轉變，不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來越大的影響力。 ? 器件設計 GaN器件設計根據(jù)類型我們可以分為三個部分，分別是：射頻、功率和光電子，這次主要關注的是射頻以及功率方面的應用。 ? ? GaN射頻器件設計 GaN射頻器件主要可以分為三種：大
2022-07-18 01:59:45
5986 本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異?；趯κ惺?b class="flag-6" style="color: red">GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術的現(xiàn)狀，重點闡述了各技術平臺的首選功率變換拓撲及關鍵特性。
2025-05-15 15:28:571760 
SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:494103 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:534300 
電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導體技術正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:411404 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉換與功率控制的核心載體，正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導體器件的迭代升級，功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的集成化與高性能化發(fā)展，推動著封裝技術向高密度集成、高可靠性與高效散熱方向突破。
2025-08-25 11:28:122528 
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:185484 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 領域的熱點。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導體材料的核心技術之一，具有禁帶寬度高、擊穿場強大、電子飽和速度高等優(yōu)勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
/電子設備實現(xiàn)包括消減待機功耗在內(nèi)的節(jié)能目標。在這種背景下，削減功率轉換時產(chǎn)生的能耗是當務之急。不用說，必須將超過Si極限的物質(zhì)應用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
一.功率電子器件及其應用要求功率電子器件大量被應用于電源、伺服驅動、變頻器、電機保護器等功率電子設備。這些設備都是自動化系統(tǒng)中必不可少的，因此，我們了解它們是必要的。近年來，隨著應用日益高速發(fā)展
2018-05-08 10:08:40
功率電子器件及其應用要求
2019-04-10 11:47:48
電子器件是指什么？電子器件可分為哪幾種？電子器件有何作用？
2021-11-05 08:32:42
誰有電子器件測試儀相關方面的資料啊？求共享。{:1:} 好頭痛哦
2012-04-30 11:09:24
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
光子學是什么？納米光子學又是什么？光子器件與電子器件的性能有哪些不同？
2021-08-31 06:37:56
功率電子器件概覽
2019-04-10 12:24:53
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
求助一些網(wǎng)購的技巧：在那些網(wǎng)上買電子器件材料，花費可以減到最小？求助。。。。。。。。。。
2013-06-12 12:39:38
（GaN）和碳化硅（SiC）晶體管等化合物半導體器件限制了高頻條件下的開關損耗，加速了電路越來越小的趨勢。事實上，高頻操作導致電子電路的收縮，這要歸功于減小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。這一點對于
2023-09-06 06:38:52
在開關電源轉換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？
2021-02-22 07:16:36
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子
2017-07-11 14:06:55
由于設備本來用的老電子器件不生產(chǎn)了，現(xiàn)在找到一款貼近老電子器件的新器件，我想問一下用新器件替換的時候，需要注意哪些方面，有哪些指標是特別重要的。
2023-03-14 17:14:21
`①未來發(fā)展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
、陰抗匹配等系統(tǒng)級功能。PEBB最重要的特點就是其通用性?；谛滦筒牧系碾娏?b class="flag-6" style="color: red">電子器件SiC（碳化硅）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料，可制作出性能更加優(yōu)異的高溫(300℃～500℃)、高頻、高功率
2017-11-07 11:11:09
本文由QYResearch整理發(fā)布 電力電子器件的回顧電力電子器件又稱作開關器件，相當于信號電路中的A/D采樣，稱之為功率采樣，器件的工作過程就是能量過渡過程，其可靠性決定了系統(tǒng)的可靠性。根據(jù)可控
2017-05-25 14:10:51
【不懂就問】在書上看到的說，電力電子器件工作在開關狀態(tài)，這樣損耗很小，但是不是說功率器件在不停開關過程中有大量損耗嗎？這個矛盾嗎？而且開關電源的功率管工作在飽和區(qū)，而線性電源的功率管工作在線性區(qū)，這個和上面又有什么關系？
2018-01-23 16:10:48
電力電子器件1.1 電力電子器件概述1.2 不可控器件——電力二極管1.3 半控型器件——晶閘管1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型電力電子器件 小結
2009-09-16 12:09:44
甚至無法工作。解決方法就是在管殼內(nèi)引入內(nèi)匹配電路，因此內(nèi)匹配對發(fā)揮GaN功率管性能上的優(yōu)勢，有非常重要的現(xiàn)實意義?！ ?.SIC碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
如題所說，希望各位前輩能指導的具體點，而不是說簡單說需要光學情況或需要看清電子器件的簡單說明，最好能具體到哪種產(chǎn)品上。
2020-08-25 08:08:51
比如某個型號的二極管、三極管的額定整流電流等，請問到哪里可以查到電子器件的電參數(shù)？
2015-07-25 04:59:24
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅動逆變器市場）采用新技術的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
1.電力電子器件一般工作在________狀態(tài)?！ ?.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為________，而當器件開關頻率較高時，功率損耗主要為________?！ ?.電力電子器件組成
2009-01-12 11:31:46
63 電力電子器件及應用1.1 電力電子器件概述一、電力電子器件的分類按照器件的控制能力分為以下三類：半控型器件：晶閘管（Thyristor or SCR）及其大部分派生器件其特
2009-04-14 21:08:49146 功率電子器件及其應用要求
功率電子器件大量被應用于電源、伺服驅動、變頻器、電機保護器等功率電子設備。這些設備都是自動
2009-05-12 20:28:082725 功率電子器件概覽
一． 整流二極管：二極管是功率電子系統(tǒng)中不可或缺的器件，用于整流、續(xù)流等。目前比較多地使用如下三種選
2009-05-12 20:32:473307 
電力電子器件與應用
2012-06-19 13:39:4234443 
據(jù)權威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:113205 安華高科技公司（Avago Technologies）推出了四款光電耦合器新產(chǎn)品，主要用于使用 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）制造的功率半導體器件等的門極驅動。新產(chǎn)品的最大特點是最大傳播延遲
2017-09-12 16:07:001 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。
2018-01-18 15:36:0014343 SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管（晶體管、開關管）。SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增，帶來體積、重量以及成本的大幅減低。SiC功率器件應用領域可以按電壓劃分：
2018-06-05 17:21:097731 
目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導通型器件的技術路線，另一是在Si襯底上制作平面導通型器件的技術路線。
2019-08-01 15:00:038442 
該GaN功率器件可以應用在快速充電設備中, 令其避免出現(xiàn)受高溫熔斷的情況，進而確保此功率器件在進行快速充電時能夠很好的運行使用。
2020-03-16 15:34:304274 
通過使用SiC功率元器件，大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。
2020-06-06 11:12:423712 今日寬禁帶半導體聯(lián)盟秘書長陸敏博士發(fā)表了主題為“SiC和GaN功率電子技術及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢”的演講。
2020-12-04 11:12:042991 上電力電子器件可分為電真空器件和半導體器件兩類。自20世紀50年代以來，真空管僅還在頻率很高（如微波）的大功率高頻電源中在使用，而電力半導體器件已取代了汞弧整流器
2021-01-07 15:31:1243328 電力電子器件的損耗包括哪些 電力電子器件的損耗主要包括有開通、關斷、通態(tài)損耗。 在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為通態(tài)損耗，而當器件開關頻率較高時，功率損耗主要為開關損耗。另外，si的二極管
2021-01-07 15:40:0336756 第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導體材料相比，第三代半導體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率、導通阻抗小、體積小等優(yōu)勢
2021-05-03 16:18:0013732 
日前，SiC & GaN功率器件設計和方案商派恩杰官方正式宣告與德國Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團隊。
2021-09-09 09:39:171545 電力電子技術的核心是電能的變換與控制，常見的有逆變（即直流轉交流）、整流（即交流轉直流）、變頻、變相等。在工程中拓展開來，應用領域非常廣泛。但千變?nèi)f化離不開其核心——功率電子器件。
2022-03-11 11:20:173567 
器件都是基于碳化硅的(SiC) 或氮化鎵 (GaN)。盡管迄今為止它在低壓應用（大約 650 V 及以下）方面取得了成功，但最成熟的 GaN 基功率器件高電子遷移率晶體管 (HEMT) 并不適用于中壓（大致定義為 1.2 至 20 kV） ) 應用，包括電動汽車傳動系統(tǒng)和許多電網(wǎng)應用。這
2022-07-29 10:35:012194 
在基本半導體特性（帶隙、臨界電場和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料?！癝i 的帶隙略高于一個電子伏特，臨界電子場為 0.23 MV/cm，而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:294352 
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:142146 相比于橫向功率電子器件，GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動態(tài)特性、更佳的熱管理，而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國內(nèi)外眾多科研團隊的目光，近些年已取得了重要進展。
2022-12-15 16:25:351894 電動汽車中的 GaN 還處于早期階段。許多功率 GaN 廠商已經(jīng)開發(fā)并通過汽車認證 650 V GaN 器件，用于 EV/HEV 中的車載充電器和 DC/DC 轉換，并且已經(jīng)與汽車企業(yè)建立了無數(shù)合作伙伴關系。
2023-01-06 11:11:34948 基于寬禁帶半導體材料的電力電子器件 2.5.6 電子注入增強柵晶體管IEGT 2.6 功率集成電路與集成電力電子模塊 基本概念 實際應用電路 發(fā)展現(xiàn)狀 小結 器件 電力電子器件的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢 閱讀推薦?2
2023-02-16 15:08:062 本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
2023-02-19 17:06:181355 
電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導體器件兩類，目前往往專指電力
2023-04-04 15:31:4310400 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:392004 
，消費者對電動汽車的接受度也在不斷提高。 本文討論了在電動汽車電力電子系統(tǒng)中快速采用碳化硅（SiC）和寬帶隙半導體開關的好處，以及晶圓級襯底制造的價值。基于SiC的電力電子設備使電動汽車能夠實現(xiàn)更長的行駛里程、更快的充電速度和更低的系
2023-09-18 09:05:4843077 隨著科技的不斷進步，電力電子設備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸暴露出其局限性。此時，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的電力電子器件，以其獨特的優(yōu)勢逐漸受到人們的關注。
2023-12-06 09:53:182573 氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:031795 
功率等級的功率轉換、更快的開關速度、傳熱效率上也優(yōu)于硅材料。 本篇博客探討了SiC材料如何提升產(chǎn)品性能以超越基于硅材料的領域，從而為我們?nèi)碌臄?shù)字世界創(chuàng)造下一代解決方案。 硅基MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET、氮化鎵（GaN）HEMT或
2023-12-21 10:55:021266 隨著半導體技術的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應用在更多的領域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:541870 
隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展，SiC/GaN 功率器件的應用越來越廣泛，工程師經(jīng)常要測量頻率高達數(shù)百 kHz，電流高達數(shù)十安培的功率電路。
2024-03-13 10:50:201883 
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49:532875 
近日，無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動電子器件向更環(huán)保的方向發(fā)展。
2024-06-12 10:24:241287 高功率密度電力電子器件是電動汽車、風力發(fā)電機、高鐵、電網(wǎng)等應用的核心部件。當前大功率電力電子器件正朝著高功率水平、高集成度的方向發(fā)展，因此散熱問題不可避免的受到關注。 一、新興散熱材料 金剛石增強
2024-07-29 11:32:222004 
第一代半導體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽w行業(yè)奠定了堅實的基礎。隨著技術的發(fā)展，第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb）為核心，這些材料的高頻和高速特性，為電子器件
2024-08-21 10:01:201665 
SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導體材料的重要應用之一。SiC以其優(yōu)異的物理和化學特性，如高絕緣擊穿場強度、寬禁帶、高熱導率等，在電力電子領域展現(xiàn)出巨大的潛力和廣泛的應用前景。
2024-09-10 15:15:586012 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的飽和電子漂移速度以及更高的工作溫度等優(yōu)勢，因此在高壓、高頻和高溫等苛刻條件下表現(xiàn)優(yōu)異。
2024-09-11 10:25:441708 
隨著科技的不斷進步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領域。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙（WBG）半導體材料，因其卓越的電學
2024-11-25 16:30:082707 SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:402037 
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