供電序列,從而保證外部
2025-03-21 15:50:49801

HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術(shù)手冊(cè)

、LFCSP封裝。HMC903LP3E放大器的工作頻率范圍為6 GHz至17 GHz,提供18.5 dB的小信號(hào)增益,1.7 dB的噪聲系數(shù)(在6 GHz至16 GHz頻段范圍內(nèi)),25 dBm的輸出IP3(全頻段6 GHz至17 GHz),采用3.5 V電源時(shí)功耗僅為80 mA。
2025-03-21 15:14:511104

PDD12-18E0507A3C2 PDD12-18E0507A3C2

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)PDD12-18E0507A3C2相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有PDD12-18E0507A3C2的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文
2025-03-20 18:53:09

HMC566LP4E低噪聲放大器,采用SMT封裝,28-36GHz技術(shù)手冊(cè)

HMC566LP4E是一款高動(dòng)態(tài)范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為28至36 GHz。 HMC566LP4E提供21 dB小信號(hào)增益、2.8 dB噪聲系數(shù)
2025-03-20 15:55:24834

HMC263LP4E低噪聲放大器,采用SMT封裝,24-36GHz技術(shù)手冊(cè)

HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為24至36 GHz,采用無(wú)引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成,采用3 V
2025-03-19 15:41:44776

FA15-220E12F2D4 FA15-220E12F2D4

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA15-220E12F2D4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有FA15-220E12F2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,F(xiàn)A15-220E12F2D4真值表,F(xiàn)A15-220E12F2D4管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-18 18:54:31

LP2801A/B/C/D/E 非隔離AC-DC電源芯片方案

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2025-03-13 09:46:34

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2025-02-15 16:58:54

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2025-01-20 15:51:19

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