三極管是流控型器件，通過電流控制三極管的工作區(qū)，而MOSFET與之相對是壓控型器件，柵-源阻抗非常大，我們一般認為MOSFET柵-源工作電流可以忽略，那既然MOSFET是壓控型器件
2025-01-02 09:27:50
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在漏電流達到30mA時即可動作：無漏電流時，漏電脫扣器的永久磁鐵將銜鐵吸合,處于正常工作狀態(tài)。
2011-12-08 10:43:454368 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）漏電流增加的原因有多種，以下是對這些原因的分析： 正向電壓的增加 ：當IGBT的控制極壓加上一定的電壓時，例如正向電壓，漏結區(qū)就會被壓縮。這時候漏極和源極之間就會產生一個
2023-12-13 16:01:596980 繼上一篇超級結MOSFET技術簡介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。
2024-12-27 14:52:095179 
MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應用的關鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長期穩(wěn)定性和使用壽命，因此，如何有效驗證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關注的焦點。
2025-03-24 17:43:272363 
極電流保持比例的關系，漏極電流恒定，因此柵極電壓也保持恒定，這樣柵極電壓不變，柵源極間的電容不再流過電流，驅動的電流全部流過米勒電容。過了米勒平臺后，MOSFET完全導通，柵極電壓和漏極電流不再受轉移特性的約束，就繼續(xù)地增大，直到等于驅動電路的電源的電壓。
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2025-02-26 14:41:53
的反向阻斷和導通特性有明顯的影響。
為分析和表述方便，定義柵極到源極（就是柵極到體端）的電壓為UGS，漏極到源極的電壓為UDS，流經MOSFET的電流，即流入漏極的電流為ID。
MOSFET
2024-06-13 10:07:47
(引起不必要的低邊FET導通)，使低邊(或同步)FET出現柵極尖峰電壓。實際上，當Q2的漏源極的電壓升高時，電流就會經由柵漏電容CGD 流入總柵極電阻RG ，如圖3(a)所示。因此，它會導致同步FET Q2
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的結構原理，漏電流等相關問題，新型MOSFET等等。
2015-03-09 18:57:08
柵漏電流噪聲特性是什么？柵漏電流噪聲有哪幾種模型？這幾種模型具有什么特性和局限性？
2021-04-14 06:53:21
常見的柵漏電流噪聲模型有哪幾種，這幾種模型的特性是什么？有什么局限性？
2021-04-09 06:44:22
什么是對地漏電流？什么是外殼漏電流？
2021-10-11 07:53:44
我的輸入交流電220VAC，現在要對其進行漏電流檢測。當漏電流大于某個值時，MCU發(fā)出指令切斷連接這個220VAC的繼電器達到保護的目的，請問這個要如何實現？
2019-01-07 15:55:16
任何超級電容器都會在通電的情況下，通過內部并聯電阻EPR放電，這個放電電流稱為漏電流，它會影響超級電容器單元的自放電。由于漏電流的存在，內部并聯電阻的大小將決定串聯的超級電容器單元上的電壓分配，當
2021-04-01 08:49:16
】MOSFETBIPOLARIGBT基本結構控制柵極電壓基極電流柵極電壓容許電流?△○開關○?△導通電阻?△○MOSFET是指半導體元件的結構為Metal（金屬）- Oxide（半導體氧化物）- Semiconductor（半導體
2019-05-06 05:00:17
MOS管的漏電流在微型可穿戴設備中，對于電池的功耗要求很高，所以為了省電，其實電路也是很多的，最省電的無疑就是直接斷開電池的供電了。這種方案要用到一個NMOS和一個PMOS組合使用，NMOS作為下管
2021-10-12 16:45:51
MOS管的漏電流是什么意思？MOS管的漏電流主要有什么組成？
2021-09-28 07:41:51
MOSFET自建模工具系統(tǒng)介紹從器件手冊中獲取MOSFET建模特性曲線Saber軟件MOSFET直流特性中漏電流與柵源電壓曲線（Id_Vgs)自建模一Saber軟件MOSFET直流特性中漏電流與柵源電壓
2017-04-12 20:43:49
鄙人需要測量十幾pA的電流，，以下是我設計的方案，但是怕RF電阻噪聲太大，請教電路設計和噪聲分析？拜托了@
2018-09-11 10:05:01
tina仿真的噪聲分析，可以分析電流噪聲嗎
2024-08-06 08:23:15
稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。 MOSFET有什么優(yōu)點
2012-01-06 22:55:02
稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。 MOSFET有什么優(yōu)點
2012-12-10 21:37:15
氧化層？如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解，揭開這一技術領域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34
，導致Cp上的電壓降低。反激開關MOSFET 源極流出的電流（Is）波形的轉折點的分析。 很多工程師在電源開發(fā)調試過程中，測的的波形的一些關鍵點不是很清楚，下面針對反激電源實測波形來分析一下。問題一
2018-10-10 20:44:59
一種準確地預測由泄漏電流引起的 PLL 基準雜散噪聲之簡單方法
2019-05-27 15:55:17
本文將介紹使用源-測量單元測量二極管的泄漏電流以及MOSFET的亞閾區(qū)電流（sub-thresh old current）。
2021-04-14 06:56:04
了具備MOSFET寄生參數和電路板寄生參數的標準通孔封裝傳統(tǒng)的TO247（即：電源電流路徑和驅動電流路徑是相同的）。第三節(jié)將對最新推出的TO247 4引腳封裝做詳盡的電路分析，以表明TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
開關MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
在現在水電工程中，開關電源是必不可少的家居用品，開關電源漏電怎么辦，市面上開關電源產品還是不少的，功能很多，品牌也不少，所以，選擇的時候也需要特別注意。好的品牌就會避免漏電的情況出現，開關電源漏電流
2025-01-09 13:59:29
開關箱中漏電保護器的額定漏電動作電流是多少？額定漏電動作時間是多少？配電箱、開關箱送電操作順序是什么？
2021-07-22 09:28:45
康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片，并與OBIRCH對比定位效果，然后用FIB做定點截面切割，觀察到金屬化薄膜鋁條被熔斷。案例分析：據客戶反饋，應用于新能源汽車
2018-11-02 16:25:31
`要求漏電流小于300PA`
2018-04-17 15:31:30
本人最近在學習自舉電容的選擇方法，期間查閱資料，說到影響自舉電容大小，要考慮的因素包括一條是驅動芯片所接MOS管的柵源極間正向漏電流。一直對于漏電流不清楚其含義，原來只知道反向漏電流，現在又來了正向漏電流，所以想請教一下漏電流的意義，包括正反漏電流，希望講的詳細些，謝謝！
2016-11-01 16:12:48
SiCMOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
，FET的作用并不是立即斷開輸入與輸出之間的連接，而是減輕那些具有破壞力的浪涌電流帶來的嚴重后果。這需要通過一個控制器來調節(jié)輸入電壓（VIN）和輸出電壓（VOUT）之間MOSFET上的柵源偏壓，使MOSFET處于飽和狀態(tài)。
2019-08-06 06:28:49
電路漏電流形成及預防知識 介紹了印制電路板漏電流的形成及影響，對不同環(huán)境條件下的印制板印制線間絕緣電阻進行了測試，得出了電路漏電流的控制方法，為可能出現的因電路漏電流導致的故障分析
2009-12-23 16:22:21
。因而同時具備了MOS管、GTR的優(yōu)點。二．絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的特點：這種器件的特點是集MOSFET與GTR的優(yōu)點于一身。輸入阻抗高，速度快，熱穩(wěn)定性好。通態(tài)電壓低，耐壓高，電流大。它
2009-05-12 20:44:23
耐壓和漏電流漏電是否可以理解為產品接地不良；而耐壓不通過是產品絕緣沒做好？
2022-07-07 14:47:07
如何去仿真MOSFET噪聲？MOSFET噪聲有哪幾種？
2021-06-22 07:26:47
目前用到一款有源倍頻器HMC368，pHEMT的MMIC，其中pin21和23為Vg1和Vg2，也就是pHEMT的柵壓，我看到數據手冊上要求的Vg口供電為負壓，-2~0V，這個柵壓應該是影響漏電流
2018-08-23 19:40:08
我正在嘗試確定CY7C1041CV33的I/O引腳的漏電流。數據表說明了設備的輸入泄漏電流和輸出泄漏電流。I/O管腳的漏電流等于輸入和輸出漏電流之和嗎？
2019-09-20 14:49:30
本人最近在學習自舉電容的選擇方法， 期間查閱資料，說到影響自舉電容大小，要考慮的因素包括一條是驅動芯片所接MOS管的柵源極間正向漏電流。 一直對于漏電流不清楚其含義，原來只知道反向漏電流，現在又來了正向漏電流， 所以想請教一下漏電流的意義，包括正反漏電流，希望講的詳細些，謝謝！
2020-04-16 00:14:19
ADA4530-1的參考電路CN0407能夠檢測fA級電流，但電路中使用的開關ADG1419的漏電流為nA級，需要什么樣的處理來避免ADG1419的漏電流對被測電流信號的影響？謝謝。
2019-01-30 11:20:33
漏電流偏大，在40uA-100uA不等,一般來說，這都是因為機械應力導致的MLCC開裂，部分可在外觀看到裂紋，部分裂紋在內部。尤其是大容量的MLCC，疊層間距本身就比較小，特別容易造成開裂。 先查
2019-04-13 18:55:29
能會對MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和總體性能產生負面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
如果電子管的絲極由交流供電，當陰極與絲極間漏電流 大，容易受到50Hz交流電的調制，在音頻擴大機上會產生哼 聲千擾；電視機熒光屏上會出現黑色滾道橫條，漏電嚴重時 將影響到陰極電位，使控制柵與陰極
2018-10-17 16:52:30
1中的t1），源極電壓（VGS）正接近MOSFET的閾值電壓，VTH和漏電流為零。因此，在此期間的功率損耗為零。在t2時段，MOSFET的寄生輸入電容（CISS）開始充電，而漏極電流開始流經
2022-11-16 08:00:15
對于低壓功率溝槽MOSFET的開關性能，柵－漏電荷Qgd是一個重要的參數。本文利用數值模擬軟件TCAD（器件與工藝計算機輔助設計），研究了氧化層厚度、溝道雜質分布、外延層雜質濃
2010-08-02 16:31:26
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電容器的漏電流
電容器的介質并不是絕對絕緣的，當在電容器兩端力[J上直流電壓時，它便會產生漏電流。一般電解電容器的漏電流較
2009-08-21 16:48:048330 MOSFET管并聯應用時電流分配不均問題探究
1 引言 MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性，可自動調節(jié)電流，因而易于并聯應用。但由于器件自身參數(柵
2009-11-02 10:04:002732 
姆與大阪大學研究生院工學研究科助教細井卓治、京都大學研究生院工學研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點是將透過柵極絕緣膜的漏電流減小了90％，并將
2012-12-17 09:03:361286 ，可測量漏電保護器的漏電動作電流值、分斷時間和漏電不動作電流值，對提高漏電保護器工作的可靠性提供了主要技術參數，檢測過程具有較高的自動化水平，可對在線運行與非在線運行的漏電保護器進行檢測。 系統(tǒng)以LPC2132為核心
2017-10-12 18:06:5819 針對非隔離型級聯H橋逆變器的漏電流問題，首先建立帶有寄生電容參數的逆變器共模等效模型，分別分析單電感電路與對稱電感電路中漏電流的特點及其影響因素，指出在對稱電感電路中通過優(yōu)化調制策略可以有效抑制系統(tǒng)
2017-12-28 15:13:490 電容器的漏電流時電容的一個負面的指標。在理想的情況下電容兩個極板間是不能夠有電流流通的，但是哲學里面講任何的事物都不是絕對的，所以電容的兩端會存在電流，這種電流就是我們通常所說的漏電流。影響電容器的漏電流的因素有哪些？
2018-11-15 18:50:0863364 漏電流是PN結在電壓反偏置時通過二極管的電流。發(fā)光二極管通常都工作在正向導通狀態(tài)下，漏電流指標沒有多大意義。
2019-07-30 16:36:3368545 
隔離變壓器輸出一端接地的漏電流測試。測試的漏電流有電氣設備絕緣漏電流和隔離變壓器與調壓器由于分布電容形成的容性漏電流。
2019-09-13 15:14:0042030 CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢，導致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對于常規(guī)體MOSFET，當氧化層厚度＜2 nm時，大量載流子以不同機制通過柵介質形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流
2020-08-20 14:53:255000 
汽車線束漏電流測試要求精確的電壓、漏電流、以及接觸電阻測試。
2021-01-14 17:59:494940 本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片，并與OBIRCH對比定位效果，然后用FIB做定點截面切割，觀察到金屬化薄膜鋁條被熔斷。
2021-07-16 10:24:362431 影響測量泄漏電流的因素及排除方法(通信電源技術期刊錄用通知)-測量泄漏電流是電氣預防性試驗中一個重要的試驗項目 ,但影響泄露電流值的因素很多 ,
針對影響測量泄漏電流的幾種因素 ,從原理上進行了分析探討 ,并提出了相應的排除方法。
2021-09-17 10:32:3825 第一個作用是把陰極電阻上電壓降的負電位引入柵極，是電子管有一個合適的靜態(tài)工作點。這個電路采取的是自給偏壓的方式，其自給方式是陰極電阻接地電流通過陰極電阻是陰極電位升高，柵極通過柵漏電阻接地，造成柵極相對于陰極的電壓為負。由此獲得柵極負偏壓，得以控制陰極電子流向陽極。
2022-04-09 16:15:337163 
溝槽柵結構是一種改進的技術，指在芯片表面形成的凹槽的側壁上形成MOSFET柵極的一種結構。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029391 
驅動系統(tǒng)總漏電流由驅動器本身漏電流、電機電纜線漏電流、電機漏電流組成。驅動系統(tǒng)漏電流大小取決于驅動器逆變IGBT的開關頻率，逆變IGBT的開關的速度，直流母線電壓的幅值，電機的繞組對機殼的分布電容（i=C*dU/dt），因此，IGBT的開關頻率由10kHz降低到5kHz時，漏電流明顯降低
2023-05-17 10:19:532146 
泄漏電流是一種普遍存在于電器電子設備中的現象。當設備中的絕緣被破壞或未經充分絕緣而形成的電流，被稱為泄漏電流。泄漏電流對電器電子設備正常運行產生了很大的影響。為了保證設備的正常工作，我們需要及時檢測泄漏電流。電流探頭就是在這個過程中起著重要的作用。
2023-05-18 09:45:213311 
漏電電流是指由于電器設備絕緣的破損、老化、安裝不良等原因，在電氣設備的工作過程中，引起的電流泄露到地線上的電流。漏電電流是指在電氣設備的工作過程中，出現了電路的電源線與地線之間的電流泄露現象，通常是由于設備絕緣失效或者絕緣破損所引起。
2023-06-03 09:54:448070 寄生漏電電流需要進行長時間的測試
2022-03-02 17:08:274587 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
據調查，很多用戶在使用貼片電容的過程中出現過電容漏電的現象，那么您知道是哪些原因導致的嗎，下面小編為您分析可能導致漏電的幾種原因并附上測電流方法。
2023-07-04 15:17:187561 漏電流是怎么產生的？如何控制漏電流的危害呢？ 漏電流是電器電路中的一種異常電流，指的是在電路中的部分電流從電源發(fā)出后，沒有按照預定的路徑通過相應的負載或元件，而是決定性地流向了地線或其他非目標路線
2023-10-29 11:45:5114827 導致以下問題： 1. 信號失真：漏電流可能引入額外的噪聲，影響信號的準確性和清晰度。特別是對于微弱的pA級電流信號，即使是微小的漏電流也足以干擾信號的正確傳輸，導致信號失真。 2. 數據丟失：由于布板的隨意性，沒有合理的屏蔽和隔離措施，
2023-11-06 11:14:171086 漏電流測試是電源模塊安規(guī)測試項目之一，目的是為了檢測漏電流是否超過了額定標準，防止漏電流過大造成設備損毀，甚至引發(fā)電擊安全事故。漏電流測試方法多樣，納米軟件將帶你了解如何用萬用表測量電源模塊的漏電流。
2023-11-06 15:44:524804 
漏電保護開關的漏電動作電流為多少? 漏電保護開關是一種用于監(jiān)測和保護電氣設備和人身安全的重要電器設備。當電氣系統(tǒng)發(fā)生漏電故障時，漏電保護開關能夠及時檢測到漏電電流，并迅速切斷電路，以避免漏電電流
2024-02-03 09:13:1536813 如何解決貼片電容漏電流的問題呢？ 貼片電容漏電流是電容器在正常工作條件下發(fā)生的一種特殊現象，會導致電路工作不穩(wěn)定甚至損壞。要解決貼片電容漏電流問題，需要找出漏電流的原因，并采取相應的措施進行修復或
2024-02-03 14:37:453526 在晶體管和MOSFET等器件中，整流柵的控制電壓可以控制電流通過器件的方向。當整流柵施加正向電壓時，它將通導，讓電流從源極流向漏極，實現正向電流的導通。
2024-02-04 17:15:582637 電橋電路柵驅動器和MOSFET柵驅動器產品介紹
2024-03-19 09:43:361482 
MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的呢？柵源振蕩的危害什么？如何抑制或緩解柵源振蕩的現象呢？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）的柵源振蕩是指在工作過程中，出現的柵極與源極之間產生
2024-03-27 15:33:283305 漏電流和泄漏電流這兩個術語在電氣工程領域經常被提及，它們之間的區(qū)別主要體現在測試條件、測量方法和應用場景上
2024-04-08 11:47:415043 電子產品使用久了可能出現漏電流問題，影響性能。陶瓷電容雖性能穩(wěn)定，但工作過程中也可能產生漏電流，與內部結構、溫度、電壓和頻率等因素有關，選擇時需考慮其漏電流特性。
2024-07-22 10:04:321798 電子產品使用久了可能出現漏電流問題，影響性能。陶瓷電容雖性能穩(wěn)定，但工作過程中也可能產生漏電流，與內部結構、溫度、電壓和頻率等因素有關，選擇時需考慮其漏電流特性。
2024-07-22 10:35:001399 
引言：在日常工作中，硬件設計工程師朋友們經常會接觸到漏電流這個指標，其分為泄漏電流和耐壓漏電流。本文將簡述開關電源兩類漏電流的區(qū)別，并簡要分析了常見漏電流異常的問題，同時給出了對應的驗證方法和解決及預防的辦法，保障系統(tǒng)可靠性。
2024-08-06 15:24:543724 
線路的漏電流更是造成電氣火災的重要因素。消防部門、行業(yè)專家往往要求地鐵車站設置電氣火災監(jiān)控系統(tǒng)，但在地鐵監(jiān)控防范措施中，泄漏電流的監(jiān)測并不完善，現有的泄漏電流監(jiān)測系統(tǒng)存在誤報現象，使得配電系統(tǒng)漏電保護 頻繁跳閘。為此，查找頻繁誤報
2024-09-06 15:34:10924 
，簡稱信號隔離柵，是一種用于工業(yè)自動化系統(tǒng)內的設備，主要作用是將輸入信號與輸出信號進行電氣隔離。這種隔離可以有效防止由高電壓或電流引起的設備損壞，確保設備在安全范圍內運行，同時避免電氣噪聲、干擾信號以及其他外部
2024-10-28 14:25:381697 
）電流產生的功耗。 從上述公式推導得出，三部分功耗中只有一個與MOSFET柵極電容充電和放電有關。 這部分功耗通常是最高的，特別在很低的開關頻率時。為了計算公式 1 的值，需要知道 MOSFET 柵極電容。MOSFET 柵極電容包含兩個電容：柵源電容和柵漏電容（米勒電容） 。 通常容易犯的
2024-10-29 10:45:212503 
產品概述： 醫(yī)用電氣設備漏電流的測量不同于一般的電流測量，泄漏電流所用的測量裝置需考慮到電流通過人體包括心臟時產生的生理效應的測量。在IEC、GB9706．1-2020等標準中對漏電流的檢測有明確
2024-11-15 10:21:011519 
泄漏電流的概念泄漏電流（leakagecurrent）也叫接觸電流，是指在沒有故障施加電壓的情況下，電氣中相互絕緣的金屬零件之間，或帶電零件與接地零件之間，通過其周圍介質或絕緣表面所形成的電流。泄漏電流
2024-11-26 11:48:272863 
順絡貼片電容的漏電流問題如何解決?要解決順絡貼片電容的漏電流問題，可以從以下方面入手： 1、選型與材料優(yōu)化 選擇優(yōu)質型號：優(yōu)先選擇質量可靠、穩(wěn)定性好的順絡貼片電容，如具有低漏電流特性的X7R或X5R
2025-06-19 15:07:54570 
一、引言 隨著半導體工藝的不斷發(fā)展，MOSFET的尺寸不斷縮小，柵極漏電流成為影響器件性能的重要因素。柵極漏電流不僅增加電路功耗，還可能引入噪聲，影響信號完整性。因此，準確測量柵極漏電流及其噪聲特性
2025-06-20 12:00:201071 
在絕緣子漏電起痕試驗中，泄漏電流信號是反映試驗過程狀態(tài)變化的核心載體，其細微波動中蘊含著電痕發(fā)展、電弧產生的關鍵信息。小波變換分析技術憑借對信號多尺度解析的優(yōu)勢，成為提取泄漏電流信號中有效信息的重要
2025-10-15 09:43:22240 
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工商網監(jiān)
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