【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布了一項(xiàng)全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200
2022-05-10 14:10:02
2199 
其CIPOS? Tiny智能功率模塊（IPM）系列的產(chǎn)品陣容。這款全新的IPM采用了TRENCHSTOP? RC-D2 IGBT功率開關(guān)器件和先進(jìn)的SOI柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，可最大限度地提高效率，實(shí)現(xiàn)更高的可靠性
2022-05-10 17:38:122681 
【2022年5月30日，德國慕尼黑訊】Infineon Technologies Bipolar GmbH Co. KG推出具有內(nèi)部續(xù)流二極管（FWD）、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT（PPI
2022-05-30 16:44:422667 
瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:281650 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001315 新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:471728 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對(duì)分立式汽車牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)一步豐富了英飛凌車規(guī)級(jí)分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。
2022-03-21 14:14:041435 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
：“英飛凌多年來一直引領(lǐng)著功率半導(dǎo)體的發(fā)展，致力于進(jìn)一步提高電源管理效率，是一個(gè)值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導(dǎo)體器件，我們能夠?qū)⑷N應(yīng)用整合到一個(gè)系統(tǒng)中，向著綠色能源的發(fā)展目標(biāo)邁出了一大步
2022-08-09 15:17:41
2018年6月1日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高
2018-10-23 16:21:49
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
和高性能PC等不僅需要提高效率，還要求具備更高的抗浪涌電流性能。SCS3系列改善了第二代的正向電壓特性，可進(jìn)一步提高效率。而且，抗浪涌電流性能提升達(dá)2倍以上，對(duì)于意外發(fā)生的異常問題等具有更高的安全余量
2018-12-03 15:11:25
及設(shè)備用電安全的需要，更進(jìn)一步提高電源的可靠性，及時(shí)發(fā)現(xiàn)供電隱患，提高設(shè)備的運(yùn)行壽命，對(duì)電源進(jìn)行在線管理已經(jīng)成為普遍的需求。針對(duì)早期的UPS電源的RS232標(biāo)準(zhǔn)，已經(jīng)無法滿足目前計(jì)算機(jī)硬件及軟件技...
2021-12-28 08:05:27
進(jìn)一步理解量子力學(xué)經(jīng)典理論與應(yīng)用 多方面豐富相關(guān)圖表為了進(jìn)一步深入理解量子力學(xué)理論經(jīng)典及其應(yīng)用，從多個(gè)方面豐富內(nèi)容，附圖頁碼一致，符合國際標(biāo)準(zhǔn)。聲學(xué)，聲波自然現(xiàn)象，以及經(jīng)典原子理論的應(yīng)用等對(duì)理解量子力學(xué)經(jīng)典之波的概念有益。大灣區(qū)2020-8-2
2020-08-02 07:05:50
的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本效益，究竟它是如何辦到的？讓我們來進(jìn)一步深入了解。
2019-07-18 06:12:00
提高開關(guān)電源的效率一直是開關(guān)電源設(shè)計(jì)者不懈的追求。要進(jìn)一步提高開關(guān)電源的效率首先應(yīng)該知道開關(guān)電源的損耗產(chǎn)生自哪里，哪一部分損耗可以減小，哪一部分損耗基本上不能減小，采用何種方式是最有效、最實(shí)際的減小
2016-06-12 12:39:36
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減少對(duì)散熱器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，極低反向電流 ，無反向恢復(fù)電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
適合對(duì)C語言有一定基礎(chǔ)積累的童鞋 想進(jìn)一步學(xué)習(xí)C語言的 可以看哈
2012-09-10 22:26:29
降壓型轉(zhuǎn)換器的電氣原理圖LTC7803如何提高效率和EMI標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)性
2021-03-11 06:25:16
，究竟它是如何辦到的？讓我們來進(jìn)一步深入了解。 通過TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件，正如其開發(fā)的目的，結(jié)合了高效率和快速的開關(guān)功能，它在
2020-07-07 08:40:25
SOP位移傳感器防水功能將進(jìn)一步提高位移傳感器應(yīng)用的行業(yè)越來越廣，使用的環(huán)境也是各種各樣，SOP位移傳感器有些系列可以適用于潮濕、油污、灰塵等各種惡劣環(huán)境，但是有好些客戶問咱們的位移傳感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以進(jìn)一步降低待機(jī)模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
應(yīng)用推出一款具備高效率、超低功耗降壓轉(zhuǎn)換器。全新的 TPS62120 不但可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 96% 的效率，而且還可透過 2 V 至 15 V 輸入電壓產(chǎn)生 75 mA 的輸出電流。這一款高效能裝置支援能量
2010-10-12 21:03:17
keil5提高效率的技巧：1.編寫程序時(shí)右鍵點(diǎn)擊即可快速添加頭文件。2.固定模板可以在“Templates”中寫入，使用時(shí)可直接引用。3.模塊化編程，即編寫頭文件，之前的博客有提到，這里不再贅述。...
2022-01-12 07:53:28
【單片機(jī)開發(fā)300問】怎樣進(jìn)一步降低功耗功耗，在電池供電的儀器儀表中是一個(gè)重要的考慮因素。PIC16C××系列單片機(jī)本身的功耗較低（在5V，4MHz振蕩頻率時(shí)工作電流小于2mA）。為進(jìn)一步降低
2011-12-07 13:59:56
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
在實(shí)際的應(yīng)用電路中，二極管和晶體管因其特性和性能不同而需要區(qū)分使用。在電源類應(yīng)用中區(qū)分使用的主要目的是提高效率。本文將介紹PFC（功率因數(shù)改善）的一個(gè)例子，即利用二極管的特性差異來改善臨界模式
2018-11-27 16:46:59
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 10:36 編輯
我使用6467t預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)4路d1mpeg2到h264的轉(zhuǎn)碼，但是目前只能實(shí)現(xiàn)3路，根據(jù)官方數(shù)據(jù)應(yīng)該是可以達(dá)到4路的，請(qǐng)問我有什么辦法提高效率？關(guān)于hdvicp的使用？
2018-06-22 05:27:30
的例子中，開關(guān)損耗可以降低24%。此外，還可以 在更寬的工作頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)97%以上的高效率 ，在工作頻率為100kHz時(shí)與IGBT相比效率提高3%，可進(jìn)一步降低車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的功耗。此外
2022-07-27 10:27:04
初學(xué)linux，安裝了Ubuntu系統(tǒng)界面，請(qǐng)教該如何進(jìn)一步快速學(xué)習(xí)，大家有什么好的初學(xué)的資料分享一下，謝謝啦
2015-08-24 18:39:29
單片機(jī)驅(qū)動(dòng)LCD如果提高效率
2023-10-23 07:44:25
上升、Ron增加、故芯片溫度進(jìn)一步上升的“熱失控”狀態(tài)。而Hybrid MOS即使在高溫狀態(tài)下，Ron及Ron的變動(dòng)非常小，在Tj＝125℃、ID＝20A條件下的比較中，Ron換算結(jié)果減少達(dá)62%。在
2018-11-28 14:25:36
較小，以提高效率和降低功耗。平均二極管電流等于平均輸出電流。所選二極管封裝必須能夠處理功耗。 同步控制器控制整流開關(guān)的另一個(gè)MOSFET。如果使用N通道MOSFET，則必須產(chǎn)生高于輸出電壓的電壓，以
2013-08-12 15:05:53
交流輸入的工頻正半周期和負(fù)半周期，導(dǎo)通時(shí)間較長，因此建議選擇低速和低導(dǎo)通壓降的硅整流二極管。為進(jìn)一步提高效率，可以考慮用硅 MOSFET替代（同步整流模式），從而降低整流回路的導(dǎo)通損耗?！ ∪绻麍D騰柱無
2023-02-28 16:48:24
GN1302 晶振引腳連接 2 個(gè) 30pf 電容，每天大約慢 4 秒，如何進(jìn)一步提高精度?時(shí)鐘每天慢 4 秒是因?yàn)榫д竦耐獠控?fù)載電容過大，即 30pf 電容過大。如果使用的晶振的負(fù)載電容參數(shù)為
2022-12-29 17:36:43
如何進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)RFID的安全隱私保護(hù)？
2021-05-26 06:09:27
濾波電感。有了電容濾波器，LLC轉(zhuǎn)換器還可以使用額定電壓較低的整流器，從而降低系統(tǒng)成本。此外，次級(jí)側(cè)整流器可實(shí)現(xiàn)零電流轉(zhuǎn)換，大大減少了反向恢復(fù)損耗。利用LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的各項(xiàng)優(yōu)勢，可進(jìn)一步提高效率，降低
2022-11-10 06:45:30
本應(yīng)用指南介紹了使用 UCC28056 優(yōu)化過渡模式 PFC 設(shè)計(jì)以提高效率和待機(jī)功耗的設(shè)計(jì)決策。
2021-06-17 06:52:09
方法限制了從一個(gè)逆變器單元到另一個(gè)逆變器單元的設(shè)計(jì)靈活性和優(yōu)化，在某些拓?fù)渲校趩蝹€(gè)逆變器單元內(nèi)也是如此。適用于不同工作頻率的IGBT有助于提高效率戴通的新產(chǎn)品展示了提供針對(duì)不同工作頻率進(jìn)行優(yōu)化的IGBT
2023-02-27 09:54:52
如何讓計(jì)算機(jī)視覺更進(jìn)一步接近人類視覺？
2021-06-01 06:27:08
傳感器為震動(dòng)速度傳感器，待提取信號(hào)頻率0.1~200Hz ,幅度幾十uV，原來采用AD620放大，現(xiàn)在希望進(jìn)一步降低功耗與噪聲，采用什么片子好？
2018-10-25 09:25:24
網(wǎng)絡(luò)時(shí)間協(xié)議NTP是什么意思？NTP授時(shí)的原理是什么？怎樣去進(jìn)一步提高NTP的授時(shí)精度呢？
2021-11-01 07:12:40
、電視手機(jī)。這些采用多種RF技 術(shù)的手機(jī)在提供便利的同時(shí)也使得手機(jī)的設(shè)計(jì)變得復(fù)雜，如何進(jìn)一步集成射頻元件也變得至關(guān)重要。
2019-08-27 08:33:19
無線充電怎么提高效率呢，急需
2015-10-19 10:43:15
第二十章提高效率技巧1. 利用GVIM制作模板http://yunpan.cn/cjZTiDA9pY56x訪問密碼 c359
2015-11-07 09:22:06
級(jí)放大再加給AD7714時(shí)，測得人分辨率還要低一些。由于是用干電池得到AD7714的輸入信號(hào)，該信號(hào)相對(duì)來說很穩(wěn)定，而且板上的噪聲也不是太大。請(qǐng)問各位大蝦，還有什么方法可以進(jìn)一步提高AD7714的分辨率啊？不勝感激！
2023-12-25 06:33:32
頻率可以進(jìn)一步提高效率。本文設(shè)計(jì)了一種400W逆變器用于電機(jī)集成，在230V交流電網(wǎng)電源下運(yùn)行，以及完整的文檔設(shè)計(jì)和測量結(jié)果，突出了組件計(jì)數(shù)的量化改進(jìn)，裝配和冷卻成本，以及幾個(gè)性能參數(shù)和操作成本。
2023-06-16 07:53:41
半導(dǎo)體三十年的發(fā)展 技術(shù)變革 圖2還暗示了一個(gè)事實(shí)，即從某個(gè)時(shí)刻開始，需要技術(shù)變革以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。對(duì)于功率半導(dǎo)體，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）等寬帶隙材料是進(jìn)一步提高效率且極具競爭力的不二
2018-10-09 11:35:50
CoolSiC 汽車 MOSFET 技術(shù)的成熟，英飛凌也成功的將該技術(shù)進(jìn)入 EasyPACK，并獲得了汽車級(jí)認(rèn)證，目前正在擴(kuò)展該模塊系列的應(yīng)用范圍，旨在涵蓋具有高效率和高開關(guān)頻率需求的電動(dòng)汽車的高壓應(yīng)用。其中
2021-03-27 19:40:16
如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)？
2023-10-18 06:53:31
有個(gè)問題
一直困擾我，到底無源有損緩沖電路到底是能
提高效率，還是把損耗轉(zhuǎn)移到緩沖電路的電阻上去了??！請(qǐng)高手解答
一下！?。?/div>
2019-03-08 14:07:55
提高了50V，達(dá)到650V。圖1圖1 全新650V IGBT4的截面圖。相對(duì)于600V IGBT3的改進(jìn)：芯片厚度增加 （y）、溝道寬度降低（z）、背部P射極能效提高。650V IGBT4動(dòng)態(tài)特性
2018-12-07 10:16:11
通過禁用文件緩沖提高效率在每次文件I/O操作中，LabVIEW調(diào)用操作系統(tǒng)(OS)并請(qǐng)求在文件和磁盤之間傳輸數(shù)據(jù)，調(diào)默認(rèn)狀態(tài)下LabVIEW啟用緩沖。緩沖減少了操作系統(tǒng)訪問磁盤的次數(shù)并減少了處理時(shí)間
2017-03-16 09:17:20
增加另外恒壓電路來穩(wěn)定VCC電壓，直接兼容5-12V輸出電壓時(shí)正常工作。配合電流驅(qū)動(dòng)的電壓鉗位驅(qū)動(dòng)外接開關(guān)管，優(yōu)化減少系統(tǒng)損耗進(jìn)一步提高整體系統(tǒng)效率芯片超低靜態(tài)工作電流ETA8047/8小于0.4mA
2021-07-13 19:28:14
能夠完全恢復(fù)保存的磁能和泄漏的電感能量，從而提高效率和可靠性。驅(qū)動(dòng)第二級(jí)同步整流器的預(yù)測信號(hào)能夠進(jìn)一步提高效率。全面的保護(hù)功能包括UVLO、熱關(guān)斷和具有間隔電流限制的短路保護(hù)，有助于提高系統(tǒng)性能和可靠性
2021-05-17 06:18:24
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
的SJ-MOSFET。通過降低柵極電阻Rg和柵極-漏極間電荷量Qgd，提高了開關(guān)性能。通過提高開關(guān)速度，可降低開關(guān)損耗并提高效率。最后列出了這三個(gè)系列相關(guān)技術(shù)信息的鏈接。這里雖然給出了各系列的特征，但為了進(jìn)一步
2018-12-03 14:27:05
卡套管的使用有助于提高效率并達(dá)到更合格的標(biāo)準(zhǔn)
Enhancing Efficient and Reaching Higher Standard by using Clip Tubes
2009-03-14 17:26:09
11 一種提高效率和減小電壓紋波的電荷泵:提出了一種經(jīng)穩(wěn)壓后的電荷泵架構(gòu)，通過改進(jìn)傳統(tǒng)四相位電荷泵的輸出級(jí)使效率提高了5%，通過改進(jìn)傳統(tǒng)的控制時(shí)鐘方案使輸出電壓紋波降低
2009-12-14 09:41:1521 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅(jiān)固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片，可提高牽引和工業(yè)傳動(dòng)等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 
2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002053 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時(shí)還集成
2018-05-18 09:04:001989 東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個(gè)連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155102 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢，性能一代更比一代強(qiáng)。因此，G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 什么樣的MOSFET才適合儲(chǔ)能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲(chǔ)能系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計(jì)。
2020-08-21 14:01:251014 
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率
2021-03-01 12:16:022084 ，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個(gè)主要優(yōu)勢： 沒有Si二極管的反向恢復(fù)
2021-03-26 16:40:202349 
AN144-通過靜默交換機(jī)設(shè)計(jì)降低EMI并提高效率
2021-05-07 15:27:556 深成科技：深圳圓柱電池分選機(jī)怎么提高效率？
2021-12-28 17:54:08418 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
為提高效率——如何將雙向功率流集成到UPS設(shè)計(jì)中（第一部分）
2022-11-01 08:27:170 使用 DSN2 肖特基二極管提高效率
2022-11-15 20:25:240 Nexperia的LFPAK88不使用內(nèi)部焊線，減小了源極引腳長度，從而最大程度地減少在開關(guān)過程中產(chǎn)生的寄生源極電感，以此提高效率。 無引腳(QFN)封裝或開爾文源極連接等備選方案也具有類似的優(yōu)點(diǎn)，但它們也存在很大的缺陷，這就使得“提高效率的捷徑”LFPAK88成為我們的首選。
2023-02-10 09:38:03448 
英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作，將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:31518 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NIKKEI邏輯整合Brocade SAN以提高效率和安全性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-30 10:36:070 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 
使用自增自減運(yùn)算提高效率 在使用到加一和減一操作時(shí)盡量使用增量和減量操作符，因?yàn)樵隽糠Z句比賦值語句更快，原因在于對(duì)大多數(shù)CPU來說，對(duì)內(nèi)存字的增、減量操作不必明顯地使用取內(nèi)存和寫內(nèi)存的指令，比如
2023-11-21 11:29:42188 帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓?fù)浜虵REDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:56359 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 BOSHIDA ?提高效率的DC電源模塊設(shè)計(jì)技巧 設(shè)計(jì)高效率的BOSHIDA ?DC電源模塊可以幫助減少能源浪費(fèi)和提高系統(tǒng)功耗，以下是一些設(shè)計(jì)技巧： 1. 選擇高效率的功率轉(zhuǎn)換器：選擇具有高效率
2024-02-26 14:27:38110 
碳化硅（SiC）技術(shù)一直是推動(dòng)高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術(shù)，也是要在這個(gè)領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標(biāo)，擴(kuò)大還在光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電等領(lǐng)域的市場份額。
2024-03-12 09:33:26239 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07188 
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論