GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計、晶圓制造、封裝測試三個部分。 作為化合物半導體的一類,與SiC類似,全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上,不過相比于SiC,GaN在設(shè)計和制造環(huán)節(jié)正在往垂直分工的模式
2022-07-18 01:59:45
5986 本文針對當前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯κ惺?b class="flag-6" style="color: red">GaN與SiC功率晶體管的分析,描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀,重點闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓撲及關(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
1760 
SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加,為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:49
4103 市場調(diào)查公司Yole Developpement(以下簡稱Yole)認為,市場規(guī)模方面,2020年GaN器件市場整體規(guī)模有可能達到約6億美元。從(2020年將支配市場的)電源和PFC(功率因數(shù)校正)領(lǐng)域,到UPS(不間斷電源)和馬達驅(qū)動,很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:18
1552 
(SiC)和氮化鎵(GaN)占有約90%至98%的市場份額。供應(yīng)商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術(shù),但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(包括更高的效率,更高的功率密度,更小的尺寸和更少的冷卻),正在跨行業(yè)進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:53
4300 
電力電子將在未來幾年發(fā)展,尤其是對于組件,因為 WBG 半導體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41
1404 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下,WBG 功率器件正在取代它們的硅對應(yīng)物,并在
2022-07-29 14:09:53
1842 
在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此,SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型(晶體多晶型),并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件,4H-SiC被認為是理想的,其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:26
2551 近年來,SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導體器件的性能,這對電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測,到2023年SiC功率器件市場規(guī)模預(yù)計將達14億美元,其主要的市場增長機會在汽車領(lǐng)域,特別是
2019-07-05 11:56:28
35239 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似,但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:18
5484 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌雽w的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:36
6224 GaN功率半導體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨特的優(yōu)勢,其中,針對GaN功率器件的性能特點,該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無線充電、激光雷達等應(yīng)用場合。
圖1 半導體材料特性對比
傳統(tǒng)的D類
2023-06-25 15:59:21
半導體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現(xiàn)更高功率,更高開關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因,介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài),對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管(MODFETs)的工作原理以及特性進行了具體分析,并同其他微波器件進行了比較,展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說,相比LDMOS硅技術(shù)而言,GaN這一材料技術(shù),大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值,表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值, 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1, GaN最高,為324。而GaAs,約翰遜優(yōu)值為1.44??隙ǖ卣f,GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52
一樣,商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中,并且 - 以及器件技術(shù)進步的簡要歷史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?! √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步,從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
) !important]推動SiC/GaN功率開關(guān)普及的主要應(yīng)用有太陽能光伏逆變器、電動汽車充電器和儲能轉(zhuǎn)換器。這里利用了超快的小型高效功率開關(guān)的附加價值,為市場帶來了超高開關(guān)頻率和超過99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
電導率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料,與Si相比,它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
與硅相比,SiC有哪些優(yōu)勢?SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點有哪些?
2021-07-12 08:07:35
元件。?雖然是新半導體,但在要求高品質(zhì)和高可靠性的車載設(shè)備市場已擁有豐碩的實際應(yīng)用業(yè)績。< 相關(guān)產(chǎn)品信息 >SiC功率元器件SiC-SBDSiC-MOSFET「全SiC」功率模塊
2018-11-29 14:39:47
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們!羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè),自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
中國功率器件市場發(fā)展現(xiàn)狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),所應(yīng)用的產(chǎn)品包括
2009-09-23 19:36:41
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率,但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗[2]。因此,開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
的材料特性,各自都有各自的優(yōu)點和不成熟處,因此在應(yīng)用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識是:SiC適合高于1200V的高電壓大功率應(yīng)用;GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
在過去的十多年里,行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測,基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
雖然電動和混合動力電動汽車(EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC)襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
您好,有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件,因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時,它只顯示GaAs,JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬,我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
`①未來發(fā)展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導體)元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的,“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
采用熱傳導率更優(yōu)的SiC做襯底,因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫,能在高溫環(huán)境下工作。不同材料體系射頻器件功率-頻率工作區(qū)間GaN將在高功率,高頻率射頻市場優(yōu)勢明顯相比于4G,5G的通信頻段往高頻波段
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料?! ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(比如電機驅(qū)動逆變器市場)采用新技術(shù)的速度較慢,而另一些市場(比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料,與S
2009-11-19 08:48:43
2709 據(jù)權(quán)威媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場,預(yù)計到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:11
3205 安華高科技公司(Avago Technologies)推出了四款光電耦合器新產(chǎn)品,主要用于使用 SiC(碳化硅)和 GaN(氮化鎵)制造的功率半導體器件等的門極驅(qū)動。新產(chǎn)品的最大特點是最大傳播延遲
2017-09-12 16:07:00
1 2017年智能材料發(fā)展路線及市場預(yù)測。
2017-10-09 14:25:09
1304 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:52
9 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:02
5379 和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應(yīng)用正在推動3D傳感的應(yīng)用,提高功率模塊效率和更高頻率的通信應(yīng)用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導體制造而成??其J(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告,還僅僅是化合物半導體應(yīng)用的冰山一角。
2018-04-04 00:04:00
2404 
本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2018-05-28 15:33:54
12108 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:00
6667 SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:41
11764 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大,充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:18
15771 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大,充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:50
2235 
據(jù)麥姆斯咨詢介紹,由于特斯拉(Tesla)在其主逆變器中采用了SiC器件,2018~2019年SiC功率器件市場吸引了廣泛關(guān)注。其他汽車廠商是否會跟進應(yīng)用SiC器件成為今年熱議的話題。近年,汽車行業(yè)
2019-07-22 16:53:40
5534 
安森美半導體是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導者之一,在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:50
5048 了巨大的GaN射頻器件市場需求。2019年,GaN射頻市場約為6.42億美元。亞化咨詢預(yù)計,到2025年GaN射頻器件市場將超過30億美元。
2020-08-27 10:47:42
3013 
的市場收入以兩位數(shù)增長,到 2029 年將超過 50 億美元。 GaN 和 SiC 功率半導體全球市場收入預(yù)測(單位:百萬美元) SiC 肖特
2020-11-16 10:19:32
2918 ,特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢(TrendForce)指出,因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升,預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元,年增30.8%及90.6%,SiC器件功率領(lǐng)域營收
2021-05-03 16:18:00
13732 
前言 近年來,電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶(WBG)材料的興起,即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。WBG材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。 WBG功率器件已經(jīng)對從普通
2021-08-13 15:22:00
3063 日前,SiC & GaN功率器件設(shè)計和方案商派恩杰官方正式宣告與德國Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團隊。
2021-09-09 09:39:17
1542 /dt也就越大。影響dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料,其次是器件的電壓、電流、溫度以及驅(qū)動特性。為了加深大家對高速功率半導體器件的理解,今天我們以SiC和GaN為例來聊一下這個話題,看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:48
5037 在基本半導體特性(帶隙、臨界電場和電子遷移率)的材料比較中,GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料?!癝i 的帶隙略高于一個電子伏特,臨界電子場為 0.23 MV/cm,而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:29
4352 
意法半導體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車應(yīng)用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術(shù)及其自身獨特的設(shè)計和封裝專業(yè)知識
2022-08-03 10:44:57
1285 
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測量精度和豐富的連接方式,是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:06
2014 碳化硅(SiC)被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰(zhàn)和最新發(fā)展。第一部分重點
2022-11-04 09:56:01
1166 碳化硅(SiC)被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:47
2665 碳化硅(SiC)功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:14
2146 近年來,SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝日趨完善,已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限,依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:10
2964 隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙(與常用的硅相比),寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命,這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
2023-02-05 14:25:15
1764 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上,實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19
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本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測量結(jié)果、三電流探頭法原理和測量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:18
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根據(jù)市場分析機構(gòu) Yole 預(yù)測,在未來 5 年內(nèi),SiC 功率器件將很快占據(jù)整個功率器件市場的 30%,SiC 行業(yè)(從襯底到模塊,包括器件)的增長率非常高。在Yole看來,到 2027 年,該行
2023-02-20 17:05:16
2145 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30
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碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:16
3129 GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00
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GaN功率器件是雷達T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出高漏
2023-03-03 14:04:05
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SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39
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范圍內(nèi)控制必要的p型、n型,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:58
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調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件,市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:24
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GaN因其特性,作為高性能功率半導體材料而備受關(guān)注,近年來其開發(fā)和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長GaN晶體)和垂直型(原樣使用GaN襯底)。
2023-09-13 15:05:25
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,GaN器件將達到整個功率半導體市場的2.7%,市場規(guī)模僅為20.36億美元。 圖注:GaN市場預(yù)測(芯查查制表,數(shù)據(jù)來源:Yole)作為第三代半導體材料,GaN被看好是因為其具有比硅更佳的電氣特性,另一個關(guān)鍵點是成本在逐步降低,市場趨勢表明,GaN器件將在成本上與MOSFET相媲美。新能源
2023-09-21 17:39:21
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隨著半導體技術(shù)的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54
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碳化硅(SiC)功率元器件是一種半導體器件,具有許多獨特的特性,使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征: 碳化硅(SiC)的絕緣擊穿場強大約是硅(Si)的10倍
2024-02-04 16:25:44
1486 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43
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隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展,SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來越廣泛,工程師經(jīng)常要測量頻率高達數(shù)百 kHz,電流高達數(shù)十安培的功率電路。
2024-03-13 10:50:20
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SiC功率器件市場正處于快速增長階段,特別是在汽車電動化趨勢的推動下,其市場規(guī)模預(yù)計將持續(xù)擴大。 根據(jù)Yole Group的報告,汽車行業(yè)對SiC功率器件的需求主要來自于電動汽車動力系統(tǒng)的升級需求,包括更高的電池容量和逆變器性能的提升。
2024-04-07 11:20:02
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49:53
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近日,無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵(GaN)功率器件,旨在推動電子器件向更環(huán)保的方向發(fā)展。
2024-06-12 10:24:24
1287 的性能提升提供了強大動力。而現(xiàn)今,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等為代表的寬禁帶半導體材料,作為第三代半導體材料,正因其優(yōu)異的性能而備受矚目,其中碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的發(fā)展尤為成熟。
2024-08-21 10:01:20
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SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異的物理和化學特性,如高絕緣擊穿場強度、寬禁帶、高熱導率等,在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力和廣泛的應(yīng)用前景。
2024-09-10 15:15:58
6012 汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實現(xiàn)這一點。
2024-10-16 11:36:31
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SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:40
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垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領(lǐng)域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中,我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:52
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如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
2025-03-14 18:05:17
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