在漏電流達(dá)到30mA時(shí)即可動(dòng)作：無漏電流時(shí)，漏電脫扣器的永久磁鐵將銜鐵吸合,處于正常工作狀態(tài)。
2011-12-08 10:43:45
4368 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）漏電流增加的原因有多種，以下是對(duì)這些原因的分析： 正向電壓的增加 ：當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時(shí)，例如正向電壓，漏結(jié)區(qū)就會(huì)被壓縮。這時(shí)候漏極和源極之間就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)
2023-12-13 16:01:596980 MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長期穩(wěn)定性和使用壽命，因此，如何有效驗(yàn)證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-03-24 17:43:272363 
極
電流保持比例的關(guān)系，漏極
電流恒定，因此柵極電壓也保持恒定，這樣?xùn)艠O電壓不變，
柵源極間的電容不再流過
電流，驅(qū)動(dòng)的
電流全部流過米勒電容。過了米勒平臺(tái)后，
MOSFET完全導(dǎo)通，柵極電壓和漏極
電流不再受轉(zhuǎn)移特性的約束，就繼續(xù)地增大，直到等于驅(qū)動(dòng)電路的電源的電壓。
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2025-02-26 14:41:53
的反向阻斷和導(dǎo)通特性有明顯的影響。
為分析和表述方便，定義柵極到源極（就是柵極到體端）的電壓為UGS，漏極到源極的電壓為UDS，流經(jīng)MOSFET的電流，即流入漏極的電流為ID。
MOSFET
2024-06-13 10:07:47
(引起不必要的低邊FET導(dǎo)通)，使低邊(或同步)FET出現(xiàn)柵極尖峰電壓。實(shí)際上，當(dāng)Q2的漏源極的電壓升高時(shí)，電流就會(huì)經(jīng)由柵漏電容CGD 流入總柵極電阻RG ，如圖3(a)所示。因此，它會(huì)導(dǎo)致同步FET Q2
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的結(jié)構(gòu)原理，漏電流等相關(guān)問題，新型MOSFET等等。
2015-03-09 18:57:08
柵漏電流噪聲特性是什么？柵漏電流噪聲有哪幾種模型？這幾種模型具有什么特性和局限性？
2021-04-14 06:53:21
常見的柵漏電流噪聲模型有哪幾種，這幾種模型的特性是什么？有什么局限性？
2021-04-09 06:44:22
什么是對(duì)地漏電流？什么是外殼漏電流？
2021-10-11 07:53:44
我的輸入交流電220VAC，現(xiàn)在要對(duì)其進(jìn)行漏電流檢測(cè)。當(dāng)漏電流大于某個(gè)值時(shí)，MCU發(fā)出指令切斷連接這個(gè)220VAC的繼電器達(dá)到保護(hù)的目的，請(qǐng)問這個(gè)要如何實(shí)現(xiàn)？
2019-01-07 15:55:16
任何超級(jí)電容器都會(huì)在通電的情況下，通過內(nèi)部并聯(lián)電阻EPR放電，這個(gè)放電電流稱為漏電流，它會(huì)影響超級(jí)電容器單元的自放電。由于漏電流的存在，內(nèi)部并聯(lián)電阻的大小將決定串聯(lián)的超級(jí)電容器單元上的電壓分配，當(dāng)
2021-04-01 08:49:16
】MOSFETBIPOLARIGBT基本結(jié)構(gòu)控制柵極電壓基極電流柵極電壓容許電流?△○開關(guān)○?△導(dǎo)通電阻?△○MOSFET是指半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)為Metal（金屬）- Oxide（半導(dǎo)體氧化物）- Semiconductor（半導(dǎo)體
2019-05-06 05:00:17
MOS管的漏電流在微型可穿戴設(shè)備中，對(duì)于電池的功耗要求很高，所以為了省電，其實(shí)電路也是很多的，最省電的無疑就是直接斷開電池的供電了。這種方案要用到一個(gè)NMOS和一個(gè)PMOS組合使用，NMOS作為下管
2021-10-12 16:45:51
MOS管的漏電流是什么意思？MOS管的漏電流主要有什么組成？
2021-09-28 07:41:51
MOSFET自建模工具系統(tǒng)介紹從器件手冊(cè)中獲取MOSFET建模特性曲線Saber軟件MOSFET直流特性中漏電流與柵源電壓曲線（Id_Vgs)自建模一Saber軟件MOSFET直流特性中漏電流與柵源電壓
2017-04-12 20:43:49
鄙人需要測(cè)量十幾pA的電流，，以下是我設(shè)計(jì)的方案，但是怕RF電阻噪聲太大，請(qǐng)教電路設(shè)計(jì)和噪聲分析？拜托了@
2018-09-11 10:05:01
tina仿真的噪聲分析，可以分析電流噪聲嗎
2024-08-06 08:23:15
稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對(duì)于這種簡單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對(duì)稱的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認(rèn)具體的源和漏。 MOSFET有什么優(yōu)點(diǎn)
2012-01-06 22:55:02
稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對(duì)于這種簡單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對(duì)稱的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認(rèn)具體的源和漏。 MOSFET有什么優(yōu)點(diǎn)
2012-12-10 21:37:15
氧化層？如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解，揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34
，導(dǎo)致Cp上的電壓降低。反激開關(guān)MOSFET 源極流出的電流（Is）波形的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析。 很多工程師在電源開發(fā)調(diào)試過程中，測(cè)的的波形的一些關(guān)鍵點(diǎn)不是很清楚，下面針對(duì)反激電源實(shí)測(cè)波形來分析一下。問題一
2018-10-10 20:44:59
一種準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)由泄漏電流引起的 PLL 基準(zhǔn)雜散噪聲之簡單方法
2019-05-27 15:55:17
本文將介紹使用源-測(cè)量單元測(cè)量二極管的泄漏電流以及MOSFET的亞閾區(qū)電流（sub-thresh old current）。
2021-04-14 06:56:04
了具備MOSFET寄生參數(shù)和電路板寄生參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝傳統(tǒng)的TO247（即：電源電流路徑和驅(qū)動(dòng)電流路徑是相同的）。第三節(jié)將對(duì)最新推出的TO247 4引腳封裝做詳盡的電路分析，以表明TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
開關(guān)MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
在現(xiàn)在水電工程中，開關(guān)電源是必不可少的家居用品，開關(guān)電源漏電怎么辦，市面上開關(guān)電源產(chǎn)品還是不少的，功能很多，品牌也不少，所以，選擇的時(shí)候也需要特別注意。好的品牌就會(huì)避免漏電的情況出現(xiàn)，開關(guān)電源漏電流
2025-01-09 13:59:29
開關(guān)箱中漏電保護(hù)器的額定漏電動(dòng)作電流是多少？額定漏電動(dòng)作時(shí)間是多少？配電箱、開關(guān)箱送電操作順序是什么？
2021-07-22 09:28:45
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片，并與OBIRCH對(duì)比定位效果，然后用FIB做定點(diǎn)截面切割，觀察到金屬化薄膜鋁條被熔斷。案例分析：據(jù)客戶反饋，應(yīng)用于新能源汽車
2018-11-02 16:25:31
`要求漏電流小于300PA`
2018-04-17 15:31:30
本人最近在學(xué)習(xí)自舉電容的選擇方法，期間查閱資料，說到影響自舉電容大小，要考慮的因素包括一條是驅(qū)動(dòng)芯片所接MOS管的柵源極間正向漏電流。一直對(duì)于漏電流不清楚其含義，原來只知道反向漏電流，現(xiàn)在又來了正向漏電流，所以想請(qǐng)教一下漏電流的意義，包括正反漏電流，希望講的詳細(xì)些，謝謝！
2016-11-01 16:12:48
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
，F(xiàn)ET的作用并不是立即斷開輸入與輸出之間的連接，而是減輕那些具有破壞力的浪涌電流帶來的嚴(yán)重后果。這需要通過一個(gè)控制器來調(diào)節(jié)輸入電壓（VIN）和輸出電壓（VOUT）之間MOSFET上的柵源偏壓，使MOSFET處于飽和狀態(tài)。
2019-08-06 06:28:49
電路漏電流形成及預(yù)防知識(shí) 介紹了印制電路板漏電流的形成及影響，對(duì)不同環(huán)境條件下的印制板印制線間絕緣電阻進(jìn)行了測(cè)試，得出了電路漏電流的控制方法，為可能出現(xiàn)的因電路漏電流導(dǎo)致的故障分析
2009-12-23 16:22:21
。因而同時(shí)具備了MOS管、GTR的優(yōu)點(diǎn)。二．絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的特點(diǎn)：這種器件的特點(diǎn)是集MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)于一身。輸入阻抗高，速度快，熱穩(wěn)定性好。通態(tài)電壓低，耐壓高，電流大。它
2009-05-12 20:44:23
耐壓和漏電流漏電是否可以理解為產(chǎn)品接地不良；而耐壓不通過是產(chǎn)品絕緣沒做好？
2022-07-07 14:47:07
如何去仿真MOSFET噪聲？MOSFET噪聲有哪幾種？
2021-06-22 07:26:47
目前用到一款有源倍頻器HMC368，pHEMT的MMIC，其中pin21和23為Vg1和Vg2，也就是pHEMT的柵壓，我看到數(shù)據(jù)手冊(cè)上要求的Vg口供電為負(fù)壓，-2~0V，這個(gè)柵壓應(yīng)該是影響漏電流
2018-08-23 19:40:08
我正在嘗試確定CY7C1041CV33的I/O引腳的漏電流。數(shù)據(jù)表說明了設(shè)備的輸入泄漏電流和輸出泄漏電流。I/O管腳的漏電流等于輸入和輸出漏電流之和嗎？
2019-09-20 14:49:30
本人最近在學(xué)習(xí)自舉電容的選擇方法， 期間查閱資料，說到影響自舉電容大小，要考慮的因素包括一條是驅(qū)動(dòng)芯片所接MOS管的柵源極間正向漏電流。 一直對(duì)于漏電流不清楚其含義，原來只知道反向漏電流，現(xiàn)在又來了正向漏電流， 所以想請(qǐng)教一下漏電流的意義，包括正反漏電流，希望講的詳細(xì)些，謝謝！
2020-04-16 00:14:19
ADA4530-1的參考電路CN0407能夠檢測(cè)fA級(jí)電流，但電路中使用的開關(guān)ADG1419的漏電流為nA級(jí)，需要什么樣的處理來避免ADG1419的漏電流對(duì)被測(cè)電流信號(hào)的影響？謝謝。
2019-01-30 11:20:33
漏電流偏大，在40uA-100uA不等,一般來說，這都是因?yàn)闄C(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致的MLCC開裂，部分可在外觀看到裂紋，部分裂紋在內(nèi)部。尤其是大容量的MLCC，疊層間距本身就比較小，特別容易造成開裂。 先查
2019-04-13 18:55:29
能會(huì)對(duì)MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和總體性能產(chǎn)生負(fù)面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現(xiàn)為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會(huì)逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
如果電子管的絲極由交流供電，當(dāng)陰極與絲極間漏電流 大，容易受到50Hz交流電的調(diào)制，在音頻擴(kuò)大機(jī)上會(huì)產(chǎn)生哼 聲千擾；電視機(jī)熒光屏上會(huì)出現(xiàn)黑色滾道橫條，漏電嚴(yán)重時(shí) 將影響到陰極電位，使控制柵與陰極
2018-10-17 16:52:30
1中的t1），源極電壓（VGS）正接近MOSFET的閾值電壓，VTH和漏電流為零。因此，在此期間的功率損耗為零。在t2時(shí)段，MOSFET的寄生輸入電容（CISS）開始充電，而漏極電流開始流經(jīng)
2022-11-16 08:00:15
對(duì)于低壓功率溝槽MOSFET的開關(guān)性能，柵－漏電荷Qgd是一個(gè)重要的參數(shù)。本文利用數(shù)值模擬軟件TCAD（器件與工藝計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)），研究了氧化層厚度、溝道雜質(zhì)分布、外延層雜質(zhì)濃
2010-08-02 16:31:26
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電容器的漏電流
電容器的介質(zhì)并不是絕對(duì)絕緣的，當(dāng)在電容器兩端力[J上直流電壓時(shí)，它便會(huì)產(chǎn)生漏電流。一般電解電容器的漏電流較
2009-08-21 16:48:048330 MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問題探究
1 引言 MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動(dòng)調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵
2009-11-02 10:04:002732 
姆與大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究科助教細(xì)井卓治、京都大學(xué)研究生院工學(xué)研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點(diǎn)是將透過柵極絕緣膜的漏電流減小了90％，并將
2012-12-17 09:03:361286 ，可測(cè)量漏電保護(hù)器的漏電動(dòng)作電流值、分?jǐn)鄷r(shí)間和漏電不動(dòng)作電流值，對(duì)提高漏電保護(hù)器工作的可靠性提供了主要技術(shù)參數(shù)，檢測(cè)過程具有較高的自動(dòng)化水平，可對(duì)在線運(yùn)行與非在線運(yùn)行的漏電保護(hù)器進(jìn)行檢測(cè)。 系統(tǒng)以LPC2132為核心
2017-10-12 18:06:5819 針對(duì)非隔離型級(jí)聯(lián)H橋逆變器的漏電流問題，首先建立帶有寄生電容參數(shù)的逆變器共模等效模型，分別分析單電感電路與對(duì)稱電感電路中漏電流的特點(diǎn)及其影響因素，指出在對(duì)稱電感電路中通過優(yōu)化調(diào)制策略可以有效抑制系統(tǒng)
2017-12-28 15:13:490 電容器的漏電流時(shí)電容的一個(gè)負(fù)面的指標(biāo)。在理想的情況下電容兩個(gè)極板間是不能夠有電流流通的，但是哲學(xué)里面講任何的事物都不是絕對(duì)的，所以電容的兩端會(huì)存在電流，這種電流就是我們通常所說的漏電流。影響電容器的漏電流的因素有哪些？
2018-11-15 18:50:0863364 漏電流是PN結(jié)在電壓反偏置時(shí)通過二極管的電流。發(fā)光二極管通常都工作在正向?qū)顟B(tài)下，漏電流指標(biāo)沒有多大意義。
2019-07-30 16:36:3368545 
隔離變壓器輸出一端接地的漏電流測(cè)試。測(cè)試的漏電流有電氣設(shè)備絕緣漏電流和隔離變壓器與調(diào)壓器由于分布電容形成的容性漏電流。
2019-09-13 15:14:0042030 CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì)，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對(duì)于常規(guī)體MOSFET，當(dāng)氧化層厚度＜2 nm時(shí)，大量載流子以不同機(jī)制通過柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流
2020-08-20 14:53:255000 
汽車線束漏電流測(cè)試要求精確的電壓、漏電流、以及接觸電阻測(cè)試。
2021-01-14 17:59:494940 本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片，并與OBIRCH對(duì)比定位效果，然后用FIB做定點(diǎn)截面切割，觀察到金屬化薄膜鋁條被熔斷。
2021-07-16 10:24:362431 影響測(cè)量泄漏電流的因素及排除方法(通信電源技術(shù)期刊錄用通知)-測(cè)量泄漏電流是電氣預(yù)防性試驗(yàn)中一個(gè)重要的試驗(yàn)項(xiàng)目 ,但影響泄露電流值的因素很多 ,
針對(duì)影響測(cè)量泄漏電流的幾種因素 ,從原理上進(jìn)行了分析探討 ,并提出了相應(yīng)的排除方法。
2021-09-17 10:32:3825 第一個(gè)作用是把陰極電阻上電壓降的負(fù)電位引入柵極，是電子管有一個(gè)合適的靜態(tài)工作點(diǎn)。這個(gè)電路采取的是自給偏壓的方式，其自給方式是陰極電阻接地電流通過陰極電阻是陰極電位升高，柵極通過柵漏電阻接地，造成柵極相對(duì)于陰極的電壓為負(fù)。由此獲得柵極負(fù)偏壓，得以控制陰極電子流向陽極。
2022-04-09 16:15:337163 
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029391 
驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)總漏電流由驅(qū)動(dòng)器本身漏電流、電機(jī)電纜線漏電流、電機(jī)漏電流組成。驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)漏電流大小取決于驅(qū)動(dòng)器逆變IGBT的開關(guān)頻率，逆變IGBT的開關(guān)的速度，直流母線電壓的幅值，電機(jī)的繞組對(duì)機(jī)殼的分布電容（i=C*dU/dt），因此，IGBT的開關(guān)頻率由10kHz降低到5kHz時(shí)，漏電流明顯降低
2023-05-17 10:19:532146 
泄漏電流是一種普遍存在于電器電子設(shè)備中的現(xiàn)象。當(dāng)設(shè)備中的絕緣被破壞或未經(jīng)充分絕緣而形成的電流，被稱為泄漏電流。泄漏電流對(duì)電器電子設(shè)備正常運(yùn)行產(chǎn)生了很大的影響。為了保證設(shè)備的正常工作，我們需要及時(shí)檢測(cè)泄漏電流。電流探頭就是在這個(gè)過程中起著重要的作用。
2023-05-18 09:45:213311 
漏電電流是指由于電器設(shè)備絕緣的破損、老化、安裝不良等原因，在電氣設(shè)備的工作過程中，引起的電流泄露到地線上的電流。漏電電流是指在電氣設(shè)備的工作過程中，出現(xiàn)了電路的電源線與地線之間的電流泄露現(xiàn)象，通常是由于設(shè)備絕緣失效或者絕緣破損所引起。
2023-06-03 09:54:448070 寄生漏電電流需要進(jìn)行長時(shí)間的測(cè)試
2022-03-02 17:08:274587 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
據(jù)調(diào)查，很多用戶在使用貼片電容的過程中出現(xiàn)過電容漏電的現(xiàn)象，那么您知道是哪些原因?qū)е碌膯?，下面小編為?b class="flag-6" style="color: red">分析可能導(dǎo)致漏電的幾種原因并附上測(cè)電流方法。
2023-07-04 15:17:187561 漏電流是怎么產(chǎn)生的？如何控制漏電流的危害呢？ 漏電流是電器電路中的一種異常電流，指的是在電路中的部分電流從電源發(fā)出后，沒有按照預(yù)定的路徑通過相應(yīng)的負(fù)載或元件，而是決定性地流向了地線或其他非目標(biāo)路線
2023-10-29 11:45:5114827 導(dǎo)致以下問題： 1. 信號(hào)失真：漏電流可能引入額外的噪聲，影響信號(hào)的準(zhǔn)確性和清晰度。特別是對(duì)于微弱的pA級(jí)電流信號(hào)，即使是微小的漏電流也足以干擾信號(hào)的正確傳輸，導(dǎo)致信號(hào)失真。 2. 數(shù)據(jù)丟失：由于布板的隨意性，沒有合理的屏蔽和隔離措施，
2023-11-06 11:14:171086 漏電流測(cè)試是電源模塊安規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一，目的是為了檢測(cè)漏電流是否超過了額定標(biāo)準(zhǔn)，防止漏電流過大造成設(shè)備損毀，甚至引發(fā)電擊安全事故。漏電流測(cè)試方法多樣，納米軟件將帶你了解如何用萬用表測(cè)量電源模塊的漏電流。
2023-11-06 15:44:524804 
漏電保護(hù)開關(guān)的漏電動(dòng)作電流為多少? 漏電保護(hù)開關(guān)是一種用于監(jiān)測(cè)和保護(hù)電氣設(shè)備和人身安全的重要電器設(shè)備。當(dāng)電氣系統(tǒng)發(fā)生漏電故障時(shí)，漏電保護(hù)開關(guān)能夠及時(shí)檢測(cè)到漏電電流，并迅速切斷電路，以避免漏電電流
2024-02-03 09:13:1536813 如何解決貼片電容漏電流的問題呢？ 貼片電容漏電流是電容器在正常工作條件下發(fā)生的一種特殊現(xiàn)象，會(huì)導(dǎo)致電路工作不穩(wěn)定甚至損壞。要解決貼片電容漏電流問題，需要找出漏電流的原因，并采取相應(yīng)的措施進(jìn)行修復(fù)或
2024-02-03 14:37:453526 在晶體管和MOSFET等器件中，整流柵的控制電壓可以控制電流通過器件的方向。當(dāng)整流柵施加正向電壓時(shí)，它將通導(dǎo)，讓電流從源極流向漏極，實(shí)現(xiàn)正向電流的導(dǎo)通。
2024-02-04 17:15:582637 電橋電路柵驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 09:43:361482 
MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的呢？柵源振蕩的危害什么？如何抑制或緩解柵源振蕩的現(xiàn)象呢？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的柵源振蕩是指在工作過程中，出現(xiàn)的柵極與源極之間產(chǎn)生
2024-03-27 15:33:283305 漏電流和泄漏電流這兩個(gè)術(shù)語在電氣工程領(lǐng)域經(jīng)常被提及，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在測(cè)試條件、測(cè)量方法和應(yīng)用場(chǎng)景上
2024-04-08 11:47:415043 電子產(chǎn)品使用久了可能出現(xiàn)漏電流問題，影響性能。陶瓷電容雖性能穩(wěn)定，但工作過程中也可能產(chǎn)生漏電流，與內(nèi)部結(jié)構(gòu)、溫度、電壓和頻率等因素有關(guān)，選擇時(shí)需考慮其漏電流特性。
2024-07-22 10:04:321798 電子產(chǎn)品使用久了可能出現(xiàn)漏電流問題，影響性能。陶瓷電容雖性能穩(wěn)定，但工作過程中也可能產(chǎn)生漏電流，與內(nèi)部結(jié)構(gòu)、溫度、電壓和頻率等因素有關(guān)，選擇時(shí)需考慮其漏電流特性。
2024-07-22 10:35:001399 
引言：在日常工作中，硬件設(shè)計(jì)工程師朋友們經(jīng)常會(huì)接觸到漏電流這個(gè)指標(biāo)，其分為泄漏電流和耐壓漏電流。本文將簡述開關(guān)電源兩類漏電流的區(qū)別，并簡要分析了常見漏電流異常的問題，同時(shí)給出了對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證方法和解決及預(yù)防的辦法，保障系統(tǒng)可靠性。
2024-08-06 15:24:543724 
線路的漏電流更是造成電氣火災(zāi)的重要因素。消防部門、行業(yè)專家往往要求地鐵車站設(shè)置電氣火災(zāi)監(jiān)控系統(tǒng)，但在地鐵監(jiān)控防范措施中，泄漏電流的監(jiān)測(cè)并不完善，現(xiàn)有的泄漏電流監(jiān)測(cè)系統(tǒng)存在誤報(bào)現(xiàn)象，使得配電系統(tǒng)漏電保護(hù) 頻繁跳閘。為此，查找頻繁誤報(bào)
2024-09-06 15:34:10924 
，簡稱信號(hào)隔離柵，是一種用于工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)內(nèi)的設(shè)備，主要作用是將輸入信號(hào)與輸出信號(hào)進(jìn)行電氣隔離。這種隔離可以有效防止由高電壓或電流引起的設(shè)備損壞，確保設(shè)備在安全范圍內(nèi)運(yùn)行，同時(shí)避免電氣噪聲、干擾信號(hào)以及其他外部
2024-10-28 14:25:381697 
）電流產(chǎn)生的功耗。 從上述公式推導(dǎo)得出，三部分功耗中只有一個(gè)與MOSFET柵極電容充電和放電有關(guān)。 這部分功耗通常是最高的，特別在很低的開關(guān)頻率時(shí)。為了計(jì)算公式 1 的值，需要知道 MOSFET 柵極電容。MOSFET 柵極電容包含兩個(gè)電容：柵源電容和柵漏電容（米勒電容） 。 通常容易犯的
2024-10-29 10:45:212503 
產(chǎn)品概述： 醫(yī)用電氣設(shè)備漏電流的測(cè)量不同于一般的電流測(cè)量，泄漏電流所用的測(cè)量裝置需考慮到電流通過人體包括心臟時(shí)產(chǎn)生的生理效應(yīng)的測(cè)量。在IEC、GB9706．1-2020等標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)漏電流的檢測(cè)有明確
2024-11-15 10:21:011519 
泄漏電流的概念泄漏電流（leakagecurrent）也叫接觸電流，是指在沒有故障施加電壓的情況下，電氣中相互絕緣的金屬零件之間，或帶電零件與接地零件之間，通過其周圍介質(zhì)或絕緣表面所形成的電流。泄漏電流
2024-11-26 11:48:272863 
順絡(luò)貼片電容的漏電流問題如何解決?要解決順絡(luò)貼片電容的漏電流問題，可以從以下方面入手： 1、選型與材料優(yōu)化 選擇優(yōu)質(zhì)型號(hào)：優(yōu)先選擇質(zhì)量可靠、穩(wěn)定性好的順絡(luò)貼片電容，如具有低漏電流特性的X7R或X5R
2025-06-19 15:07:54570 
一、引言 隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，MOSFET的尺寸不斷縮小，柵極漏電流成為影響器件性能的重要因素。柵極漏電流不僅增加電路功耗，還可能引入噪聲，影響信號(hào)完整性。因此，準(zhǔn)確測(cè)量柵極漏電流及其噪聲特性
2025-06-20 12:00:201071 
在絕緣子漏電起痕試驗(yàn)中，泄漏電流信號(hào)是反映試驗(yàn)過程狀態(tài)變化的核心載體，其細(xì)微波動(dòng)中蘊(yùn)含著電痕發(fā)展、電弧產(chǎn)生的關(guān)鍵信息。小波變換分析技術(shù)憑借對(duì)信號(hào)多尺度解析的優(yōu)勢(shì)，成為提取泄漏電流信號(hào)中有效信息的重要
2025-10-15 09:43:22240 
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