PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過(guò)載、短路造成的損害。本文通過(guò)Avago參與的八大問(wèn)答討論隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧。

　　1、如何避免米勒效應(yīng)？

　　IGBT操作時(shí)所面臨的問(wèn)題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）。門(mén)集-電極之間的耦合，在于IGBT關(guān)斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通（門(mén)集電壓尖峰），這是潛在的危險(xiǎn)。

　　當(dāng)上半橋的IGBT打開(kāi)操作，dVCE/dt電壓變化發(fā)生跨越下半橋的IGBT。電流會(huì)流過(guò)米勒的寄生電容，門(mén)極電阻和內(nèi)部門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻。這將倒至門(mén)極電阻電壓的產(chǎn)生。如果這個(gè)電壓超過(guò)IGBT門(mén)極閾值的電壓，可能會(huì)導(dǎo)致寄生IGBT道通。

　　有兩種傳統(tǒng)解決方案。首先是添加門(mén)極和發(fā)射極之間的電容。第二個(gè)解決方法是使用負(fù)門(mén)極驅(qū)動(dòng)。第一個(gè)解決方案會(huì)造成效率損失。第二個(gè)解決方案所需的額外費(fèi)用為負(fù)電源電壓。

　　解決方案是通過(guò)縮短門(mén)極-發(fā)射極的路徑，通過(guò)使用一個(gè)額外的晶體管在于門(mén)極-發(fā)射極之間。達(dá)到一定的閾值后，晶體管將短路門(mén)極-發(fā)射極地區(qū)。這種技術(shù)被稱為有源米勒鉗位，提供在我們的ACPL-3xxJ產(chǎn)品。你可以參考Avago應(yīng)用筆記AN5314

　　2、故障保護(hù)功能有哪些？都是集成在隔離驅(qū)動(dòng)器里嗎？

　　3種故障保護(hù)功能都集成到Avago的高集成柵極驅(qū)動(dòng)器ACPL-33xJ里-UVLO（以避免VCC2電平不足夠時(shí)開(kāi)啟IGBT），DESAT（以保護(hù)IGBT過(guò)電流或短路），和米勒鉗位（以防止寄生米勒電容造成的IGBT誤觸發(fā)）

　　3、在哪些應(yīng)用場(chǎng)合需要考慮米勒效應(yīng)的影響？

　　IGBT操作時(shí)所面臨的問(wèn)題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）。門(mén)集-電極之間的耦合，在于IGBT關(guān)斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通（門(mén)集電壓尖峰），這是潛在的危險(xiǎn)。

　　當(dāng)上半橋的IGBT打開(kāi)操作，dVCE/dt電壓變化發(fā)生跨越下半橋的IGBT。電流會(huì)流過(guò)米勒的寄生電容，門(mén)極電阻和內(nèi)部門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻。這將倒至門(mén)極電阻電壓的產(chǎn)生。如果這個(gè)電壓超過(guò)IGBT門(mén)極閾值的電壓，可能會(huì)導(dǎo)致寄生IGBT道通。