閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體) 的一種基本的電學(xué)參數(shù)。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓，以建立MOSFET漏極和源極端子之間的導(dǎo)電溝道。有幾種方法可以確定
2025-11-08 09:32:38
7048 
針對(duì)SiC MOSFET模塊應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)的串?dāng)_問(wèn)題，文章首先對(duì)3種測(cè)量差分探頭的參數(shù)和測(cè) 量波形進(jìn)行對(duì)比，有效減小測(cè)量誤差；然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負(fù)向峰值過(guò)大 的原因
2023-06-05 10:14:218498 
偏 HTGB試驗(yàn)；其次，針對(duì)高壓SiC MOSFET 的特點(diǎn)進(jìn)行了漏源反偏時(shí)柵氧電熱應(yīng)力的研究。試驗(yàn)結(jié)果表明，在高壓 SiC MOSFET 中，漏源反偏時(shí)柵氧的電熱應(yīng)力較大，在設(shè)計(jì)及使用時(shí)應(yīng)尤為注意。
2024-01-04 09:41:545025 
MOSFET的柵氧可靠性問(wèn)題一直是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和使用壽命，因此，如何有效驗(yàn)證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-03-24 17:43:272363 
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。
2025-03-26 17:42:302015 
了市場(chǎng)上第一款SiC MOSFET，采用平面柵結(jié)構(gòu)的CMF20120D。到了2015年，羅姆率先實(shí)現(xiàn)溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，這種結(jié)構(gòu)更能夠發(fā)揮
2023-03-18 00:07:006425 
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時(shí)間變長(zhǎng)。另外，Vdd較低時(shí)發(fā)熱量也會(huì)減少，所以耐受時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)。由于關(guān)斷SiC-MOSFET所需的時(shí)間非常短，所以當(dāng)Vgs的斷路速度很快時(shí)，急劇的dI/dt可能會(huì)引發(fā)較大的浪涌電壓。請(qǐng)使用
2018-11-30 11:30:41
的概述和應(yīng)掌握的特征 性能評(píng)估事例的設(shè)計(jì)目標(biāo)和電路使用評(píng)估板進(jìn)行性能評(píng)估測(cè)量方法和結(jié)果重要檢查點(diǎn)MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導(dǎo)通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時(shí)具備更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導(dǎo)
2019-07-09 04:20:19
問(wèn)題，因此，需要增加緩沖吸收電路來(lái)抑制 SiC 模塊關(guān)斷過(guò)程中因振蕩帶來(lái)的尖峰電壓過(guò)高的問(wèn)題 。文獻(xiàn) [7-11] 通過(guò)對(duì)雙脈沖電路進(jìn)行仿真和實(shí)驗(yàn)研究，給出了緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，但都是以關(guān)斷
2025-04-23 11:25:54
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實(shí)驗(yàn)室遵循JFET方法，因?yàn)楫?dāng)時(shí)雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認(rèn)為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過(guò)集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來(lái)保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測(cè)量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開(kāi)關(guān)器件大多都配有用來(lái)冷卻的散熱器，在測(cè)量器件引腳間的電壓時(shí)，通常是無(wú)法將電壓
2022-09-20 08:00:00
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過(guò)分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補(bǔ)充一下，所有波形的測(cè)試是去掉了鱷魚夾，使用接地彈簧就近測(cè)量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經(jīng)過(guò)了半個(gè)小時(shí)的帶載實(shí)驗(yàn)，在自然散熱的情況下，測(cè)量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測(cè)量對(duì)于
2020-06-10 11:04:53
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測(cè)試方法，對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
性能如何？650V-1200V電壓等級(jí)的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術(shù)的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導(dǎo)通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開(kāi)發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
儀器設(shè)備的說(shuō)明書，并按正確的方法使用。三、正確的測(cè)量方法實(shí)例 1 和 2 被測(cè)信號(hào)的特點(diǎn)都是對(duì)大地存在共模電壓，在觀測(cè)的頻率下共模電壓對(duì)大地的源阻抗較低。而單端探頭和通用示波器是接大地的，那么直接連接測(cè)量
2019-10-23 07:00:00
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問(wèn)題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
使用各種不同的數(shù)字示波器進(jìn)行相關(guān)電氣信號(hào)量的測(cè)量，測(cè)量的時(shí)候都需要與示波器相匹配的探頭，與示波器相匹配的探頭種類也非常多，包括無(wú)源探頭(包括高壓探頭，傳輸線探頭)、有源探頭（包括有源單端探頭、有源差
2017-12-13 11:48:36
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
，在測(cè)量MOSFET的DS的電壓時(shí)候，要保證正確的測(cè)量方法。（1）如同測(cè)量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測(cè)量位置的兩端，減小地線的環(huán)路
2023-02-20 17:21:32
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
%的降額要求。另外，在測(cè)量MOSFET的DS的電壓時(shí)候，要保證正確的測(cè)量方法。（1）如同測(cè)量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測(cè)量位置的兩端
2016-09-06 15:41:04
絕大多數(shù)情況下都取決于IC的規(guī)格，因此雖然不是沒(méi)有方法，但選用專為SiC-MOSFET用而優(yōu)化的電源IC應(yīng)該是上策。具體一點(diǎn)來(lái)講，在規(guī)格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24
的電壓，但可以通過(guò)一些方法間接地進(jìn)行測(cè)量。例如，可以在整流橋的輸出端使用一個(gè)電容耦合器將直流信號(hào)轉(zhuǎn)換為交流信號(hào)，然后再使用高壓無(wú)源探頭進(jìn)行測(cè)量。這樣可以將整流橋輸出的直流信號(hào)轉(zhuǎn)換為交流信號(hào)，使得高壓無(wú)源
2025-07-11 09:21:49
21520 負(fù)責(zé)控制 SiC MOSFET 的開(kāi)關(guān)過(guò)程。
為確保測(cè)量精度，漏源電壓和柵極電壓采用光隔離電壓探頭（Micsig MOIP200P）進(jìn)行測(cè)量，該探頭具有200 MHz帶寬、180dB的高
2025-04-08 16:00:57
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計(jì)算，柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模塊將總是能夠在關(guān)閉狀態(tài)下開(kāi)關(guān)MOS(如果MOS沒(méi)有損壞)。R33/R86的比例已經(jīng)選得很好。
2018-09-23 11:17:008802 無(wú)源電壓探頭是目前最常用的示波器探頭類型。無(wú)源探頭中沒(méi)有像晶體管或放大器這類有源器件，因此不需要給探頭供電.所以工程師使用示波器的入門級(jí)探頭通常是無(wú)源探頭。無(wú)源探頭由導(dǎo)線和連接器制成，在需要補(bǔ)償或
2021-04-25 14:39:372944 有經(jīng)驗(yàn)的工程師都知道，如果我們要使用 數(shù)字示波器來(lái)進(jìn)行電源測(cè)量的話，就必須先測(cè)量MOSFET開(kāi)關(guān)器件漏極、源極間的電壓和電流，或IGBT集電極、發(fā)射極間的電壓。但是如果我們需要完成這一測(cè)試測(cè)量任務(wù)
2021-04-29 15:05:441733 共模電壓高壓差分信號(hào)，VGs2為低共模電壓低壓差分信號(hào)，VDS2為高壓對(duì)地信號(hào)。根據(jù)信號(hào)類型，VGs1、VDs1和 VGs2需采用差分探頭測(cè)量，VDS2既可采用高阻無(wú)源探頭測(cè)量，也可采用差分探頭測(cè)量
2021-09-27 08:51:151283 
建立的探頭模型和對(duì)暫態(tài)電壓精確測(cè)量實(shí)驗(yàn)分析 1、實(shí)驗(yàn)平臺(tái) 本文搭建了基于SiC MOSFET C3MO075120K的雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，以驗(yàn)證所建立的探頭模型和對(duì)暫態(tài)電壓精確測(cè)量所做的分析，實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
2022-03-31 17:32:271252 本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下（包括雪崩模式和發(fā)散振蕩）的性能，并研究了它們?cè)诶昧?b class="flag-6" style="color: red">電壓開(kāi)關(guān)的電路中的性能。
2022-05-07 16:27:453909 
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開(kāi)關(guān)。這里的重點(diǎn)是如何有效地測(cè)量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:452722 
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。
2022-09-17 10:02:421967 
（需要使用探頭自帶的小螺絲刀來(lái)調(diào)整，調(diào)整時(shí)把探頭連接到示波器補(bǔ)償輸出測(cè)試位置），以與示波器輸入電容匹配，以消除低頻或高頻增益。下圖的左邊是存在高頻或低頻增益，調(diào)整后的補(bǔ)償信號(hào)顯示波形如下圖的右邊所示。 無(wú)源探頭的
2022-10-12 16:30:412923 
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測(cè)量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測(cè)試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:062014 。 對(duì)于是否需要標(biāo)準(zhǔn)無(wú)源探頭以外的其他探頭，您可能會(huì)碰到一個(gè)難題。考慮到標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)源探頭是針對(duì)大范圍探測(cè)連接而設(shè)計(jì)的通用工具，如果要測(cè)量具有快速上升/下降時(shí)間的高速信號(hào)，建議采用具有足夠帶寬的有源探頭。同樣，差分或電流信號(hào)的測(cè)量也好
2023-02-02 13:38:162877 
從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:161830 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(zhǎng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測(cè)量，在開(kāi)關(guān)速度較快時(shí)，觀察到的波形會(huì)發(fā)生明顯變化。?受測(cè)量時(shí)所裝的延長(zhǎng)電纜的影響，觀察到的波形會(huì)與真正的原始波形完全不同。
2023-02-09 10:19:211447 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在某些位置測(cè)量波形時(shí)，觀測(cè)到的波形可能與實(shí)際波形不同。?理想的做法是測(cè)量位置要應(yīng)盡可能地靠近DUT，最好在引腳根部。
2023-02-09 10:19:22870 
關(guān)鍵要點(diǎn)?除了測(cè)量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi)，就會(huì)受到磁通量變化的影響，而體現(xiàn)在觀測(cè)波形上。
2023-02-09 10:19:22816 
一般來(lái)說(shuō)無(wú)源電壓探頭包含無(wú)源探頭，高阻無(wú)源電壓探頭，低阻無(wú)源電壓探頭，無(wú)源高壓探頭等四個(gè)探頭。
2023-02-20 15:24:475702 常用的無(wú)源電壓探頭都有補(bǔ)償調(diào)節(jié)電容，適用于不同的示波器，必須在初始測(cè)量前進(jìn)行校準(zhǔn)，否則會(huì)嚴(yán)重影響波形的顯示。 步驟一，打開(kāi)示波器，讓示波器熱機(jī)持續(xù)一段時(shí)間。有些數(shù)字示波器需要在熱機(jī)后期執(zhí)行自校準(zhǔn)程序
2023-02-21 15:27:421312 
無(wú)源探頭測(cè)量原理是一種基于物理原理的測(cè)量方法，它利用物理信號(hào)和物理器件之間的相互作用來(lái)進(jìn)行測(cè)量。無(wú)源探頭測(cè)量原理通常應(yīng)用于機(jī)器狀態(tài)監(jiān)測(cè)、位移測(cè)量和電特性測(cè)量等領(lǐng)域。 無(wú)源探頭測(cè)量原理中關(guān)鍵在于利用
2023-02-23 15:27:291384 
MOSFET手冊(cè)推薦柵源電壓-4/15V；模塊給出的都是-5/20V的推薦驅(qū)動(dòng)電壓，實(shí)際調(diào)研過(guò)程中模塊用的都是-4/20V；基于Cree三代芯片模塊建議開(kāi)通電壓17 20V，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通損耗，關(guān)斷電壓-5V
2023-02-27 14:41:09
10 紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:461833 
布局注意事項(xiàng)。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號(hào)，由于工作時(shí)MOSFET之間的動(dòng)作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會(huì)產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029391 
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:141571 泰克探頭是一種常用的測(cè)試工具，主要用于測(cè)量電流和電壓。它的操作方法簡(jiǎn)單易懂，可以幫助用戶快速準(zhǔn)確地測(cè)量電器設(shè)備中的電流和電壓，為維護(hù)和保養(yǎng)設(shè)備提供便利。下面詳細(xì)介紹一下泰克探頭的使用方法。
2023-05-23 11:00:192279 摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:343040 
在電子學(xué)和電路領(lǐng)域中，無(wú)源探頭是一種常見(jiàn)的工具，用于測(cè)量電路中的電壓和電流。然而，對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō)，可能會(huì)對(duì)無(wú)源探頭的具體用途和功能產(chǎn)生困惑。本文將詳細(xì)介紹無(wú)源探頭的定義、用途以及它們是用來(lái)測(cè)量電壓
2023-06-29 10:32:101789 
在電子領(lǐng)域中，無(wú)源探頭是一種被廣泛使用的儀器，用于測(cè)量和探測(cè)電路中的信號(hào)。與有源探頭不同，無(wú)源探頭不需要外部電源供電，而是通過(guò)電路中的電壓或電流來(lái)工作。然而，有一種特殊類型的無(wú)源探頭，即無(wú)源探頭在沒(méi)有任何電壓輸入的情況下仍然具有偏置電壓。
2023-08-15 15:12:371415 示波器有源探頭和無(wú)源探頭的區(qū)別是什么？ 示波器是一種測(cè)量電信號(hào)的工具，它可以通過(guò)觀察電壓隨時(shí)間的變化來(lái)提供信號(hào)的詳細(xì)信息。為了進(jìn)行示波器測(cè)量，需要使用探頭將信號(hào)連接到測(cè)量設(shè)備上。探頭可以分為兩種
2023-09-04 16:47:342151 SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171189 
示波器電流探頭可以測(cè)量多大電壓？ 示波器電流探頭是一種用于測(cè)量電流信號(hào)的工具，它可以將電流轉(zhuǎn)換為可觀測(cè)的電壓信號(hào)。然而，實(shí)際上示波器電流探頭并不能直接測(cè)量電壓，它只能間接測(cè)量電壓。 示波器電流探頭
2024-01-08 14:55:321809 普通探頭如何測(cè)量電壓？ 普通探頭是一種常見(jiàn)的電子測(cè)試工具，用于測(cè)量電壓。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地講解普通探頭如何測(cè)量電壓的原理、使用方法、注意事項(xiàng)等方面的內(nèi)容。 一、普通探頭的原理 普通探頭主要
2024-01-08 15:55:403455 詳細(xì)介紹電流探頭測(cè)量小電流的方法和技巧? 電流探頭是廣泛應(yīng)用于電子測(cè)試和測(cè)量的一種設(shè)備，其主要作用是測(cè)量電路中的電流大小。在許多情況下，我們需要測(cè)量的是小電流，因此掌握電流探頭測(cè)量小電流的方法
2024-01-08 16:09:111793 無(wú)源探頭的輸入電容有什么影響? 無(wú)源探頭是一種廣泛應(yīng)用于電子儀器領(lǐng)域的探頭，用于測(cè)量電路中的電磁場(chǎng)和電壓等參數(shù)。在使用無(wú)源探頭時(shí)，輸入電容是不可避免的一個(gè)參數(shù)。輸入電容的大小以及特性會(huì)對(duì)無(wú)源探頭
2024-01-08 16:09:141252 高頻示波器無(wú)源探頭如何選擇合適的檔位？ 高頻示波器無(wú)源探頭用于測(cè)量高頻信號(hào)，它是將被測(cè)信號(hào)與示波器相連接的一個(gè)重要組成部分。選擇合適的檔位是使用無(wú)源探頭時(shí)需要考慮的一個(gè)重要問(wèn)題。本文將詳細(xì)介紹高頻
2024-01-08 16:36:191814 如何使用無(wú)源探頭進(jìn)行差分測(cè)量? 您可以使用兩個(gè)無(wú)源探頭進(jìn)行偽差分測(cè)量。為此，您必須使用示波器上的數(shù)學(xué)函數(shù)。將探頭連接至通道。1 和 ch. 2 分別反轉(zhuǎn)通道。2 然后使用數(shù)學(xué)函數(shù)添加ch。1
2024-03-21 10:27:141354 
MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來(lái)的呢？柵源振蕩的危害什么？如何抑制或緩解柵源振蕩的現(xiàn)象呢？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的柵源振蕩是指在工作過(guò)程中，出現(xiàn)的柵極與源極之間產(chǎn)生
2024-03-27 15:33:283305 示波器是電子工程師和電子愛(ài)好者必備的測(cè)試設(shè)備之一，而無(wú)源探頭則是示波器測(cè)量過(guò)程中常用的接觸式測(cè)量工具。本文將介紹無(wú)源探頭的使用技巧，幫助讀者更好地利用無(wú)源探頭進(jìn)行有效的電信號(hào)測(cè)量。 1. 無(wú)源探頭
2024-04-03 10:29:101490 
在柵極電荷方法中，將固定測(cè)試電流（Ig）引入MOS晶體管的柵極，并且測(cè)量的柵極源電壓（Vgs）與流入柵極的電荷相對(duì)應(yīng)。對(duì)漏極端子施加一個(gè)固定的電壓偏置。
2024-04-10 14:22:023592 
在電子測(cè)試和測(cè)量中，電壓探頭是一種常用的工具，用于測(cè)量電路中的電壓信號(hào)。然而，電壓探頭本身會(huì)引入一定的延遲，這可能會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生影響。本文將介紹電壓探頭延遲的計(jì)算方法，并探討其在實(shí)際應(yīng)用中的重要性
2024-04-28 10:28:571322 
高壓無(wú)源探頭是一類特殊設(shè)計(jì)的測(cè)試探頭，它們能夠承受較高的電壓，并且通常用于測(cè)量高壓電路的電壓波形。
2024-05-19 16:12:401430 常重要的，可以幫助工程師分析電路的性能并進(jìn)行故障診斷。本文將介紹無(wú)源探頭電壓降額曲線的原理、應(yīng)用和特點(diǎn)。 原理 無(wú)源探頭電壓降額曲線的測(cè)量原理基于電路中的歐姆定律和基爾霍夫電壓定律。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，當(dāng)一根金屬導(dǎo)線連接電
2024-06-13 09:36:141228 
電流探頭是電子測(cè)量領(lǐng)域中常用的工具，用于測(cè)量電路中的電流。它們通常用于連接示波器或多用途數(shù)字測(cè)量儀器，以便觀測(cè)和分析電流波形。本文將介紹電流探頭的使用方法以及一些測(cè)量技巧，幫助您更好地進(jìn)行電流測(cè)量
2024-06-17 13:42:011908 
的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個(gè)部分組成。柵極與襯底之間有一層絕緣的氧化物層，稱為柵氧化物。當(dāng)柵極電壓（Vg）高于閾值電壓（Vth）時(shí)，柵氧化物下方的襯底表面形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)源極和漏極之間的導(dǎo)通。
2024-08-01 09:19:552997 是測(cè)量隔離電壓信號(hào)的常用選擇。它測(cè)量的是兩個(gè)輸入信號(hào)之間的差值，而不是單個(gè)信號(hào)相對(duì)于地的電壓。差分探頭具有高共模抑制比(CMRR)，這意味著它能夠有效地抑制兩個(gè)輸入信號(hào)共有的噪聲和干擾信號(hào)，例如來(lái)自電源或其他外部源的干
2024-11-18 11:12:271492 
文章對(duì)比了無(wú)源探頭與高壓探頭在設(shè)計(jì)原理、性能參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景上的差異，指出無(wú)源探頭適用于低電壓測(cè)量，高壓探頭適合高電壓環(huán)境，兩者各有優(yōu)劣。
2025-10-09 16:18:37246
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