電路中，晶體管常常被用來當做開關(guān)使用。晶體管用作開關(guān)時有兩種不同的接線方式：高邊（high side）和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在電路中的位置決定的。晶體管可以是雙極性晶體管（BJT）或者場效應管（MOSFET）。
2023-02-16 16:00:31
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過程中SiC MOSFET的高短路電流會產(chǎn)生極高的熱量，因此SiC MOSFET需要快速的短路檢測與保護。同時，電流關(guān)斷速率也需要控制在一定范圍內(nèi)，防止關(guān)斷時產(chǎn)生過高的電壓尖峰。
2023-06-01 10:12:073173 
;1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC
2023-08-03 11:09:572587 
談談SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:133282 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:193288 
本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外，還應注意測試波形的準確性。
2025-03-26 16:52:161890 
【不懂就問】在單端反激電路中常見的一部分電路就是RCD組成的吸收電路，或者鉗位電路，與變壓器原邊并聯(lián)其目的是吸收MOSFET在關(guān)斷時，引起的突波，尖峰電壓電流到那時MOSFET是壓控器件，為什么在關(guān)斷時會引起尖峰電壓電流？怎么在三極管BJT的應用中看不到類似吸收電路
2018-07-10 10:03:18
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關(guān)系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
二極管的Vf特性，。Vgs為0V即MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，沒有通道電流，因此該條件下的Vd-Id特性可以說是體二極管的Vf-If特性。如“何謂碳化硅”中提到的，SiC的帶隙更寬，Vf比
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
電導率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時間變長。另外，Vdd較低時發(fā)熱量也會減少，所以耐受時間會更長。由于關(guān)斷SiC-MOSFET所需的時間非常短，所以當Vgs的斷路速度很快時，急劇的dI/dt可能會引發(fā)較大的浪涌電壓。請使用
2018-11-30 11:30:41
研究開發(fā)法人科學技術(shù)振興機構(gòu)合作開發(fā)，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的產(chǎn)品。?超高壓脈沖電源特征?超高耐壓偽N通道SiC MOSFET?低導通電阻（以往產(chǎn)品的1
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
通和關(guān)斷狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。在150°C時，Si MOSFET的RDS(on) 導通電阻是25°C時的兩倍（典型值）；而SiC MOSFET的應用溫度可達到200°C，甚至是更高的額定溫度，超高的工作溫度簡化
2019-07-09 04:20:19
電路（簡稱“RC 電路”）的功率加以限制。關(guān)斷尖峰電壓越高，SiC 器件電壓應力越大，器件壽命則越短，因此在滿足關(guān)斷尖峰電壓盡可能低的前提下使 RC 電路的功率最小，這樣可以延長價格昂貴的 SiC
2025-04-23 11:25:54
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進步的簡要歷史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
電導率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
什么樣的現(xiàn)象。綠色曲線表示高邊SiC-MOSFET的柵極電壓VgsH，紅色曲線表示低邊的柵極電壓VgsL，藍色曲線表示Vds。這三個波形都存在振鈴或振蕩現(xiàn)象，都不容樂觀。比如一旦在低邊必須關(guān)斷的時間點
2018-11-30 11:31:17
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
低邊和高邊電流監(jiān)測器的架構(gòu)和應用是什么
2021-03-11 07:39:28
MOSFET和逐漸成熟的高壓GaN MOSFET，這些器件都有非常廣泛的應用，這里不一一舉例，而這些常用的應用按驅(qū)動劃分的話，我覺得可以分為低邊驅(qū)動和非低邊驅(qū)動，低邊驅(qū)動例如PFC中的MOSFET
2016-11-28 13:38:47
功率器件類型?！ ∶栏呱赖腟P6LI電源模塊采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二極管構(gòu)成的相臂拓撲，每個開關(guān)具有低至2.1 mOhms 的極低RDSon，并提供用于溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻
2018-10-23 16:22:24
。下面是25℃和150℃時的Vd-Id特性。請看25℃時的特性圖表。SiC及Si MOSFET的Id相對Vd（Vds）呈線性增加，但由于IGBT有上升電壓，因此在低電流范圍MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
，那個地方不合理，那個需要改正；4、可以跟帖說明該電路原理圖或者此類原理圖設計時的注意事項和難點；【今日電路】如圖是一個低邊MOSFET電路。請問：1.過快關(guān)斷MOS管是有壞處的，因為漏源dv/dt過高
2019-01-03 14:31:42
` 首先萬分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機會。 第一次試用體驗，先利用晚上時間做單管SiC Mos的測試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時時間、上升時間
2020-05-21 15:24:22
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數(shù)，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
隨著電力電子技術(shù)的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
）BR UVLO (Under Voltage Lock Out)ZT引腳觸發(fā)屏蔽功能熱關(guān)斷內(nèi)置1700V SiC MOSFET降頻功能輕負載時Burst模式工作逐周期過流保護VCC UVLO
2022-07-27 11:00:52
SiC-MOSFET關(guān)斷時導通該MOSFET，強制使Vgs接近0V，從而避免柵極電位升高。評估電路中的確認使用評估電路來確認柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅(qū)動電路示例，柵極驅(qū)動L為負電壓驅(qū)動。CN1
2018-11-27 16:41:26
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
功率MOSFET的感性負載關(guān)斷過程和開通過程一樣，有4個階段，但是時間常數(shù)不一樣。驅(qū)動回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
對于高壓開關(guān)電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
求一款低邊MOSFET驅(qū)動,輸入電壓12V,電流1A以上，且一顆芯片驅(qū)動兩個MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
的門檻變得越來越低，價格也在逐步下降，應用領(lǐng)域也在慢慢扭轉(zhuǎn)被海外品牌一統(tǒng)天下的局面。據(jù)統(tǒng)計，目前國內(nèi)多家龍頭企業(yè)已開始嘗試與內(nèi)資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當前國內(nèi)品牌尚不具備競爭優(yōu)勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
測試，并觀察波形。在雙脈沖測試電路的高邊（HS）和低邊（LS）安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS開關(guān)、LS始終OFF（柵極電壓=0V）。圖1所示的延長電纜已經(jīng)直接焊接
2022-09-20 08:00:00
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
理解了BD7682FJ-LB作為SiC-MOSFET用IC最重要的關(guān)鍵點，接下來介紹其概要和特點。＜特點＞小型8引腳SOP-J8封裝低EMI準諧振方式降頻功能待機時消耗電流低：19uA無負載時消耗電流低
2018-11-27 16:54:24
我用ucc27324這片驅(qū)動芯片給驅(qū)動，分別給低邊的MOS和高邊的MOS驅(qū)動。高邊的MOS和驅(qū)動芯片之間已加隔離變壓器和隔直電容，但是占空比很小，所以關(guān)斷時候負壓很小，總是會被誤觸發(fā)。低邊的MOS關(guān)斷時候是零電壓，也不可靠。有沒有什么辦法在改動很少的情況下加上可靠的負壓關(guān)斷（至少-2V）？
2019-06-27 09:12:37
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
CMRR低（典型值<60dB），易受SiC MOSFET高速開關(guān)產(chǎn)生的高頻EMI影響，造成波形畸變，嚴重者會導致炸管。光隔離探頭的改進：
1.低寄生參數(shù)設計：
1pF寄生電容幾乎不
2025-04-08 16:00:57
Vishay宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141737 由于SiC MOSFET開關(guān)速度較快，使得橋式電路中串擾問題更加嚴重，這樣不僅限制了SiC MOSFET開關(guān)速度的提升，也會降低電力電子裝置的可靠性。針對SiC MOSFET的非開爾文結(jié)構(gòu)封裝
2018-01-10 15:41:22
3 相較于硅（ Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高開關(guān)速度與低通態(tài)電阻特性增加了其瞬態(tài)波形的非理想特性與對雜散參數(shù)影響的敏感性，對其瞬態(tài)建模的精度提出更高的要求。通過功率開關(guān)器件瞬態(tài)過程的時間
2018-02-01 14:01:343 Intersil公司推出帶有集成高邊和低邊MOSFET的3A同步降壓穩(wěn)壓器---ISL85003和ISL85003A。
2018-04-24 10:30:001645 
安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電
2020-06-15 14:19:404976 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:202594 
在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:291100 從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:201447 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:211627 
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路及其導通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行解說。
2023-02-08 13:43:231302 
上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時的動作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231163 
本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:034588 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105634 
EN-1230A可對各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間、導
2023-02-23 09:20:464 本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:571699 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:191295 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:582279 
3.1 驅(qū)動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低，但只有驅(qū)動電壓達到18V～20V時才能完全開通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產(chǎn)品手冊中單管
2023-02-27 14:41:0910 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:073634 探究快速開關(guān)應用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:033281 相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:335126 
點擊藍字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事
2023-10-18 16:05:022427 深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
2023-12-04 15:26:122229 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 
怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:521411 SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導通損耗、快速開關(guān)速度等特點
2023-12-27 09:34:562548 
功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化，因為它們已經(jīng)被認為具有較高的寄生電感。
2024-05-08 17:43:581879 
極電壓的敏感性比IGBT更高，所以對SiC MOSFET使用高驅(qū)動電壓的收益更大。為了防止寄生導通，SiC MOSFET往往還需要負壓關(guān)斷。如果一個SiC MOSFET使用了Vgs=-5V~20V的門
2024-05-13 16:10:171487 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設計用于驅(qū)動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464 第二代SiC碳化硅MOSFET關(guān)斷損耗Eoff
2024-06-20 09:53:401447 
SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 BASiC基本股份半導體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗（Eoff）特性，在以下應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢： 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31741 
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度研究與波形解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)
2025-09-01 11:32:272688 
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度解析，特別是其本征體二極管的關(guān)斷特性 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力
2025-09-01 08:53:461470 
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