美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）GaN器件已經(jīng)在消費電子領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟，而在消費電子之外，電源產(chǎn)品還有很多較大的應(yīng)用市場，包括光伏逆變器、服務(wù)器電源、汽車領(lǐng)域等。而新能源汽車作為目前規(guī)模增長最快的市場之一，SiC已經(jīng)成功導(dǎo)入電動汽車產(chǎn)品，并實現(xiàn)大批量落地。
2024-02-04 00:01:003359 
科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 國外廠商主流的GaN快充主控芯片，其中安森美NCP1342解決方案被眾多廠商使用。其實，除了國外的GaN控制芯片，國內(nèi)的GaN控制芯片這幾年發(fā)展得也不錯，特別是今年突如其來的芯片缺貨問題，更是加快了國產(chǎn)GaN控制芯片發(fā)展的步伐，不少之前使用國外控制芯片方案商和終端廠商開始切換到國內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)品。
2021-09-03 08:03:006192 在我的項目中，我需要用 18650 電池為 esp12 供電。
我試過使用帶有 1uF 電容（Vin-GND、Vout-GND）的 mcp1700 3.3v，
此設(shè)置使 esp 無法啟動，所以我嘗試
2023-05-31 07:36:54
CRD-060DD12P，用于單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代傳統(tǒng)的雙開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器，用于三相應(yīng)用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產(chǎn)品而設(shè)計的，僅用作評估Cree開關(guān)設(shè)備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
應(yīng)用，實現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務(wù)器計算）GaN不斷突破新應(yīng)用的界限，并開始取代汽車、工業(yè)和可再生能源市場中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設(shè)計與GaN設(shè)計的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
的開關(guān)頻率意味著任何磁性器件可以小得多，效率更高。使用GaN的LLC階段利用高于1MHz的開關(guān)頻率將轉(zhuǎn)換成36至60V的輸出。典型的輸出是POL轉(zhuǎn)換器的48V，這也正在利用GaN。整體設(shè)計不僅規(guī)模
2017-05-03 10:41:53
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進(jìn)步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
D功放的音質(zhì)也將得到有效的提升。
針對目前主流的GaN Class D應(yīng)用，三安集成推出了200V 20mΩ的低壓GaN功率器件，同時采用自主設(shè)計的半橋電路測試平臺對200V 20mΩ GaN
2023-06-25 15:59:21
已聽到我們的行業(yè)代言人宣布，“GaN將迎來黃金發(fā)展時間?！边@一公告似乎在暗示，GaN已準(zhǔn)備好出現(xiàn)在廣大聽眾、用戶或為數(shù)眾多的應(yīng)用面前。這也表明，GaN技術(shù)已經(jīng)如此成熟，不能認(rèn)為它是一個有問題的技術(shù)
2018-08-30 15:05:41
為什么
GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，
GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44?？隙ǖ卣f，
GaN是高頻器件材料技術(shù)上的
突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
國產(chǎn)射頻功放芯片GaAs,GaN內(nèi)匹配帶封裝，需要的咨詢電話***(微信同號)
2020-09-14 16:53:58
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
IntelXeon@D-2700和D-1700處理器為云、邊緣和5G網(wǎng)絡(luò)提供突破性的、密度優(yōu)化的性能、可擴展性和價值。intel Xeon D集成了以太網(wǎng)和加速器的處理器，用于支持網(wǎng)絡(luò)、存儲、工業(yè)loT、數(shù)據(jù)中心邊緣等。
2023-08-04 07:07:26
電壓（600V、1200V、1700V）均對應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級。考慮到過載，電網(wǎng)波動，開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
1700V/36AHIGHVOLTAGEXPTIGBT,
2023-03-29 15:24:24
1700V/40AHIGHVOLTAGEXPTIGBT,
2023-03-29 15:24:23
1700V/40AHIGHVOLTAGEXPTIGBT,
2023-03-29 15:24:26
1700V/108AHIGHVOLTAGEXPTIGB
2023-03-29 15:22:24
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進(jìn)一步突破了對常規(guī)功率密度預(yù)期的限值?；跀?shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進(jìn)行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
我想要讓isd1700語音模塊用程序控制讓智能小車說話，但是不知道isd1700語音模塊的排針的接法，怎樣接線才能實現(xiàn)？？我在網(wǎng)上找了好久的資料都找不到，，求大神指導(dǎo)
2014-11-30 11:11:40
下圖為MDD品牌1700V/450A的IGBT模塊具體測試波形。在關(guān)斷下管IGBT瞬間，觀測上管整流二極管的電流及電壓。可以看到，在極管開的時刻二極管開通的時刻，二極管的陽極的電位比陰極要高，峰值大約150V，持續(xù)時間為300 400ns ~400ns。? 二極管規(guī)格書下載：
2021-04-14 15:07:25
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
的柵極電荷（QG），反向恢復(fù)電荷為零 （QRR）。此外，GaN FET的輸出電容也低得多（C開放源碼軟件），而不是類似的MOSFET ［1］。 適用于 48 V 應(yīng)用的 GaN FET 的品質(zhì)因數(shù)提高了
2023-02-21 15:57:35
本文介紹了一個新的1700V 25A至300A快速恢復(fù)二極管（FRD）系列。實驗結(jié)果與數(shù)值模擬結(jié)果一致，表明采用SIPOS、SIN和聚酰亞胺鈍化法的橫向摻雜變化（VLD）可以實現(xiàn)穩(wěn)定的1700V
2023-02-27 09:32:57
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級，設(shè)計師可以在單級中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加，同時提高了可靠性。與硅
2019-07-29 04:45:02
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
GaN PA 設(shè)計？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個很好的起點。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計？
2019-07-31 06:44:26
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
求推薦一下?？梢詫崿F(xiàn)數(shù)字轉(zhuǎn)模擬的接口的國產(chǎn)芯片12位到16位可以輸出0~5V,或者0~10V,輸出電流4~20mA這個暫時還沒有奢望。其他不限，原來使用的ADI的，現(xiàn)在價格實在太貴了。想找個國產(chǎn)的DAC試試。謝謝啦
2022-04-18 13:50:20
CH32V307 配套國產(chǎn)千兆PHY芯片，全套國產(chǎn)。官方有沒有做過適配
2022-06-16 07:08:56
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計演示板。該設(shè)計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉(zhuǎn)換器 評估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用于大功率工業(yè)設(shè)備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
二極管最大耐電壓為1700V，輸出平均電壓為890V，輸出平均電流為50A；濾波電容 8800uF/400V;IGBT的額定電壓為1200V，額定電流為205A的
2014-12-18 12:00:06
的非線性GaN 模型都具有設(shè)計功能，包括可變偏置、溫標(biāo)、自熱效應(yīng)、固有電流-電壓(I-V) 感應(yīng)和焊線設(shè)置（若適用）。捕獲I-V 曲線在最基本的層面上，非線性GaN 模型必須捕獲晶體管在不同工作電平下
2018-08-04 14:55:07
1700 V、600 A 雙IGBT 模塊，采用 TRENCHSTOP? IGBT4，發(fā)射極控制二極管和溫度檢測NTC。也提供預(yù)涂硅脂型模塊。特征描述高電流密度低 VCEsatTvj op
2022-04-18 10:29:03
The PCM1700 is a low cost, high-performance, dual18-bit digital-to-analog converter. The PCM1700
2008-12-18 15:20:46
56 驅(qū)動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設(shè)計:通過對幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動專用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析，對M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進(jìn)行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:5239 Novel Soft-Punch-Through (SPT) 1700V IGBT Sets Benchmark on Technology Curve:Following fast
2010-02-19 11:11:5628 1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業(yè)級第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續(xù)在碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域
2023-07-28 14:21:34
通過對幾種常用的1700V IGBT驅(qū)動專用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析，對M579系列和CONCEPT公司的2SD系列進(jìn)行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能框圖，設(shè)計了典型應(yīng)用電路，討
2010-08-11 16:12:5876 國產(chǎn)手機廠商迎來發(fā)展拐點
2008年，在合資品牌手機廠商占有大部分占有率、山寨機沖擊市場的情況下，國產(chǎn)手機的生存現(xiàn)狀普遍不夠樂觀，其中，東信和熊貓電子都已于2007
2008-09-26 10:23:02543 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:481938 TI正在設(shè)計基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計劃和相關(guān)的應(yīng)用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管（HEMT）。
2016-04-25 14:16:152683 G2S17010A 1700V 10A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:191 SmartCortex_M3-1700工程模板 LPC1700 uCOS-II
2016-07-08 11:33:081 SmartCortex_M3-1700工程模板-工程模板for LPC1700
2016-07-08 11:33:083 如今國產(chǎn)處理器性能已經(jīng)不弱于國外處理器，中國芯片終于迎來了“芯突破”，到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，保持現(xiàn)有20%的發(fā)展速度，必將成為美國的最大競爭對手。
2018-01-22 15:30:051925 ? 前些天，新聞曝光的中芯國際花了1．2億美元從荷蘭ASML買來一臺EUV極紫外光刻機，未來可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片，而根據(jù)最新消息稱，長江存儲也迎來了自己的第一臺光刻機，國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將迎來重大突破。
2018-06-29 11:24:008478 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173606 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:375600 支持電動和混合動力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469 近年來，由于氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積，GaN已被RF工業(yè)大量采用。
2019-06-30 12:53:163835 
3 月 8 日訊，國產(chǎn)汽車芯片突破，首款車規(guī)級 AI 芯片即將正式前裝量產(chǎn)。
2020-03-09 09:49:362593 在華為遭遇了芯片上的限制之后，不少的人都在等著華為能夠被取消這個限制。當(dāng)然，更多等待的是，我們國產(chǎn)的芯片巨頭能夠在芯片這一方面有進(jìn)一步的突破。
2020-11-13 15:24:561668 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上，我國由于發(fā)展較晚，一直扮演著追趕者的角色，而在整個產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)中，國產(chǎn)半導(dǎo)體，尤其是顯示面板行業(yè)還處于較為下游的位置上。雖然這幾年來國產(chǎn)面板廠商奮起直追，但由于技術(shù)壁壘的存在，仍未沖破某些門檻。
2020-12-01 17:15:394588 人工智能和機器學(xué)習(xí)已經(jīng)成為科技行業(yè)的熱門話題，而想要讓它們變得更加智能就必須要提供更多的數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練。NVIDIA 研究部門旗下的生成對抗網(wǎng)絡(luò)（GAN）近日迎來一個新的里程碑，即便是在非常小的數(shù)據(jù)
2020-12-09 16:59:391346 華為正式發(fā)布鴻蒙OS2.0手機版，雖然是Beta版，這是一個十分重要的信號，將決定著全球三大系統(tǒng)鼎立的局面，也關(guān)系著國產(chǎn)OS崛起的步伐。華為鴻蒙OS迎來的巨大突破，即將帶領(lǐng)著國內(nèi)自研OS迅速崛起，期待這一幕能夠盡快到來，或許這也是一場激烈的競爭即將開始。
2020-12-17 11:51:342310 同時，伴隨著我國產(chǎn)業(yè)制造升級，芯片和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)把握住需求和供給的矛與盾，在外部環(huán)境和內(nèi)部大循環(huán)的推動下，正在實現(xiàn)國產(chǎn)化突破。
2021-01-19 15:30:143380 隨著最近一則消息的傳來，意味著華為又迎來了一位在關(guān)鍵時刻可力挽狂瀾的“國產(chǎn)隊友”。
2021-04-20 14:20:431161 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)DC1700A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DC1700A的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DC1700A真值表，DC1700A管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-06 14:00:03
。 該板有三個輸出：+15V、-15V和+24V，輸出功率高達(dá)62.5W。 該板使用TO-263 7L表面貼裝器件（SMD）封裝的1700V CoolSiC MOSFET作為主開關(guān)，非常適合高輸入電壓
2021-09-07 14:11:032396 
在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對國產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 ，特別是今年突如其來的芯片缺貨問題，更是加快了國產(chǎn)GaN控制芯片發(fā)展的步伐，不少之前使用國外控制芯片方案商和終端廠商開始切換到國內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)品。 國內(nèi)主流GaN快充控制芯片 近年來，我國半導(dǎo)體在氮化鎵、氮化硅領(lǐng)域發(fā)展迅速，眾多廠商實現(xiàn)了芯片量
2021-09-18 09:49:533664 
?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 近日，臺積電正式宣布稱2nm工藝芯片技術(shù)方面實現(xiàn)了重大突破，并且計劃在2025年進(jìn)階應(yīng)用2nm工藝，國產(chǎn)2nm芯片在不久之后或迎來破冰，目前臺積電和三星已經(jīng)著手3nm制程的量產(chǎn)了。
2022-06-29 09:20:3025069 Power Integrations （PI） 宣布為其 InnoSwitch?3-AQ 系列新增兩款 1700 伏額定 AEC-Q100 合格 IC。新的解決方案包括用于汽車級開關(guān)電源的碳化硅
2022-07-29 08:07:271216 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:582310 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計
2022-08-28 11:17:068 安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:19433 “BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:23656 
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:24518 
1700V是IGBT的主流電壓等級之一，廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電、無功補償（SVG）、智能電網(wǎng)，以及中高壓變頻器等領(lǐng)域。
2023-02-15 14:11:401686 1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動模塊使用手冊 （采用100%國產(chǎn)化元器件設(shè)計） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動模塊是特別為100%國產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動模塊
2023-02-16 15:01:5512 前幾天，三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄（.點這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:55860 ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureRange：-40～150°CStatus
2022-03-04 10:51:05495 
新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊1700V電機驅(qū)動功率半導(dǎo)體解決方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊
2023-01-29 17:41:441189 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31285 
電源中，由于母線電壓和功率不同，一般會選用單管反激或雙管反激拓?fù)?，無論那種拓?fù)涠茧x不開核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:05759 
半導(dǎo)體材料皇冠上的明珠，迎來國產(chǎn)化機遇
2023-01-13 09:06:472 GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？GaN驅(qū)動電路有哪些設(shè)計技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電子遷移率和能力，因此在功率電子領(lǐng)域有著廣泛
2023-11-07 10:21:44513 11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
近日，廣東致能科技團隊與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團隊等等合作攻關(guān)，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺，成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
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