N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結構
N
2009-09-16 09:41:43
23374 什么叫MOSFET，作為電子硬件設計中非常重要的器件MOSFET有怎樣的特性？MOSFET體二極管的作用？
2019-05-11 09:19:503432 
MOSFET從完全關斷到完全導通經(jīng)過哪幾個階段，在此過程中MOSFET為什么會發(fā)熱。
2019-05-12 07:27:005324 從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結構去考慮驅(qū)動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細節(jié)的問題，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高整個系統(tǒng)的可靠性。
2021-03-07 10:47:002511 
功率電路中常用垂直導電結構的MOSFET(還有橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">結構的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結構圖。
2023-02-16 11:25:471303 
），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有：橫向?qū)щ婋p擴散型場效應晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:10671 
），漏極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結構有：橫向?qū)щ婋p擴散
2023-06-28 08:39:353665 
。簡單概括一下，IGBT可以說是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT的結合體（雙極結型晶體管）。即它結合了MOSFET的柵壓控制晶體管（高輸入阻抗），利用BJT的雙載流子來達到大電流的目的（壓控雙極型器件）。那么這樣的組合內(nèi)部結構是怎樣的呢？
2023-07-03 09:40:151206 
IGBT在結構上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個 P+基板（IGBT 的集電極），形成PN 結 J1，并由此引出漏極，柵極和源極則完全與MOSFET相似。
2024-02-19 15:01:12779 
51單片機CPU的內(nèi)部結構及工作原理1.51單片機CPU的內(nèi)部結構2.工作原理1.51單片機CPU的內(nèi)部結構單片機內(nèi)部有一個8位的CPU，同時知道了CPU內(nèi)部包含了運算器，控制器及若干寄存器。51
2021-11-18 08:22:07
8051內(nèi)部結構供大家參考。
2013-12-17 08:59:04
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
MOSFET結構及其工作原理詳解`
2012-08-20 17:27:17
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結構及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎
2021-02-25 06:05:27
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET簡介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動技術
2021-03-04 06:43:10
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動方式
2021-03-29 07:29:27
內(nèi)部二極管的反向恢復時間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。PrestoMOS的FN系列與標準型AN系列相比，trr速度提高至約1/5。同時，反向恢復電流Irr也降低至約1/3。這些特性的提升
2018-11-28 14:27:08
MOSFET管的耐壓在150左右，電流在80A左右，MOSFET管怎么選擇？什么型號的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝？？
2016-12-24 14:26:59
我一直以為mosfet內(nèi)部有靜電保護功能，因為從來都沒有因手工焊接而擊穿過，突然發(fā)現(xiàn)這可能不對，MOSFET有內(nèi)部靜電保護嗎？
2011-10-21 11:52:40
mosfet沒有上電時，mosfet驅(qū)動電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅(qū)動電壓卻變成了這個樣子，請問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
AD9224的內(nèi)部結構與引腳說明AD9224的典型應用
2021-04-22 06:34:08
IGBT的內(nèi)部結構及特點：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的內(nèi)部結構是怎樣組成的？IGBT的特點有哪些？
2021-10-15 06:01:58
L4990內(nèi)部結構框圖
2019-03-29 13:42:58
Pbuf是什么？Pbuf的內(nèi)部結構是怎樣的？UDP處理的輸入輸出的流程是怎樣的？
2021-11-03 07:37:04
RCC器件的內(nèi)部結構及應用
2019-03-26 07:11:15
STM32F407芯片的特性是什么？STM32F407芯片內(nèi)部結構是如何構成的？
2021-09-24 12:49:47
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時，還需要探討柵極驅(qū)動器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
光耦內(nèi)部結構原理光耦內(nèi)部結構: 光耦合器是以光形式傳遞信號的，內(nèi)部電路是由光敏三極管和發(fā)光二極管組合成一個電子元件被封裝在個塑料殼內(nèi)，接入電路后，輸入端的電信號
2010-06-19 10:45:17
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關系，就必須對這三者的內(nèi)部結構和工作原理有大致的了解，下面我將用最簡單易懂的語言來為大家逐一講解。BJT：雙極性晶體管，俗稱三極管。內(nèi)部結構（以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
1 橫向雙擴散型場效應晶體管的結構功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三個管腳，分別為
2016-10-10 10:58:30
制；最大的阻斷電壓有限制；控制信號有功率要求，等等。（3）：電子開關的動態(tài)開關特性有限制開通有一個過程，其長短與控制信號及器件內(nèi)部結構有關；關斷有一個過程，其長短與控制信號及器件內(nèi)部結構有關；最高開關頻率
2021-09-05 07:00:00
半導體是什么？芯片又是什么？半導體芯片是什么？半導體芯片內(nèi)部結構是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
單片機內(nèi)部結構分析單片機的基本概念存儲器的工作原理
2021-02-19 06:27:20
單片機內(nèi)部結構分析存儲器的工作原理
2021-04-02 06:56:45
單片機是什么？單片機可分為哪幾類？單片機的內(nèi)部結構是由哪些部分組成的？
2021-10-29 07:48:54
變頻器內(nèi)部結構_變頻器內(nèi)部結構圖 1．主控電路 主要功能如下：(1)接受各種信號 1)在功能預置階段，接受對各功能的預置信號： 2)接受從鍵盤或外接輸入端子輸入的給定信號； 3)接受從外接輸入端子
2016-09-05 10:49:17
，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結構去考慮驅(qū)動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細節(jié)的問題，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高整個系統(tǒng)的可靠性。`
2011-09-27 11:25:34
混合SET/MOSFET 結構與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
學fpga的內(nèi)部結構和各接口實驗怎么學，看什么資料
2014-05-10 18:38:05
都有類似的結構。MOSFET由數(shù)萬個并聯(lián)電池組成，漏極位于底部。該結構與集成電路非常相似，源自多細胞功率雙極?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的真實內(nèi)部結構首先由哈里斯半導體在兩個應用說明中披露。圖3.2顯示它是
2023-02-20 16:40:52
步進電機真實內(nèi)部結構
2020-04-02 11:28:02
您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
本文介紹了流水線ADC的內(nèi)部結構和工作原理。
2021-04-22 06:56:00
`芯片封裝內(nèi)部結構經(jīng)典封裝知識，內(nèi)部結構完美呈現(xiàn)，分析芯片封裝的每一個知識點。[hide][/hide]`
2008-06-11 16:10:13
`賣家所提供的資料太少了，希望各位大牛為我分析一下這個設備的內(nèi)部結構。`
2019-01-18 17:52:49
MOSFET和超級結MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結構的極限而開發(fā)的就是超級結結構。如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
非門芯片電路的內(nèi)部結構是怎樣的？符號是什么？
2021-11-04 07:46:37
信號的放大需要放大電路工作在其近似的線性條件下才有意義．借助數(shù)學方法，對構成放大的電路的重要器件BJT和MOSFET的非線性進行了對比，并結合其各自的內(nèi)部結構分析了2類器件
2010-02-28 19:29:14
16 摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結構和極間電容的電壓依賴關系出發(fā)，對功率MOSFET的開關現(xiàn)象及其原因進行了較深入分析。從實際應用的角度，對功率MOSFET開關過程的功率損耗和所需驅(qū)動
2010-11-11 15:36:3853 cd4017內(nèi)部結構
2007-11-19 20:23:242027 
華為NodeB的內(nèi)部結構和單板介紹
華為BTS3812結構如下：
華
2009-06-30 09:33:142988 
圖所示為IR功率MOSFET的基本結構。圖中每一個六角形是一個MOSFET的原胞（cell）。正因為原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它稱為HEXFET。功率MOSFET通常由許多個MOSFET原胞
2009-07-27 09:42:422963 
555時基電路內(nèi)部結構
555時基電路分TTL 和CMOS 兩大類。圖18-71 是TTL 型電路的內(nèi)部結構圖。從圖中可以看出，它是由分壓器、比較器、R-S 觸發(fā)器、輸出級和放電開關等組成
2009-09-19 16:23:093469 L4990內(nèi)部結構框圖
2009-10-15 11:52:44714 
RX5RL內(nèi)部結構框圖
2009-10-26 15:32:01887 M5237L的內(nèi)部結構框圖
2009-10-26 16:04:59916 
MAX782內(nèi)部結構框圖
內(nèi)部框圖
2009-11-14 16:24:13873 
RH5RC內(nèi)部結構框圖.
RH5RC內(nèi)部結構框圖如圖所示，它由基
2009-11-14 16:43:07838 
LT1072的內(nèi)部結構框圖
2009-11-14 16:59:08906 
蓄電池內(nèi)部結構
2009-11-16 14:15:355147 M62213FP內(nèi)部結構框圖
2009-12-31 13:13:431141 
CX20106 內(nèi)部結構框圖
考慮到調(diào)制解調(diào)時可靠性，利用紅外線專用接收集成芯片CX20106 進行調(diào)制解調(diào)，其內(nèi)部結構框圖如圖6 所示。
2010-01-06 18:08:232289 
PC機電源內(nèi)部結構
我們要看電源是由什么組成的，最好的方法是我們打開電源的外殼，看看電源的內(nèi)部結構。
二極管組成，另一種是將四個二極管封裝在一起。
2010-01-15 16:58:102143 M57962L的內(nèi)部結構方框電路
2010-02-18 11:19:081578 
IGD驅(qū)動器的內(nèi)部結構框電路
2010-02-18 22:05:091508 
伺服電機內(nèi)部結構
2010-02-25 17:38:034367 
I/O繼電器內(nèi)部結構原理圖
I/O繼電器
適用負載
2010-03-02 10:07:311777 固態(tài)繼電器內(nèi)部結構原理圖
適用負載
2010-03-02 10:11:155456 P溝MOSFET,P溝MOSFET是什么意思
MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文縮寫，平面型器件結構，按照導電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS
2010-03-05 14:50:554867 集成運放內(nèi)部結構電路圖
2010-04-13 10:30:2621067 
動鐵耳機的內(nèi)部結構
2010-05-17 18:28:139155 熱賣光耦型號內(nèi)部結構圖
2012-06-26 15:14:362495 
元件的內(nèi)部結構
2017-03-04 17:48:296 MOSFET和IGBT內(nèi)部結構不同，
決定了其應用領域的不同。
1. 由于MOSFET的結構，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒有IGBT強。
2018-06-05 10:00:00193 iPad mini 4內(nèi)部結構如何？iPad mini 4真機拆解圖賞
2018-10-30 11:00:3240847 pogopin彈簧針的內(nèi)部結構設計常見有反鉆孔、斜剖面、增加圓珠等結構，每種結構應用不同。
2022-01-14 12:11:531271 功率MOSFET為多單元集成結構，如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列。
2022-08-04 15:35:071121 本書在簡析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結構、主要參
數(shù)及其對驅(qū)動電路的要求的基礎上介紹電力MOSFET及IGBT的80多種
集成驅(qū)動電路的基本特性和主要參數(shù)重點討論50多種電力
2022-08-13 09:21:390 內(nèi)容主要包括
一、MOSFET的分類
二、MOSFET的內(nèi)部結構以及技術升級過程介紹
三、MOSFET的工作原理
四、MOSFET的主要特性（轉(zhuǎn)移特性、開關特性、輸出特性
2022-11-15 17:10:270 MOSFET結構、特性參數(shù)及設計詳解
2023-01-26 16:47:00784 在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102935 
MOSFET和IGBT內(nèi)部結構不同，
決定了其應用領域的不同。
1. 由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。
2. IGBT可以做很大
2023-02-24 10:33:326 交叉導軌的內(nèi)部結構
2023-08-16 17:52:25556 
ldo內(nèi)部結構和工作原理? LDO是線性穩(wěn)壓電源的一種類型，其內(nèi)部結構和工作原理是非常重要的電子工程學習內(nèi)容。在本文中，我們將深入了解LDO的內(nèi)部結構和工作原理，包括其關鍵組件和實現(xiàn)機制。 LDO
2023-08-18 15:01:111260 MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34197 
MOSFET和IGBT內(nèi)部結構不同，決定了其應用領域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 等領域。本文將對IGBT的內(nèi)部結構及工作原理進行詳細介紹。 一、IGBT的內(nèi)部結構 IGBT主要由四層半導體材料構成，分別是P型、N型、P型和N型。從上到下依次為：發(fā)射極、集電極、P型基區(qū)和N型基區(qū)。在P型基區(qū)和N型基區(qū)之間有一個PN結，這個PN結被稱為內(nèi)建
2024-01-10 16:13:10372 
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