閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導體) 的一種基本的電學參數。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓，以建立MOSFET漏極和源極端子之間的導電溝道。有幾種方法可以確定
2025-11-08 09:32:38
7048 
針對SiC MOSFET模塊應用過程中出現的串擾問題，文章首先對3種測量差分探頭的參數和測 量波形進行對比，有效減小測量誤差；然后詳細分析串擾引起模塊柵源極出現電壓正向抬升和負向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:218498 
偏 HTGB試驗；其次，針對高壓SiC MOSFET 的特點進行了漏源反偏時柵氧電熱應力的研究。試驗結果表明，在高壓 SiC MOSFET 中，漏源反偏時柵氧的電熱應力較大，在設計及使用時應尤為注意。
2024-01-04 09:41:545025 
MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應用的關鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長期穩(wěn)定性和使用壽命，因此，如何有效驗證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關注的焦點。
2025-03-24 17:43:272363 
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。
2025-03-26 17:42:302015 
了市場上第一款SiC MOSFET，采用平面柵結構的CMF20120D。到了2015年，羅姆率先實現溝槽柵結構SiC MOSFET的量產，這種結構更能夠發(fā)揮
2023-03-18 00:07:006425 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
的小型化?！ ×硗?，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
的概述和應掌握的特征 性能評估事例的設計目標和電路使用評估板進行性能評估測量方法和結果重要檢查點MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態(tài)響應和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內提供與之相同的導通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時具備更高的電流密度和更低的導通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導
2019-07-09 04:20:19
問題，因此，需要增加緩沖吸收電路來抑制 SiC 模塊關斷過程中因振蕩帶來的尖峰電壓過高的問題 。文獻 [7-11] 通過對雙脈沖電路進行仿真和實驗研究，給出了緩沖吸收電路參數的優(yōu)化設計方法，但都是以關斷
2025-04-23 11:25:54
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結型場效應晶體管（JFET）的形式出現。SemiSouth實驗室遵循JFET方法，因為當時雙極結晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測量方法電源單元等產品中使用的功率開關器件大多都配有用來冷卻的散熱器，在測量器件引腳間的電壓時，通常是無法將電壓
2022-09-20 08:00:00
測量高速信號快速的、比較干凈的測量方法是什么
2021-05-07 07:13:16
測量方法的分類1) 直接測量與間接測量(1) 直接測量直接測量是直接得到被測量值的測量方法。例如用直流電壓表測量穩(wěn)壓電源的輸出 電壓等。(2) 間接測量與直接測量不同，間接測量是利用直接測量的量與被
2017-06-15 10:08:31
LED亮度調節(jié)、電機轉速控制等。而在某些特殊應用中，我們也需要通過測量輸入PWM的占空比，來實現不同的輸出控制，這就需要使用到PWM占空比的測量方法。這里介紹三種不同的測量方法：阻塞方式、中斷方式以及定時器捕獲功能。
2021-02-03 07:52:09
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補充一下，所有波形的測試是去掉了鱷魚夾，使用接地彈簧就近測量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經過了半個小時的帶載實驗，在自然散熱的情況下，測量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測量對于
2020-06-10 11:04:53
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
管理和控制，其前提是必須準確而又可靠的獲得電池現存的容量參數。電池的電壓及溫度是和電池容量密切相關的兩個參數，因此精確采集單體電池電壓及溫度是十分重要的?！ 《?、常用測量方法分析 1、單體電池電壓測量方法
2011-09-01 11:17:35
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
什么是SPWMSPWM示波器的測量方法
2021-03-29 08:29:26
系統(tǒng)檢測過程中，需要運用到各種各樣的傳感器，傳感器的測量方法以及性能是檢測任務是否能夠順利完成的關鍵性因素。在實際操作過程中，需針對不同的檢測目的和具體情況進行分析，然后找出切實可行的測量方法，再
2018-11-07 16:20:22
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內均可調整。將該柵極驅動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
許多的資料顯示，許多的EMC問題都是由共模及差模干擾引起的，那么在單板調試過程中，有沒有什么好的辦法對電路板上的共模和差模電壓進行測量，測量用的儀器比如示波器，測量方法什么的。請各位大佬賜教
2018-05-27 14:58:57
低壓共源共柵結構是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
極驅動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3?！ D3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
振動頻率是指與無源晶振（晶體諧振器）一起工作的振蕩電路的實際頻率。振動頻率由無源晶體諧振器決定，并受MCU、外部負載電容、PCB雜散電容等的影響。測量方法（一）振動頻率通過以下方程來計算。負載
2020-07-06 17:21:09
康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
來自MPS的科普視頻，介紹了一些最基本的紋波測量方法，歡迎探討交流！ ...
2022-01-03 07:19:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結構碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
，在測量MOSFET的DS的電壓時候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端，減小地線的環(huán)路
2023-02-20 17:21:32
的源-測量測試方法可以定量測量阻抗、電導和電阻，這些測量值揭示材料的關鍵性能。即便材料最終并非應用于電路，這種測量方法仍然適用。 需要注意的問題 測量納米微粒需要重點注意以下情況： 1. 納米微粒無法
2009-10-14 15:58:21
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
請問電機參數的含義及測量方法是什么？
2021-10-19 08:54:17
高壓電壓及電流測量方法是什么？
2021-11-05 08:03:59
21520 負責控制 SiC MOSFET 的開關過程。
為確保測量精度，漏源電壓和柵極電壓采用光隔離電壓探頭（Micsig MOIP200P）進行測量，該探頭具有200 MHz帶寬、180dB的高
2025-04-08 16:00:57
基于太陽仿真器的測量方法
2009-02-23 21:57:14
15 測量微弱的電壓信號時。測量系統(tǒng)中熱電勢的影響不能忽略。本文所討論的基于增量模型的變極性測量方法是消除測量系統(tǒng)中熱電勢干擾的一種處理方法。這種方法將一個完整的
2009-06-06 13:59:0519 模擬測量方法和數字測量方法：高內阻回路直流電壓的測量，交流電壓的表征與測量方法，低頻電壓的測量，等內容。
2009-07-13 15:53:330 測量方法:以RPM（每分鐘轉數）為單位的轉速測定用下面三種典型的方法之一來完成。
1．機械轉速測量
由機械測量傳感器進行數據采集是測量RPM的傳統(tǒng)方法。傳感器中
2009-09-06 22:49:57119 提出一種新的三維坐標測量方法，該方法基于雙目視覺、雙頻光柵投影、相移和三角測量等測量方法。測量系統(tǒng)采用兩個攝像機記錄投影光柵，通過分析雙頻投影條紋不同柵距的
2010-01-22 12:10:3820 熱工測量的概念和測量方法
本章講述了測量及測量誤差的基本概念，測量的一般方法，
2010-09-14 15:59:2912 頻率測量方法的改進
2010-10-14 16:41:0020 電力功率測量方法
從大的方面來看，很多領域都需要功率測量，而且不同領域功率測量的方法是大不相同的。例如
2008-12-04 11:27:413331 
關于IGBT導通延遲時間的精確測量方法
0 引 言
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是GTR和MOSFET的一種新型復合器件，自問世以來就以輸入阻抗高，開關速度快，通態(tài)
2009-11-23 10:33:412706 
本文提出的基于移位寄存陣控制的單體電池電壓及溫度測量方法，可實現串聯電池組的電壓及溫度的巡檢，巡檢的電池數量可靈活的增加和減少。相對于其他的測量方法，結構簡潔明了
2011-08-22 11:11:544714 
基于油罐液位測量方法的研究
2017-01-22 13:38:0813 一種交流電壓的間接測量方法及其應用_陳靜
2017-03-19 11:46:134 基于電阻鏈移相的時柵高速測量方法研究_索龍博
2017-03-19 19:19:352 VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關于計算，柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模塊將總是能夠在關閉狀態(tài)下開關MOS(如果MOS沒有損壞)。R33/R86的比例已經選得很好。
2018-09-23 11:17:008802 基于聲卡的直流信號測量方法分析(通信電源技術期刊幾類)-該資料為?基于聲卡的直流信號測量方法分析
2021-09-28 11:54:3512 ? GIS回路電阻測量方法根據測量的模式不同可以分為傳統(tǒng)GIS回路電阻測量方法和智能GIS回路電阻測量方法，接下來登豐電力帶大家熟悉一下傳統(tǒng)GIS回路電阻測量方法和智能GIS回路電阻測量方法。 傳統(tǒng)
2021-11-18 18:01:012779 
本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下（包括雪崩模式和發(fā)散振蕩）的性能，并研究了它們在利用零電壓開關的電路中的性能。
2022-05-07 16:27:453909 
具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關。這里的重點是如何有效地測量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:452722 
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。
2022-09-17 10:02:421967 
從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:161830 
關于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
本文的關鍵要點?探頭的連接方法會給波形測量結果帶來很大影響。?如果延長線較長，在柵極引腳和源極引腳與測量夾具之間形成的環(huán)路會導致觀察到的波形與真正的波形完全不同，因此，連接時要確保這個環(huán)路最小。
2023-02-09 10:19:221275 
本文的關鍵要點?在某些位置測量波形時，觀測到的波形可能與實際波形不同。?理想的做法是測量位置要應盡可能地靠近DUT，最好在引腳根部。
2023-02-09 10:19:22870 
MOSFET手冊推薦柵源電壓-4/15V；模塊給出的都是-5/20V的推薦驅動電壓，實際調研過程中模塊用的都是-4/20V；基于Cree三代芯片模塊建議開通電壓17 20V，實現更低的導通損耗，關斷電壓-5V
2023-02-27 14:41:0910 紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:461833 
布局注意事項。 橋式結構SiC MOSFET的柵極信號，由于工作時MOSFET之間的動作相互關聯，因此導致SiC MOSFET的柵－源電壓中會產生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 溝槽柵結構是一種改進的技術，指在芯片表面形成的凹槽的側壁上形成MOSFET柵極的一種結構。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029391 
紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:141571 摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學及熱學特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應注意
2023-04-04 10:12:343040 
運放失調電壓測量方法 運放失調電壓是運放非理想性質的一種，它是運放輸入端所需的偏置電壓與實際給的偏置電壓之間的差值。這種差異會影響整個電路的性能，因此對于電路設計和測試來說，準確測量運放失調電壓
2023-09-22 18:23:555485 SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:171189 
蓄電池無負載和有負載電壓測量方法 蓄電池是一種儲存電能的裝置，廣泛應用于汽車、UPS電源、太陽能系統(tǒng)等領域。在使用蓄電池時，需要了解其電壓情況，以確保其正常工作和維護。本文將介紹蓄電池無負載和有負載
2024-01-05 14:04:074935 電阻是電路中常見的基本元件，其測量方法主要有以下幾種：直流電橋法、直流電壓比較法、萬用表測量法、數字多用表測量法、數字電橋法、示波器法、恢復法等。下面將詳細介紹這些測量方法。 直流電橋法是一種經典
2024-01-14 14:52:026451 中間繼電器線圈電壓是指控制繼電器開關狀態(tài)的電壓。測量中間繼電器線圈電壓的目的是為了驗證電壓是否在有效范圍內，以確保繼電器正常工作。下面將介紹幾種常用的中間繼電器線圈電壓的測量方法。 一、直接測量
2024-02-05 16:38:598112 MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的呢？柵源振蕩的危害什么？如何抑制或緩解柵源振蕩的現象呢？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）的柵源振蕩是指在工作過程中，出現的柵極與源極之間產生
2024-03-27 15:33:283305 在柵極電荷方法中，將固定測試電流（Ig）引入MOS晶體管的柵極，并且測量的柵極源電壓（Vgs）與流入柵極的電荷相對應。對漏極端子施加一個固定的電壓偏置。
2024-04-10 14:22:023592 
數字示波器是一種廣泛應用于電子測量領域的儀器，它能夠實時顯示電壓波形，幫助工程師和技術人員對電子信號進行分析和測量。數字示波器的測量方法有很多種，不同的測量方法適用于不同的應用場景。以下是三種常見
2024-07-17 18:02:023788 的基本結構和工作原理 MOSFET由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個部分組成。柵極與襯底之間有一層絕緣的氧化物層，稱為柵氧化物。當柵極電壓（Vg）高于閾值電壓（Vth）時，柵氧化物下方的襯底表面形成導電溝道，實現源極和漏極之間的導通。
2024-08-01 09:19:552997 可控硅整流器的測量方法多種多樣，主要包括直流電壓測量、電流測量、觸發(fā)脈沖測量以及電阻測量等。每種方法都有其特定的操作步驟和注意事項，以確保測量結果的準確性和可靠性。以下將詳細介紹這些測量方法及相應的注意事項。
2024-10-07 16:38:003304 普源示波器作為電子測試領域的重要工具，能夠準確捕捉和分析電路中的電壓和電流波形，其時間精度測量在電子電路設計和故障診斷中扮演著至關重要的角色。本文將詳細介紹普源示波器時間精度的測量方法，包括測量
2025-04-03 18:02:141087 
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工商網監(jiān)
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