繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場(chǎng)地位與廣闊應(yīng)用前景。
2025-09-02 17:18:33
4524 
GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開(kāi)關(guān)速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時(shí)變得越來(lái)越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個(gè)缺點(diǎn)是電流損耗會(huì)導(dǎo)致電流崩潰。器件關(guān)閉和熱電子
2021-03-22 12:42:2312951 
摘要 在本文中，我們研究了測(cè)試晶圓和PERC太陽(yáng)能電池的不同工業(yè)適用清洗順序，并與實(shí)驗(yàn)室類型的RCA清洗進(jìn)行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF/O3和HF/O3顯示出1 ms至2 ms之間
2021-12-31 09:45:552170 
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強(qiáng)模式開(kāi)發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 （MIS） 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動(dòng)的低柵極漏電流，以及柵極注入晶體管 （GIT
2022-07-25 08:05:315216 
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開(kāi)關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們?cè)谶@里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動(dòng)機(jī)應(yīng)用的功率和逆變器階段提供的優(yōu)勢(shì)。
2022-07-27 14:03:562999 
使用較低的Rds（on）可以降低傳導(dǎo)損耗，而使用GaN可以減小芯片尺寸并降低動(dòng)態(tài)損耗。當(dāng)GaN與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時(shí)形成二維電子氣體（2DEG）的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管（HEMT）功率器件
2023-11-06 09:39:2914900 
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:213627 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 的垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。 ? 致能半導(dǎo)體全球首次在硅襯底上實(shí)現(xiàn)了垂直的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎(chǔ)，致能實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)具有垂直2DEG的常開(kāi)器件(D-mode HEMT)和全球首個(gè)垂直常關(guān)器件(E-mode HEMT)。通過(guò)去除生長(zhǎng)用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004783 
GaN功率轉(zhuǎn)換器件的文件，但它僅建立了測(cè)試這些器件的開(kāi)關(guān)可靠性的方法。 硅MOSFET與氮化鎵HEMT的開(kāi)關(guān)特性。圖片由富士通提供克萊斯勒，福特和通用汽車在1990年代成立了汽車電子協(xié)會(huì)（AEC），以
2020-09-23 10:46:20
電機(jī)設(shè)計(jì)中對(duì)于GaN HEMT的使用GaN HEMT的電氣特性使得工程師們選擇它來(lái)設(shè)計(jì)更加緊湊、承受高壓和高頻的電動(dòng)機(jī)，綜上所述這類器件有如下優(yōu)點(diǎn)：較高的擊穿電壓，允許使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27:49
。每個(gè)階段都會(huì)對(duì)效率產(chǎn)生影響。這里，通過(guò)實(shí)現(xiàn)不同的電路拓?fù)浜洼^少的階段來(lái)提高電力系統(tǒng)的效率。圖2顯示了這個(gè)問(wèn)題的解決方案。PFC級(jí)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)隨著可以在更高電壓和更高速度下工作的GaN晶體管而改變。較高
2017-05-03 10:41:53
以及Class D半橋逆變測(cè)試，配套測(cè)試設(shè)備可實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)的效率監(jiān)測(cè)以及GaN器件的溫度監(jiān)測(cè)。測(cè)試平臺(tái)的電路原理圖如圖2所示，對(duì)應(yīng)系統(tǒng)的實(shí)物圖如圖3所示，該測(cè)試平臺(tái)的驅(qū)動(dòng)IC為Si8274，利用驅(qū)動(dòng)IC
2023-06-25 15:59:21
進(jìn)展[1~ 3] ，在國(guó)外工作于綠光到紫光可見(jiàn)光區(qū)內(nèi)的GaN LED 早已實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化[2]；國(guó)內(nèi)多家單位成功制作了藍(lán)色發(fā)光二極管，并初步實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化[3]。而眾多的研究[4~ 14] 表明，GaN
2019-06-25 07:41:00
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
安路 SALEAGLE? （以下簡(jiǎn)稱 AL3）系列 FPGA 有 5 個(gè)器件，定位低成本、低功耗可編程市場(chǎng)。AL3 器件旨在用于大批量，成本敏感的應(yīng)用，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在降低成本的同時(shí)又能夠滿足不斷增長(zhǎng)
2022-10-27 07:58:23
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無(wú)線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無(wú)與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內(nèi)運(yùn)行。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2021-08-04 11:50:58
和 AlGaN。AlGaN 材料對(duì)于紫外 (UV) 發(fā)射器和高電子遷移率晶體管 (HEMT) 結(jié)構(gòu)很重要，因此已經(jīng)在整個(gè) Al 成分范圍內(nèi)研究了 AlGaN 光學(xué)特性。InGaN材料（In含量< 50
2021-07-08 13:08:32
介微波陶瓷主要是以AL2O3和AIN的應(yīng)用，低介微波陶瓷基覆銅板用絕緣散熱材料的理想性能是既要導(dǎo)熱性能好，散熱好，還要在高頻微波作用下產(chǎn)生損耗盡量小。BeO陶瓷是目前陶瓷基覆銅板中絕緣散熱的絕佳材料
2017-09-19 16:32:06
諸多應(yīng)用難點(diǎn)，極高的開(kāi)關(guān)速度容易引發(fā)振蕩，過(guò)電流和過(guò)電壓導(dǎo)致器件在高電壓場(chǎng)合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開(kāi)通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓?fù)涞膽?yīng)用中容易發(fā)生誤
2023-09-18 07:27:50
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒(méi)有。請(qǐng)?zhí)崆皫椭x謝。 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
/BCB)上制作了CPW結(jié)構(gòu)的傳輸線,通過(guò)仿真、測(cè)量、比較和分析其傳輸損耗特性得出Si/Al2O3/BCB多層薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)襯底有效地降低了普通硅襯底的高頻損耗(20GHz時(shí)CPW傳輸線的損耗為1.18dB
2010-04-24 09:02:35
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí)，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬，我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
鋰電池用納米氧化鋁（Al2O3 VK-L30D）在鋰離子電池充放電過(guò)程中，鋰離子在正負(fù)極材料中反復(fù)嵌入與脫嵌，使LiCo02活性材料的結(jié)構(gòu)在多次收縮和膨脹后發(fā)生改變，同時(shí)導(dǎo)致LiCoO2發(fā)生層間
2014-05-12 13:44:47
普通型氧化鋁陶瓷系按Al2O3含量不同分為99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品種，有時(shí)Al2O3含量在80％或75％者也劃為斯利通普通氧化鋁陶瓷系列。
2019-06-20 17:09:31
單晶α-Al2O3、MgO、YSZ和TiO2在室溫下分別注入Ni＋和Zn＋離子，然后在氧化氣氛中退火，以形成金屬及其氧化物納米晶。形成的納米復(fù)合結(jié)構(gòu)分別采用X射線光電子能譜(XPS)表征各元素
2009-05-12 21:40:20
23 通過(guò)對(duì)陽(yáng)極氧化多孔Al2O3 薄膜感濕材料的制備工藝及其電容濕敏特性進(jìn)行研究,將陽(yáng)極氧化參數(shù)對(duì)多孔Al2O3 薄膜的結(jié)構(gòu)和形態(tài)的影響與多孔Al2O3 薄膜作為濕度傳感器感濕材料的濕敏特
2009-06-22 11:24:5013 藍(lán)寶石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED襯底材料的選用比較
對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應(yīng)該采用
2009-11-17 09:39:205804 金屬氧化物膜濕敏元件的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
Fe2O3、Fe3O4、Cr2O3、Al2O3、Mg2O3及ZnO、TiO2，等金屬氧化物的細(xì)粉，吸收水分后有極快的速干特性，
2009-11-30 09:37:521267 MIS器件,MIS器件是什么意思
以SiO2為柵介質(zhì)時(shí)，叫MOS器件，這是最常使用的器件形式。歷史上也出現(xiàn)過(guò)以Al2O3為柵介質(zhì)的MAS器件和以Si3N4
2010-03-04 16:01:241641 什么是MIS
金屬－絕緣體－半導(dǎo)體（簡(jiǎn)寫(xiě)為 MIS）系統(tǒng)的三層結(jié)構(gòu)如圖1所示。如絕緣層采用氧化物,則稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體(簡(jiǎn)寫(xiě)為MOS)
2010-03-04 16:04:269021 Toshiba推出C-BAND SATCOM應(yīng)用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國(guó)電子元器件公司推出其功率放大器產(chǎn)品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體高電子遷移晶體管(HEMT)。
Toshiba 的
2010-06-10 10:47:332406 Fe2O3、Fe3O4、Cr2O3、Al2O3、Mg2O3及ZnO、TiO2，等金屬氧化物的細(xì)粉，吸收水分后有極快的速干特性，利用這種特性可以研制生產(chǎn)出多種金屬氧化物膜濕敏元件。 &nb
2010-11-25 18:10:032226 油紙絕緣的熱老化特性是影響變壓器壽命的重要因素。為獲得具有優(yōu)良抗熱老化性能的油紙絕緣，在絕緣紙抄造的過(guò)程中摻雜納米A1203，通過(guò)測(cè)試復(fù)合絕緣紙的電氣強(qiáng)度確定最佳摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%。將復(fù)合絕緣紙
2018-01-19 14:21:160 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達(dá)10V，工作電流在20A，擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場(chǎng)、產(chǎn)品應(yīng)用和技術(shù)特性方面的信息，以及英飛凌相關(guān)業(yè)務(wù)和此次量產(chǎn)產(chǎn)品的細(xì)節(jié)。
2018-12-06 18:06:215266 據(jù)外媒報(bào)道，韓國(guó)漢陽(yáng)大學(xué)（Hanyang University）的一組研究人員利用非晶Al2O3實(shí)現(xiàn)石墨表面改良（surface modification of graphite），這是一種高效的方式，旨在提升鋰離子電池石墨陽(yáng)極材料的快充性能表現(xiàn)。
2019-03-25 14:53:551145 LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前，能作為L(zhǎng)ED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:034226 基于溫度步進(jìn)應(yīng)力實(shí)驗(yàn)，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應(yīng)力下的退化規(guī)律及退化機(jī)理。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)： 在結(jié)溫為 139 ～ 200 ℃ 時(shí)，AlGaN /GaN HEMT 器件的漏源
2020-06-23 08:00:006 充電、電源開(kāi)關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場(chǎng)。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、 Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2020-07-27 10:26:001 本文將 3D 打印技術(shù)與注射成型工藝相結(jié)合用于 Al2O3 陶瓷坯體的快速成型，即采用注射成型的原理制備低粘度、高固相量、穩(wěn)定均勻的熱塑性 Al2O3 陶瓷漿料，通過(guò) FDM 3D 打印成型技術(shù)制備
2020-07-13 08:00:000 的AlGaN/GaN HEMT器件，沿Ga面方向外延生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)存在較強(qiáng)的極化效應(yīng)，導(dǎo)致在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面處產(chǎn)生大量的二維電子氣（2DEG），且在零偏壓下肖特基柵極無(wú)法耗盡溝道中高濃度的二維電子氣。 當(dāng)柵極電壓VGS=0時(shí)，HEMT溝道中仍有電流通過(guò)，需要在柵極施加負(fù)偏置耗盡柵極下二維電
2020-09-21 09:53:014378 
在實(shí)際應(yīng)用中，為實(shí)現(xiàn)失效安全的增強(qiáng)模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強(qiáng)型GaN HEMT器件。在實(shí)際的器件制備過(guò)程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:5011848 本周《漲知識(shí)啦》主要給大家介紹的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。 圖 1 ?(a) MIS結(jié)構(gòu)示意圖 ?(b) MIS
2020-12-10 11:09:447845 
，導(dǎo)致嚴(yán)重的熱衰退（thermal droop）現(xiàn)象。 根據(jù)我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)前期關(guān)于MIS結(jié)構(gòu)的相關(guān)仿真結(jié)果可知，MIS型
2021-12-21 13:55:501150 
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)，如圖1所示。
2022-02-10 15:27:4330174 
作者研究了四個(gè)商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內(nèi)的性能。據(jù)作者介紹，正如原始文章中所報(bào)道的，所有測(cè)試的器件都可以在低溫下成功運(yùn)行，性能整體有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技術(shù)意味著器件柵極控制的顯著變化。
2022-07-25 09:20:281840 
雖然乍一看似乎比較簡(jiǎn)單，但這些器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路需要仔細(xì)設(shè)計(jì)。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負(fù)電壓來(lái)將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從而避免意外開(kāi)啟。
2022-07-29 09:27:172427 
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強(qiáng)模式開(kāi)發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 (MIS) 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動(dòng)的低柵極泄漏電流，以及柵極注入晶體管 (GIT
2022-07-29 09:19:442002 ?；诘?(GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有卓越的電氣特性，是高壓和高開(kāi)關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們?cè)谶@里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動(dòng)機(jī)應(yīng)用的功率和逆變器級(jí)中提供的優(yōu)勢(shì)。
2022-08-08 09:15:481660 
針對(duì)熱效應(yīng)機(jī)理和熱電模型,我們將著重考慮熱導(dǎo)率和飽和速率隨晶格溫度的變化。由于熱電效應(yīng)最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此這里主要模擬GaN HEMT器件的直流特性曲線。通過(guò)編寫(xiě) Silvaco程序來(lái)模擬 GaN HEMT器件的特性曲線,再與實(shí)驗(yàn)曲線作對(duì)比,獲得準(zhǔn)確的模型參數(shù)。
2022-09-08 10:44:052995 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國(guó)防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。
2022-09-19 09:33:213472 氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)，如圖1所示。
2022-09-27 10:30:177365 Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能指標(biāo)；CG2H80060D包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移
2022-11-01 09:29:511577 GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
2023-01-30 14:17:441435 第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時(shí)具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng)，在大功率工作條件下會(huì)產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯(lián)系，因此準(zhǔn)確檢測(cè)GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。
2023-02-13 09:27:523312 
帶電壓解析模型，然后考慮柵絕緣層和勢(shì)壘層界面電荷對(duì)兩個(gè)模型進(jìn)行對(duì)比，提取出了MIS-HEMT和MOS-HEMT兩種器件的有效界面電荷密度。
2023-02-13 09:33:583244 
C-V測(cè)試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測(cè)量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
2023-02-14 09:17:154987 
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三種器件結(jié)構(gòu)的關(guān)態(tài)柵漏電曲線，漏極電壓Vd設(shè)定在0V，反向柵極電壓從0V掃描至-10V，正向柵電壓掃描至5V。
2023-02-14 09:18:546784 
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢(shì)壘層、及2nm GaN帽層，勢(shì)壘層鋁組分設(shè)定為30%。
2023-02-14 09:31:165006 
配對(duì)；Beo盡管具備出色的綜合型能，但是其具有很高的產(chǎn)品成本和有毒的缺陷限制它項(xiàng)目研究。因此不論是特性、成本費(fèi)、環(huán)保規(guī)定方面來(lái)講AL2O3和Beo陶瓷早已無(wú)法滿足電子器件電力電子器件發(fā)展和要求了，取代它
2023-02-16 14:44:572395 
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。GaN 外延材料的 質(zhì)量決定了高電子遷移率
2023-02-20 11:47:223015 氧化鋁有許多同質(zhì)異晶體，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的穩(wěn)定性較高，其晶體結(jié)構(gòu)緊密、物理性能與化學(xué)性能穩(wěn)定，具有密度與機(jī)械強(qiáng)度較高的優(yōu)勢(shì)，在工業(yè)中的應(yīng)用也較多。
2023-03-22 09:48:571507 氧化鋁有許多同質(zhì)異晶體，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的穩(wěn)定性較高，其晶體結(jié)構(gòu)緊密、物理性能與化學(xué)性能穩(wěn)定，具有密度與機(jī)械強(qiáng)度較高的優(yōu)勢(shì)，在工業(yè)中的應(yīng)用也較多。
2023-03-30 14:10:222737 BeO為纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，單胞為立方晶系。其熱傳導(dǎo)能力極高，BeO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99%的BeO陶瓷，室溫下其熱導(dǎo)率（熱導(dǎo)系數(shù)）可達(dá)310W/(m·K)，為同等純度Al2O3陶瓷熱導(dǎo)率的10倍左右。
2023-04-12 10:48:276971 藍(lán)寶石陶瓷基板是一種高硬度、高強(qiáng)度、高熔點(diǎn)的陶瓷材料，其主要成分是氧化鋁（Al2O3）。藍(lán)寶石陶瓷基板的制備方法是在高溫高壓下燒結(jié)制成。藍(lán)寶石陶瓷基板的晶體結(jié)構(gòu)具有六方晶系，其晶體密度為3.98 g/cm3，熔點(diǎn)為2040℃。
2023-04-25 15:38:041219 
傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:002558 
GaN基功率開(kāi)關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:002554 
藍(lán)寶石是一種高硬度、高強(qiáng)度、高熔點(diǎn)的陶瓷材料，其主要成分是氧化鋁（Al2O3）。藍(lán)寶石陶瓷基板的制備方法是在高溫高壓下燒結(jié)制成。藍(lán)寶石陶瓷基板的晶體結(jié)構(gòu)具有六方晶系，其晶體密度為3.98 g/cm3，熔點(diǎn)為2040℃。
2023-05-05 16:35:281040 
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)
2023-05-24 09:40:013467 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。
2023-05-25 15:14:065126 
最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍(lán)寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質(zhì)襯底上通過(guò)金屬有機(jī)氣象外延(MOCVD)進(jìn)行外延制備。由于異質(zhì)
2023-06-14 14:00:554118 
已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。 ? ? 作為技術(shù)成熟度最高的陶瓷基板材料，Al2O3基板綜合性能較好，目前應(yīng)用最成熟。Al2O3原料豐富、價(jià)格低廉，具有良好的絕緣性、化學(xué)穩(wěn)定性及與金屬附著
2023-07-17 15:06:164517 速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時(shí)，極快的開(kāi)關(guān)速度又對(duì)其動(dòng)態(tài)特性的測(cè)試提出了更高的要求，稍有不慎就會(huì)得到錯(cuò)誤結(jié)果。 為了能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)試，對(duì)應(yīng)的測(cè)試系統(tǒng)往往需要 注意以下幾
2023-07-17 18:45:022345 
α-Al2O3、β-Al2O3、γ-Al2O3等。其中，α-Al2O3具有較高的穩(wěn)定性。其晶體結(jié)構(gòu)致密，理化性能穩(wěn)定，具有密度和力學(xué)性能。高強(qiáng)度的優(yōu)勢(shì)在行業(yè)中有更多的應(yīng)用。 氧化鋁陶瓷按氧化鋁純度分類。氧化鋁純度為“99%稱為剛玉瓷，氧化鋁純度為99%、95%和90%的氧化鋁稱為9
2023-08-02 17:02:462485 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來(lái)降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:111555 
很多關(guān)注，由寬禁帶半導(dǎo)體所制備的功率器件可作為具有低導(dǎo)通電阻的高壓開(kāi)關(guān)，可以取代硅功率器件。此外，寬禁帶異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高的載流子密度和二維電子氣通道，以及較大的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度等物理特性，其中的氮化鎵 (Gallium Nitride, GaN）已被認(rèn)為可制備極佳的功率開(kāi)關(guān)。
2023-11-09 11:26:433371 
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動(dòng)速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:201905 報(bào)告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58897 
隨著電動(dòng)汽車（EVs）的銷售量增長(zhǎng)，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此，我們將探討如何設(shè)計(jì)、選擇拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)，以及如何通過(guò)GaN HEMT設(shè)備最大化OBCS的功率密度。
2023-12-17 11:30:001866 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長(zhǎng)一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416137 氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì)，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠錈o(wú)反向恢復(fù)損失且電容相對(duì)較小。隨著這項(xiàng)技術(shù)在更廣
2024-04-18 11:49:423139 
在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。
2024-05-09 10:43:262002 
和更低的導(dǎo)通電阻，因此在高頻、高功率和高溫應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。 GaN MOSFET器件結(jié)構(gòu) GaN MOSFET的基本結(jié)構(gòu)包括以下幾個(gè)部分： 1.1 襯底：GaN MOSFET通常采用硅或碳化硅作為襯底
2024-07-14 11:39:364189 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-31 13:24:400 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來(lái)在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，融合了多種材料和工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063440 GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。以下是對(duì)GaN HEMT優(yōu)缺點(diǎn)的詳細(xì)分析：
2024-08-15 11:09:204131 關(guān)于陶瓷材料，美國(guó)等西方國(guó)家很早便開(kāi)始了Al2O3陶瓷的研究與應(yīng)用，還開(kāi)展了Al2O3陶瓷金屬化等領(lǐng)域的研究，這為Al2O3陶瓷在電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用提供了更加完善的技術(shù)支持和更加可靠的應(yīng)用性
2024-10-23 08:03:141646 
硅太陽(yáng)能電池和組件在光伏市場(chǎng)占主導(dǎo)，但半電池切割產(chǎn)生的新表面會(huì)加劇載流子復(fù)合，影響電池效率，邊緣鈍化技術(shù)可解決此問(wèn)題。Al2O3薄膜穩(wěn)定性高、介電常數(shù)高、折射率低，在光學(xué)和光電器件中有應(yīng)用前景，常用
2025-01-13 09:01:392278 
硅基半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48905 
高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）具有極高的開(kāi)關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測(cè)量技術(shù)對(duì)評(píng)估其性能至關(guān)重要。 ? 內(nèi)容概覽
2025-02-27 18:06:411062 GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實(shí)測(cè)特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開(kāi)發(fā)。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112142 
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開(kāi)關(guān)器件，通過(guò)柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)： ? 結(jié)構(gòu)特性 ?：融合
2025-05-26 14:37:052286 尺寸小得多、工作頻率高得多的AlN/GaN HEMT。 該團(tuán)隊(duì)的突破涉及原位鈍化和使用選擇性刻蝕工藝添加再生長(zhǎng)重?fù)诫sn型接觸。 AlN/GaN HEMT是一類極具前景的晶體管，可用于射頻和功率器件
2025-06-12 15:44:37800 
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